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1. 发明专利

TWI686502B 用於磊晶生長裝置的腔室部件（二）有权
简体标题：用于磊晶生长设备的腔室部件（二）
公开(公告)号：TWI686502B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105109498
申请日：2016-03-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205

2. 发明专利

TWI635200B 一種磊晶設備、設備製作方法及磊晶方法有权
简体标题：一种磊晶设备、设备制作方法及磊晶方法
公开(公告)号：TWI635200B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW105143428
申请日：2016-12-27
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：劉源 , LIU, YUAN , 邦凡蒂保羅 , BONFANTI, PAOLO
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/08

3. 发明专利

TW201700774A 用於磊晶生長裝置的腔室部件（二）审中-公开
简体标题：用于磊晶生长设备的腔室部件（二）
公开(公告)号：TW201700774A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105109498
申请日：2016-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/12 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/45587 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/06 , F24C15/10 , H01L21/02532 , H01L21/68785
摘要：公開了用於磊晶生長裝置的腔室部件。反應腔室由頂板材來界定和形成。反應氣體在側壁中所設置的反應氣體供應路徑中整流，使得在所述反應腔室中的所述反應氣體的流動方向上的水準分量對應於從所述反應氣體供應路徑的開口的中心延伸的方向上的水準分量。對所述磊晶生長裝置的上側壁、基座和整流板材的改進已使得提高了基材上形成的磊晶層的均勻性和形成速度，從而使得產量更高並且缺陷更少。
简体摘要：公开了用于磊晶生长设备的腔室部件。反应腔室由顶板材来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水准分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水准分量。对所述磊晶生长设备的上侧壁、基座和整流板材的改进已使得提高了基材上形成的磊晶层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。

4. 发明专利

TW201544622A 具有注入組件的上部圓頂审中-公开
简体标题：具有注入组件的上部圆顶
公开(公告)号：TW201544622A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104103
申请日：2015-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 麥克詹姆士法西斯 , MACK, JAMES FRANCIS , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 山契斯艾羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M.
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/08 , C30B25/10 , H01L21/67115
摘要：在此所提供的實施例一般關於用於將氣體傳送至半導體處理腔室的裝置。磊晶半導體處理腔室的上部石英圓頂具有複數個被形成於其內的孔洞且前驅物氣體通過上部圓頂的孔洞而被提供進入處理腔室的處理容積。氣體傳送管件從圓頂內的孔洞延伸至凸緣板，在凸緣板中管件耦接於氣體傳送線。氣體傳送裝置致使氣體能夠通過石英上部圓頂而被傳送至基板上方的處理容積。
简体摘要：在此所提供的实施例一般关于用于将气体发送至半导体处理腔室的设备。磊晶半导体处理腔室的上部石英圆顶具有复数个被形成于其内的孔洞且前驱物气体通过上部圆顶的孔洞而被提供进入处理腔室的处理容积。气体发送管件从圆顶内的孔洞延伸至凸缘板，在凸缘板中管件耦接于气体发送线。气体发送设备致使气体能够通过石英上部圆顶而被发送至基板上方的处理容积。

5. 发明专利

TWI482205B 具圓柱形進氣機構之ＭＯＣＶＤ反應器有权
简体标题：具圆柱形进气机构之ＭＯＣＶＤ反应器
公开(公告)号：TWI482205B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW098143082
申请日：2009-12-16
申请人：愛思強公司 , AIXTRON AG
发明人：布雷恩丹尼爾 , BRIEN, DANIEL , 施昂奧利佛
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45508 , C23C16/4558 , C30B25/14 , C30B29/40

6. 发明专利

TWI424084B 高溫原子層沈積注入岐管有权
简体标题：高温原子层沉积注入岐管
公开(公告)号：TWI424084B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW096102030
申请日：2007-01-19
申请人： ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
发明人：普羅文撤提莫西J. , PROVENCHER, TIMOTHY J. , 希克森克魯閣B. , HICKSON, CRAIG B.
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/10
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/45536 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , F16K27/003 , F16K51/02 , Y10T137/87684

7. 发明专利

TW201303972A 反應室開放方法及氣相成長裝置审中-公开
简体标题：反应室开放方法及气相成长设备
公开(公告)号：TW201303972A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101116557
申请日：2012-05-09
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：兒玉正明 , KODAMA, MASAAKI , 岡田俊範 , OKADA, TOSHINORI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/4409 , H01L21/6719
摘要：本發明提供一種抑制微粒之產生及擴散而開放反應室之反應室開放方法、及氣相成長裝置。本發明之反應室開放方法係向反應室(101)導入氣體而使其升壓，於反應室(101)與作業室(102)之壓力差變為特定值以下時打開排出閥(112b)與均壓閥(107b)，一面自反應室(101)排出氣體一面經由均壓路徑(107a)使反應室(101)與作業室(102)連通，於使反應室(101)與作業室(102)之壓力相等之後開放反應室(101)。
简体摘要：本发明提供一种抑制微粒之产生及扩散而开放反应室之反应室开放方法、及气相成长设备。本发明之反应室开放方法系向反应室(101)导入气体而使其升压，于反应室(101)与作业室(102)之压力差变为特定值以下时打开排出阀(112b)与均压阀(107b)，一面自反应室(101)排出气体一面经由均压路径(107a)使反应室(101)与作业室(102)连通，于使反应室(101)与作业室(102)之压力相等之后开放反应室(101)。

8. 发明专利

TW202003894A III族氮化物半導體基板的製造方法审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体基板的制造方法
公开(公告)号：TW202003894A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108112292
申请日：2019-04-09
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：松本光二 , MATSUMOTO, KOJI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI , 天野浩 , AMANO, HIROSHI , 本田善央 , HONDA, YOSHIO
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01S5/323
摘要：在Si基板上經由AlN緩衝層生長III族氮化物半導體層之際，抑制III族原料擴散至Si基板中。根據本發明的III族氮化物半導體基板的製造方法，包括爐內形成AlN塗膜的步驟(S12)、投入Si基板至AlN塗膜覆蓋的爐內在上述Si基板上形成AlN緩衝層的步驟(S13、S14A、S14B)以及在AlN緩衝層上形成III族氮化物半導體層的步驟(S15)。
简体摘要：在Si基板上经由AlN缓冲层生长III族氮化物半导体层之际，抑制III族原料扩散至Si基板中。根据本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法，包括炉内形成AlN涂膜的步骤(S12)、投入Si基板至AlN涂膜覆盖的炉内在上述Si基板上形成AlN缓冲层的步骤(S13、S14A、S14B)以及在AlN缓冲层上形成III族氮化物半导体层的步骤(S15)。

10. 发明专利

TW201910548A 氣相生長裝置及氣相生長方法审中-公开
简体标题：气相生长设备及气相生长方法
公开(公告)号：TW201910548A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW106133460
申请日：2017-09-28
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/14 , H01L21/205
摘要：本發明提供了一種氣相生長裝置及氣相生長方法，所述氣相生長裝置內部包括用於載置一基底(例如矽晶片)的承受器，承受器底部具有多個頂杆孔，另外所述氣相生長裝置還包括可沿所述頂杆孔升降的多個頂杆，頂杆中形成有用於通入吹掃氣體的空心通道，此外，所述氣相生長裝置還包括用於通入製程氣體的第一進氣口以及用於通入吹掃氣體的第二進氣口。在氣相生長過程中，所述空心通道與頂杆孔互相連通，向所述頂杆內的空心通道通入一吹掃氣體，吹掃氣體對頂杆孔附近的其他氣體例如製程氣體具有阻擋作用，因而減少或避免了製程氣體從頂杆孔與頂杆之間的間隙到達所述基底的背面，可以提高氣相生長所得到的例如磊晶晶片的平坦度。
简体摘要：本发明提供了一种气相生长设备及气相生长方法，所述气相生长设备内部包括用于载置一基底(例如硅芯片)的承受器，承受器底部具有多个顶杆孔，另外所述气相生长设备还包括可沿所述顶杆孔升降的多个顶杆，顶杆中形成有用于通入吹扫气体的空心信道，此外，所述气相生长设备还包括用于通入制程气体的第一进气口以及用于通入吹扫气体的第二进气口。在气相生长过程中，所述空心信道与顶杆孔互相连通，向所述顶杆内的空心信道通入一吹扫气体，吹扫气体对顶杆孔附近的其他气体例如制程气体具有阻挡作用，因而减少或避免了制程气体从顶杆孔与顶杆之间的间隙到达所述基底的背面，可以提高气相生长所得到的例如磊晶芯片的平坦度。

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