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1. 发明专利

TW202003894A III族氮化物半導體基板的製造方法审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体基板的制造方法
公开(公告)号：TW202003894A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112292
申请日：2019-04-09
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：松本光二 , MATSUMOTO, KOJI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI , 天野浩 , AMANO, HIROSHI , 本田善央 , HONDA, YOSHIO
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/323
摘要：在Si基板上經由AlN緩衝層生長III族氮化物半導體層之際，抑制III族原料擴散至Si基板中。根據本發明的III族氮化物半導體基板的製造方法，包括爐內形成AlN塗膜的步驟(S12)、投入Si基板至AlN塗膜覆蓋的爐內在上述Si基板上形成AlN緩衝層的步驟(S13、S14A、S14B)以及在AlN緩衝層上形成III族氮化物半導體層的步驟(S15)。
简体摘要：在Si基板上经由AlN缓冲层生长III族氮化物半导体层之际，抑制III族原料扩散至Si基板中。根据本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法，包括炉内形成AlN涂膜的步骤(S12)、投入Si基板至AlN涂膜覆盖的炉内在上述Si基板上形成AlN缓冲层的步骤(S13、S14A、S14B)以及在AlN缓冲层上形成III族氮化物半导体层的步骤(S15)。

2. 发明专利

TWI625808B 磊晶矽晶圓之品質評價方法以及製造方法有权
简体标题：磊晶硅晶圆之品质评价方法以及制造方法
公开(公告)号：TWI625808B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105128873
申请日：2016-09-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：楢原和宏 , NARAHARA, KAZUHIRO , 中村郁浩 , NAKAMURA, IKUHIRO , 武富太志 , TAKEDOMI, FUTOSHI
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205 , C30B29/06 , C30B25/16

3. 发明专利

TW201612349A 用於靜態陣列沉積製程之閉迴路沈積控制的處理大面積基板的裝置及方法审中-公开
简体标题：用于静态数组沉积制程之闭回路沉积控制的处理大面积基板的设备及方法
公开(公告)号：TW201612349A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104118743
申请日：2015-06-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克隆佩安德率斯
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/52 , C23C14/54 , C23C14/56 , C30B25/16
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/547 , C23C14/566 , H01L21/67253 , H01L21/6776
摘要：描述一種用於測量沉積在一大面積的基板上的一材料層的性質的裝置。裝置包括一控制器；一基板傳送配置，此基板傳送配置與控制器溝通以決定基板的位置及／或速度；至少三個源之一陣列，至少三個源之此陣列係被設置以沉積一第一材料層於基板的表面上，其中至少三個源之此陣列與控制器溝通，其中控制器係被設置以控制第一材料層的沉積；以及一測量單元，係被設置與控制器溝通，以當基板被基板傳送配置沿著測量單元移動時，允許在基板上方的第一材料層的性質的測量；其中控制器係被設置以使第一材料層的性質的測量與指示沿著基板傳送配置的基板的位置及／或速度的訊號相關。
简体摘要：描述一种用于测量沉积在一大面积的基板上的一材料层的性质的设备。设备包括一控制器；一基板发送配置，此基板发送配置与控制器沟通以决定基板的位置及／或速度；至少三个源之一数组，至少三个源之此数组系被设置以沉积一第一材料层于基板的表面上，其中至少三个源之此数组与控制器沟通，其中控制器系被设置以控制第一材料层的沉积；以及一测量单元，系被设置与控制器沟通，以当基板被基板发送配置沿着测量单元移动时，允许在基板上方的第一材料层的性质的测量；其中控制器系被设置以使第一材料层的性质的测量与指示沿着基板发送配置的基板的位置及／或速度的信号相关。

4. 发明专利

TW201500604A 半極性ＩＩＩ氮化物膜及製造該膜之材料及方法审中-公开
简体标题：半极性ＩＩＩ氮化物膜及制造该膜之材料及方法
公开(公告)号：TW201500604A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103114556
申请日：2014-04-22
申请人：傲思丹度科技公司 , OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：蘇克維夫維特利 , SOUKHOVEEV, VITALI , 伊凡索夫維拉迪姆 , IVANTSOV, VLADIMIR , 哈斯寇班傑明A , HASKELL, BENJAMIN A. , 艾爾葛洛力哈森S , EL-GHOROURY, HUSSEIN S. , 瑟金亞歷山大 , SYRKIN, ALEXANDER
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02381 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/2003
摘要：本發明已研發克服先前技術中在半極性III族氮化物模板、膜及材料之性質及製造方面之缺陷之方法。本發明已研發提供奈米規模週期性結構之受控生長之氫化物氣相磊晶之新穎變化形式。該生長方法已用於生長不同組成之交替AlGaN層之多週期堆疊。將該等週期性結構施加至半極性III氮化物產生該材料之優良結構及形態性質，包括降低之貫穿式差排密度及在所生長材料之自由表面處之表面粗糙度。該等增強使得能夠製造優良品質之半極性III氮化物電子及光電子裝置，包括(但不限於)電晶體、發光二極體及雷射二極體。
简体摘要：本发明已研发克服先前技术中在半极性III族氮化物模板、膜及材料之性质及制造方面之缺陷之方法。本发明已研发提供奈米规模周期性结构之受控生长之氢化物气相磊晶之新颖变化形式。该生长方法已用于生长不同组成之交替AlGaN层之多周期堆栈。将该等周期性结构施加至半极性III氮化物产生该材料之优良结构及形态性质，包括降低之贯穿式差排密度及在所生长材料之自由表面处之表面粗糙度。该等增强使得能够制造优良品质之半极性III氮化物电子及光电子设备，包括(但不限于)晶体管、发光二极管及激光二极管。

5. 发明专利

TWI408248B ＣＶＤ反應器中基板表面溫度之控溫裝置有权
简体标题：ＣＶＤ反应器中基板表面温度之控温设备
公开(公告)号：TWI408248B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW097121045
申请日：2008-06-06
申请人：愛思強公司 , AIXTRON AG
发明人：華特法蘭肯 , WALTER FRANKEN , 約翰尼斯卡普勒 , JOHANNES KAEPPELER
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/52 , C30B25/16
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4584 , C23C16/52

6. 发明专利

TW201920745A 氣相成長方法审中-公开
简体标题：气相成长方法
公开(公告)号：TW201920745A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130094
申请日：2018-08-29
申请人：日商紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/44 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/205
摘要：本發明是一種氣相成長方法，將基板載置於反應室內設置的旋轉部上，自基板的上方於基板的上表面供給不含原料氣體的第一製程氣體，並且一面以300 rpm以上使基板旋轉，一面使壁面的溫度變動，於使基板的溫度上升後，將基板控制為規定的成膜溫度，自基板的上方於基板的上表面供給包含原料氣體的第二製程氣體而使SiC膜於基板上成長。
简体摘要：本发明是一种气相成长方法，将基板载置于反应室内设置的旋转部上，自基板的上方于基板的上表面供给不含原料气体的第一制程气体，并且一面以300 rpm以上使基板旋转，一面使壁面的温度变动，于使基板的温度上升后，将基板控制为规定的成膜温度，自基板的上方于基板的上表面供给包含原料气体的第二制程气体而使SiC膜于基板上成长。

7. 发明专利

TWI588288B 具有經組態用於以輻射偏轉爲現地量測之沉積腔室之沉積系統及相關方法有权
简体标题：具有经组态用于以辐射偏转为现地量测之沉积腔室之沉积系统及相关方法
公开(公告)号：TWI588288B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102119471
申请日：2013-05-31
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：坎尼塞斯克勞帝歐 , CANIZARES, CLAUDIO , 丁叮 , DING, DING
IPC分类号： C23C16/52 , C30B25/16
CPC分类号： C23C16/48 , C23C16/52 , C30B25/08 , C30B25/16 , Y10T29/49

8. 发明专利

TW201638404A ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半導體晶體之製造方法，Ａ－Ｂ晶體之製造方法，及其單晶體审中-公开
简体标题：ＩＩＩ－Ｖ－，ＩＶ－ＩＶ－或ＩＩ－ＶＩ－化合物半导体晶体之制造方法，Ａ－Ｂ晶体之制造方法，及其单晶体
公开(公告)号：TW201638404A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105108366
申请日：2016-03-18
申请人：富瑞柏格化合材料公司 , FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH
发明人：威納特伯恩特 , WEINERT, BERNDT , 哈貝爾法蘭克 , HABEL, FRANK , 雷畢葛剛那 , LEIBIGER, GUNNAR
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/16 , C30B29/10 , C30B29/40 , C30B29/48 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406
摘要：本發明係關於Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之製造方法。製法開始時，提供基材，視情形具有一晶體層(緩衝層)。隨後，提供氣相，包括化合物半導體元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反應物，於晶體成長反應器內反應溫度時呈氣態，在選定反應器條件時可彼此反應。二反應物之濃度比可調節，使化合物半導體晶體可從氣相結晶，其中可選擇高濃度，供晶體形成，可添加或調節還原劑和共反應物，降低氣相內Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶體成長率比無共反應物時之狀態為低。於是，化合物半導體晶體澱積在基材表面，同時可在成長中晶體上形成液相。又，可添加輔助物質，亦可包含在液相內，但只有少量加入到化合物半導體晶體內。於此，3D-和2D-成長模態可以標定方式控制。添加輔助物質和液相存在，有利於此等手段。生成物分別為Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半導體晶體之單晶體，分別與習知化合物半導體晶體相較，其內含物或沉澱物之濃度較低，同時並無或只有很輕微曲率。
简体摘要：本发明系关于Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之制造方法。制法开始时，提供基材，视情形具有一晶体层(缓冲层)。随后，提供气相，包括化合物半导体元素(Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ,V,Ⅵ)至少二反应物，于晶体成长反应器内反应温度时呈气态，在选定反应器条件时可彼此反应。二反应物之浓度比可调节，使化合物半导体晶体可从气相结晶，其中可选择高浓度，供晶体形成，可添加或调节还原剂和共反应物，降低气相内Ⅲ-,Ⅳ-或Ⅱ-化合物之活性，使晶体成长率比无共反应物时之状态为低。于是，化合物半导体晶体淀积在基材表面，同时可在成长中晶体上形成液相。又，可添加辅助物质，亦可包含在液相内，但只有少量加入到化合物半导体晶体内。于此，3D-和2D-成长模态可以标定方式控制。添加辅助物质和液相存在，有利于此等手段。生成物分别为Ⅲ-V-,Ⅳ-Ⅳ-或Ⅱ-Ⅵ-化合物半导体晶体之单晶体，分别与习知化合物半导体晶体相较，其内含物或沉淀物之浓度较低，同时并无或只有很轻微曲率。

9. 发明专利

TWI445949B 藉由觀察晶圓上之磊晶層的生長而形成磊晶層於晶圓上之方法和生長磊晶層於晶圓上之設備有权
简体标题：借由观察晶圆上之磊晶层的生长而形成磊晶层于晶圆上之方法和生长磊晶层于晶圆上之设备
公开(公告)号：TWI445949B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW096140079
申请日：2007-10-25
申请人：雷森公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：威廉賀克 , HOKE, WILLIAM E. , 希歐多爾甘迺迪 , KENNEDY, THEODORE D.
IPC分类号： G01N21/95 , C30B23/02 , C30B25/16
CPC分类号： G01N21/9501 , C30B23/02 , C30B35/00 , G01N21/4738 , G01N21/8422 , G01N21/951 , G01N2021/8416 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012

10. 发明专利

TW201410916A 具有經組態用於以輻射偏轉爲現地量測之沉積腔室之沉積系統及相關方法审中-公开
简体标题：具有经组态用于以辐射偏转为现地量测之沉积腔室之沉积系统及相关方法
公开(公告)号：TW201410916A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102119471
申请日：2013-05-31
申请人：梭意泰科公司 , SOITEC
发明人：坎尼塞斯克勞帝歐 , CANIZARES, CLAUDIO , 丁叮 , DING, DING
IPC分类号： C23C16/52 , C30B25/16
CPC分类号： C23C16/48 , C23C16/52 , C30B25/08 , C30B25/16 , Y10T29/49
摘要：一種用於與沉積系統一起使用之沉積腔室，其包含包括一透明材料之一腔室壁。該腔室壁可包含：一外部量測窗表面，其自該壁之一外部主表面延伸且至少部分地外接於該外部主表面；及一內部量測窗表面，其自該壁之一內部主表面延伸且至少部分地外接於該主表面。該等窗表面可定向成與該等主表面成若干角度。沉積系統包含此等腔室。方法包含此等沉積腔室之形成。該等沉積系統及腔室可用於執行現地量測。
简体摘要：一种用于与沉积系统一起使用之沉积腔室，其包含包括一透明材料之一腔室壁。该腔室壁可包含：一外部量测窗表面，其自该壁之一外部主表面延伸且至少部分地外置于该外部主表面；及一内部量测窗表面，其自该壁之一内部主表面延伸且至少部分地外置于该主表面。该等窗表面可定向成与该等主表面成若干角度。沉积系统包含此等腔室。方法包含此等沉积腔室之形成。该等沉积系统及腔室可用于运行现地量测。

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