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51. 发明专利

TW200524185A 製造半導體晶片的方法以及半導體晶片 METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR CHIP AND SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：制造半导体芯片的方法以及半导体芯片 METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR CHIP AND SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW200524185A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093137289
申请日：2004-12-03
申请人：昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K.
发明人：楠木克輝 KUSUNOKI, KATSUKI
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L31/0304 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01S5/0201 , H01S5/0213 , H01S5/32341
摘要：一種從具有層疊在基板(1)主要表面上之氮化鎵化合物半導體層(2, 3)的晶圓，製造氮化鎵化合物半導體晶片之方法，包含下列步驟：藉由對晶圓的氮化鎵化合物半導體層(2, 3)側之蝕刻，線性形成期望晶片形狀的第一凹槽(11)之步驟；在第一凹槽中線之非一致的位置，在晶圓的基板(1)側上，形成具有線寬(W2)的第二凹槽(22)之步驟，其中線寬(W2)接近等於或小於第一凹槽的線寬(W1)；及沿著第一和第二凹槽分割晶圓之步驟。因此，該方法允許以非常高的良率精確地切割晶圓，結果，一片晶圓可產出的晶片數將會增加，而生產力也會提升。
简体摘要：一种从具有层叠在基板(1)主要表面上之氮化镓化合物半导体层(2, 3)的晶圆，制造氮化镓化合物半导体芯片之方法，包含下列步骤：借由对晶圆的氮化镓化合物半导体层(2, 3)侧之蚀刻，线性形成期望芯片形状的第一凹槽(11)之步骤；在第一凹槽中线之非一致的位置，在晶圆的基板(1)侧上，形成具有线宽(W2)的第二凹槽(22)之步骤，其中线宽(W2)接近等于或小于第一凹槽的线宽(W1)；及沿着第一和第二凹槽分割晶圆之步骤。因此，该方法允许以非常高的良率精确地切割晶圆，结果，一片晶圆可产出的芯片数将会增加，而生产力也会提升。

52. 发明专利

TW201733148A 接收器模組审中-公开
简体标题：接收器模块
公开(公告)号：TW201733148A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104019
申请日：2017-02-08
申请人：艾澤太空太陽能公司 , AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH
发明人：瓦奇特克萊門 , WACHTER, CLEMENS , 福爾曼丹尼爾 , FUHRMANN, DANIEL , 古特沃夫岡 , GUTER, WOLFGANG , 派普克里斯多夫 , PEPER, CHRISTOPH
IPC分类号： H01L31/167 , H01L27/144 , G02B6/42
CPC分类号： H01L31/167 , H01L27/142 , H01L31/0304 , Y02E10/544
摘要：一種接收器模組(EM)，具有N個彼此串聯的構建為半導體二極體之分壓源，使得該等N個分壓源產生一源電壓，以及，該等分壓源中之每一者皆具有一包含p-n接面的半導體二極體(D1, D2, D3, D4, D5)，以及，該半導體二極體(D1, D2, D3, D4, D5)具有p型摻雜吸收層，其中該p型吸收層被具有較該p型吸收層的帶隙更大之帶隙的p型摻雜鈍化層鈍化，以及該半導體二極體(D1, D2, D3, D4, D5)具有n型摻雜吸收層，其中該n型吸收層被具有較該n型吸收層的帶隙更大之帶隙的n型摻雜鈍化層鈍化，以及，各分壓源之分源電壓彼此間的偏差小於20%，以及，在每兩個接連的分壓源之間構建有一穿隧二極體(T1, T2; T3, T4)，其中該等分壓源及該等穿隧二極體(T1, T2, T3, T4)共同單塊積體，並且共同形成具有頂面及底面之第一疊堆(ST1)，以及，該等分壓源之數目N大於等於二，以及，在該第一疊堆(ST1)上，光(L)在該頂面上入射至該第一疊堆(ST1)之表面(OB)，以及，該第一疊堆(ST1)在該表面(OB)上具有第一電接點，在該底面上具有第二電接點，以及，該第一疊堆(ST1)之總厚度小於12 μm，以及，該疊堆佈置在半導體基板上，以及，該半導體基板與該疊堆及電晶體單塊連接，其中該電晶體之控制輸入端與該二電接點中之一者連接。
简体摘要：一种接收器模块(EM)，具有N个彼此串联的构建为半导体二极管之分压源，使得该等N个分压源产生一源电压，以及，该等分压源中之每一者皆具有一包含p-n接面的半导体二极管(D1, D2, D3, D4, D5)，以及，该半导体二极管(D1, D2, D3, D4, D5)具有p型掺杂吸收层，其中该p型吸收层被具有较该p型吸收层的带隙更大之带隙的p型掺杂钝化层钝化，以及该半导体二极管(D1, D2, D3, D4, D5)具有n型掺杂吸收层，其中该n型吸收层被具有较该n型吸收层的带隙更大之带隙的n型掺杂钝化层钝化，以及，各分压源之分源电压彼此间的偏差小于20%，以及，在每两个接连的分压源之间构建有一穿隧二极管(T1, T2; T3, T4)，其中该等分压源及该等穿隧二极管(T1, T2, T3, T4)共同单块积体，并且共同形成具有顶面及底面之第一叠堆(ST1)，以及，该等分压源之数目N大于等于二，以及，在该第一叠堆(ST1)上，光(L)在该顶面上入射至该第一叠堆(ST1)之表面(OB)，以及，该第一叠堆(ST1)在该表面(OB)上具有第一电接点，在该底面上具有第二电接点，以及，该第一叠堆(ST1)之总厚度小于12 μm，以及，该叠堆布置在半导体基板上，以及，该半导体基板与该叠堆及晶体管单块连接，其中该晶体管之控制输入端与该二电接点中之一者连接。

53. 发明专利

TW201721232A 使用整合在３Ｄ封裝中的單色ＣＭＯＳ影像感測器的高解析度彩色視頻审中-公开
简体标题：使用集成在３Ｄ封装中的单色ＣＭＯＳ影像传感器的高分辨率彩色视频
公开(公告)号：TW201721232A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105131618
申请日：2016-09-30
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：沈虹 , SHEN, HONG , 王亮 , WANG, LIANG , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 西塔朗亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： G02B27/01 , G06T1/20 , H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/33 , H04N5/374 , H04N9/04 , H04N9/097 , H04N9/43 , H04N9/76
CPC分类号： H04N9/43 , G02B27/1013 , G06T1/20 , H01L27/1462 , H01L27/14634 , H01L27/14645 , H01L27/1465 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L31/02322 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H04N5/332 , H04N5/374 , H04N9/045 , H04N9/097 , H04N9/76
摘要：本發明提供使用整合在3D封裝中的單色CMOS影像感測器的HD彩色視頻。用於彩色視頻的範例3DIC包括分束器，以將接收到的影像流的光分成多個光輸出。多個單色CMOS影像感測器是每一者被耦合至多個光輸出中的一者，以用接收到的光的各自成分波長感測單色影像流。每一個單色CMOS影像感測器是被特別地建構、摻雜、控制以及調整以符合其各自波長的光。平行處理的積分器或中介件晶片將各自的單色影像流非均勻地合併成全頻譜彩色視頻流，包括紅外線或紫外線流的平行處理。單色影像流的平行處理提供在低光位準下HD或4K HD彩色視頻的重建。一個中介件晶片的平行處理亦提升速度、空間分辨率、感測性、低光效能和色彩重建。
简体摘要：本发明提供使用集成在3D封装中的单色CMOS影像传感器的HD彩色视频。用于彩色视频的范例3DIC包括分束器，以将接收到的影像流的光分成多个光输出。多个单色CMOS影像传感器是每一者被耦合至多个光输出中的一者，以用接收到的光的各自成分波长传感单色影像流。每一个单色CMOS影像传感器是被特别地建构、掺杂、控制以及调整以符合其各自波长的光。平行处理的积分器或中介件芯片将各自的单色影像流非均匀地合并成全频谱彩色视频流，包括红外线或紫外线流的平行处理。单色影像流的平行处理提供在低光位准下HD或4K HD彩色视频的重建。一个中介件芯片的平行处理亦提升速度、空间分辨率、传感性、低光性能和色彩重建。

54. 发明专利

TWI499074B 氮化鎵系半導體元件、使用其之光學裝置及使用其之圖像顯示裝置有权
简体标题：氮化镓系半导体组件、使用其之光学设备及使用其之图像显示设备
公开(公告)号：TWI499074B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW097120325
申请日：2008-05-30
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：琵琶剛志 , BIWA, GOSHI , 西中逸平 , NISHINAKA, IPPEI , 奧山浩之 , OKUYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/1446 , H01L27/156 , H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L2224/0603

55. 发明专利

TW201342647A 具有脈衝摻雜層的太陽能電池审中-公开
简体标题：具有脉冲掺杂层的太阳能电池
公开(公告)号：TW201342647A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102105654
申请日：2013-02-19
申请人：波音公司 , THE BOEING COMPANY
发明人：劉興權 , LIU, XING-QUAN , 費策克里斯多福M , FETZER, CHRISTOPHER M. , 羅丹尼爾C , LAW, DANIEL C.
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1844 , H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0735 , Y02E10/544
摘要：一種太陽能電池係包含一基極區域、一背面電場層以及一設置在該基極區域與該背面電場層之間的脈衝摻雜層。
简体摘要：一种太阳能电池系包含一基极区域、一背面电场层以及一设置在该基极区域与该背面电场层之间的脉冲掺杂层。

56. 发明专利

TW201246583A 用於砷化鎵光伏器件之自-旁路二極體功能 SELF-BYPASS DIODE FUNCTION FOR GALLIUM ARSENIDE PHOTOVOLTAIC DEVICES 审中-公开
简体标题：用于砷化镓光伏器件之自-旁路二极管功能 SELF-BYPASS DIODE FUNCTION FOR GALLIUM ARSENIDE PHOTOVOLTAIC DEVICES
公开(公告)号：TW201246583A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101104046
申请日：2012-02-08
申请人：奧塔裝置股份有限公司
发明人：聶輝 , 卡耶斯布蘭登M , 基吉爾耶里伊席克C
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L27/142 , H01L31/0304 , H01L31/0443 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本發明之實施例通常系有關於光伏器件。在一個實施例中，形成砷化鎵基光伏器件之方法包括：提供一半導體結構，該結構包括包含砷化鎵之一吸收層。提供在半導體結構之一p-n接面中之旁路功能，其中在反向偏壓條件下p-n接面以受控方式通過齊納擊穿效應擊穿。
简体摘要：本发明之实施例通常系有关于光伏器件。在一个实施例中，形成砷化镓基光伏器件之方法包括：提供一半导体结构，该结构包括包含砷化镓之一吸收层。提供在半导体结构之一p-n接面中之旁路功能，其中在反向偏压条件下p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

57. 发明专利

TW201218399A 交流偏壓熱載流子太陽能電池 ALTERNATING BIAS HOT CARRIER SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：交流偏压热载流子太阳能电池 ALTERNATING BIAS HOT CARRIER SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201218399A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100124328
申请日：2011-07-08
申请人：傲思丹度科技公司
发明人：艾爾葛洛力哈森S , 麥克尼爾戴爾A , 剛瑟賽林E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02S40/34 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L31/02008 , H01L31/02021 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/035209 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0693 , H01L31/073 , H01L31/0735 , H01L31/0749 , H02S40/32 , Y02E10/541 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/755 , Y10S977/774 , Y10S977/948
摘要：本發明描述極高效率太陽能電池之設計。一新穎交流偏壓方案藉由使得能夠提取熱載流子而增强高於電池能帶隙之光伏打電力提取能力。當此交流偏壓方案應用於習知太陽能電池中時,此交流偏壓方案具有大於其所產生之淨效率兩倍的潛力。當該所描述之交流偏壓方案與併有基於量子井(QW)或量子點(QD)的太陽能電池之太陽能電池結合應用時,該所描述之交流偏壓方案具有擴展此太陽能電池電力提取覆蓋範圍(可能跨越整個太陽光譜),從而實現空前的太陽能提取效率之潛力。在此等電池內,一新穎交流偏壓方案擴展高於該電池材料能帶隙之電池能量轉換能力,而量子限制結構用以擴展低於該電池能帶隙之該電池能量轉換能力。光限制空腔併入於電池結構中以便允許吸收電池內部之光發射,從而進一步增强電池效率。
简体摘要：本发明描述极高效率太阳能电池之设计。一新颖交流偏压方案借由使得能够提取热载流子而增强高于电池能带隙之光伏打电力提取能力。当此交流偏压方案应用于习知太阳能电池中时,此交流偏压方案具有大于其所产生之净效率两倍的潜力。当该所描述之交流偏压方案与并有基于量子井(QW)或量子点(QD)的太阳能电池之太阳能电池结合应用时,该所描述之交流偏压方案具有扩展此太阳能电池电力提取覆盖范围(可能跨越整个太阳光谱),从而实现空前的太阳能提取效率之潜力。在此等电池内,一新颖交流偏压方案扩展高于该电池材料能带隙之电池能量转换能力,而量子限制结构用以扩展低于该电池能带隙之该电池能量转换能力。光限制空腔并入于电池结构中以便允许吸收电池内部之光发射,从而进一步增强电池效率。

58. 发明专利

TW201205646A 半導體膜的製造方法，半導體裝置的製造方法，和光電轉換裝置的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体膜的制造方法，半导体设备的制造方法，和光电转换设备的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
公开(公告)号：TW201205646A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122000
申请日：2011-06-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：田中哲弘 , 加藤繪里香
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/20 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L31/0304 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/0376 , H01L31/03762 , H01L31/03765 , H01L31/072 , H01L31/0735 , H01L31/105 , H01L31/1136 , H01L31/1808 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1852 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明的一個實施例是提供一種形成電阻率低的包含雜質元素的非晶半導體的方法。此外,本發明的一個實施例是提供一種高良率地製造電特性良好的半導體裝置的方法。在藉由電漿CVD法形成包含雜質元素的非晶半導體的方法中,在根據帕邢定律(Paschen's Law)滿足最小放電開始電壓的壓力及電極間隔的條件下,將脈衝調變過的放電開始電壓施加到電極以形成電阻率低的包含雜質元素的非晶半導體。
简体摘要：本发明的一个实施例是提供一种形成电阻率低的包含杂质元素的非晶半导体的方法。此外,本发明的一个实施例是提供一种高良率地制造电特性良好的半导体设备的方法。在借由等离子CVD法形成包含杂质元素的非晶半导体的方法中,在根据帕邢定律(Paschen's Law)满足最小放电开始电压的压力及电极间隔的条件下,将脉冲调制过的放电开始电压施加到电极以形成电阻率低的包含杂质元素的非晶半导体。

59. 发明专利

TW201119047A 具特定結構之金屬背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR 审中-公开
简体标题：具特定结构之金属背反射物 TEXTURED METALLIC BACK REFLECTOR
公开(公告)号：TW201119047A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099135011
申请日：2010-10-14
申请人：奧塔裝置公司
发明人：艾華特哈利 , 卡葉斯布登 , 凱西亞里伊斯克C , 尼爾惠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/18 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要：本發明之實施例大體上係關於使用為太陽能裝置或其他電子裝置之薄膜裝置之製造,以及包含使用於太陽能設備之具特定結構之背反射物。於一個實施例中,一種用來形成具特定結構之金屬背反射物之方法,該方法包含沉積金屬層於薄膜堆疊內之砷化鎵材料上;於退火製程期間從該金屬層形成金屬島之陣列;從該砷化鎵材料去除或蝕刻材料以在該等金屬島之間形成孔隙;以及,沉積金屬反射物層以填滿該等孔隙並且覆蓋該等金屬島。於另一個實施例中,一種具特定結構之金屬背反射物包含金屬島之陣列,係配置在砷化鎵材料上之;複數個孔隙,係配置在該等金屬島之間並且延伸入該砷化鎵材料;金屬反射物層,係配置在該等金屬島之上;以及,複數個反射物突起部,係形成於該等金屬島之間並且從該金屬反射物層延伸且進入形成在該砷化鎵材料中之該等孔隙。
简体摘要：本发明之实施例大体上系关于使用为太阳能设备或其他电子设备之薄膜设备之制造,以及包含使用于太阳能设备之具特定结构之背反射物。于一个实施例中,一种用来形成具特定结构之金属背反射物之方法,该方法包含沉积金属层于薄膜堆栈内之砷化镓材料上;于退火制程期间从该金属层形成金属岛之数组;从该砷化镓材料去除或蚀刻材料以在该等金属岛之间形成孔隙;以及,沉积金属反射物层以填满该等孔隙并且覆盖该等金属岛。于另一个实施例中,一种具特定结构之金属背反射物包含金属岛之数组,系配置在砷化镓材料上之;复数个孔隙,系配置在该等金属岛之间并且延伸入该砷化镓材料;金属反射物层,系配置在该等金属岛之上;以及,复数个反射物突起部,系形成于该等金属岛之间并且从该金属反射物层延伸且进入形成在该砷化镓材料中之该等孔隙。

60. 发明专利

TW201108410A 半導體基板、電子裝置、半導體基板之製造方法，及電子裝置之製造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MAKING AN ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体基板、电子设备、半导体基板之制造方法，及电子设备之制造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE, METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MAKING AN ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW201108410A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099116246
申请日：2010-05-21
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：山中貞則 , 秦雅彥 , 福原昇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/66318 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/0312 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種半導體基板、電子裝置、半導體基板之製造方法及電子裝置之製造方法,而該半導體基板係具備:具有在矽導入雜質原子之雜質區域之基底基板;與雜質區域相接而設置之複數個晶種體;以及與複數個晶種體之各個相接而設置且分別與複數個晶種體之各個進行晶格匹配或準晶格(quasi-lattice)匹配之複數個化合物半導體。該半導體基板亦可以還具備:設置在基底基板上且設置有露出雜質區域之至少一部分之複數個開口的阻礙體。
简体摘要：本发明系关于一种半导体基板、电子设备、半导体基板之制造方法及电子设备之制造方法,而该半导体基板系具备:具有在硅导入杂质原子之杂质区域之基底基板;与杂质区域相接而设置之复数个晶种体;以及与复数个晶种体之各个相接而设置且分别与复数个晶种体之各个进行晶格匹配或准晶格(quasi-lattice)匹配之复数个化合物半导体。该半导体基板亦可以还具备:设置在基底基板上且设置有露出杂质区域之至少一部分之复数个开口的阻碍体。

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