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1. 发明专利

TW201806172A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201806172A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106112850
申请日：2017-04-18
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：宇佐美達矢 , USAMI, TATSUYA
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/10 , H01L31/18 , G02B6/12
CPC分类号： H01L31/03529 , G02B6/00 , G02B6/12004 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/105 , H01L31/109 , H01L31/1804 , H01L31/1808
摘要：本發明之目的係在包含受光元件之半導體裝置中，同時使製造成本降低及使受光元件之光學性能提高。例如，藉由連續之選擇磊晶成長法形成構成Ge光二極體之構造體的p型鍺層PGL、本質鍺層IGL及n型鍺層NGL。在SOI基板IS之矽層SL上形成具有開口部OP之絕緣膜IF，且以由開口部OP之內部突出至絕緣膜IF上方之方式形成本質鍺層IGL。即，利用形成開口部OP之絕緣膜IF，使本質鍺層IGL之截面形狀呈蕈形狀。
简体摘要：本发明之目的系在包含受光组件之半导体设备中，同时使制造成本降低及使受光组件之光学性能提高。例如，借由连续之选择磊晶成长法形成构成Ge光二极管之构造体的p型锗层PGL、本质锗层IGL及n型锗层NGL。在SOI基板IS之硅层SL上形成具有开口部OP之绝缘膜IF，且以由开口部OP之内部突出至绝缘膜IF上方之方式形成本质锗层IGL。即，利用形成开口部OP之绝缘膜IF，使本质锗层IGL之截面形状呈蕈形状。

2. 发明专利

TWI568001B 鍺光偵測器有权
简体标题：锗光侦测器
公开(公告)号：TWI568001B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104129493
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：艾薩發索羅門 , ASSEFA, SOLOMON , 金知煥 , KIM, JEEHWAN , 朴鎮宏 , PARK, JIN-HONG , 維拉索夫尤利A , VLASOV, YURII A.
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L31/1085 , Y02E10/50

3. 发明专利

TW201633517A 光吸收裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：光吸收设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201633517A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104137635
申请日：2015-11-13
申请人：光澄科技股份有限公司 , ARTILUX INC.
发明人：鄭斯璘 , CHENG, SZU-LIN , 劉漢鼎 , LIU, HAN-DIN , 陳書履 , CHEN, SHU-LU
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/1469 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/1808 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種光吸收裝置，包含：一基底；一光吸收層，位在該基底之一第一區域上；一含有矽之覆蓋層，位於該光吸收層之上；一側護壁，覆蓋在該光吸收層之側壁上；一絕緣層，覆蓋在該側護壁上；其中該光吸收裝置具有高頻寬及低暗電流。
简体摘要：一种光吸收设备，包含：一基底；一光吸收层，位在该基底之一第一区域上；一含有硅之覆盖层，位于该光吸收层之上；一侧护壁，覆盖在该光吸收层之侧壁上；一绝缘层，覆盖在该侧护壁上；其中该光吸收设备具有高带宽及低暗电流。

4. 发明专利

TW201709546A 光偵測器之方法及光偵測器之結構审中-公开
简体标题：光侦测器之方法及光侦测器之结构
公开(公告)号：TW201709546A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105112917
申请日：2016-04-26
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：艾利斯蒙納翰約翰J , ELLIS-MONAGHAN, JOHN J. , 霍爾約翰C S , HALL, JOHN C. S. , 卡特瑪萬H , KHATER, MARWAN H. , 奇洛艾德華W , KIEWRA, EDWARD W. , 宣克史蒂芬M , SHANK, STEVEN M.
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14629 , H01L31/0203 , H01L31/02161 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/1872
摘要：本發明揭示一種光偵測器之方法及光偵測器之結構。在該方法中，多晶或非晶的光吸收層形成在介電層上以使其接觸光波導的單晶半導體核心。該光吸收層接著以一或多個應變緩解層密封且進行快速熔化生長(RMG)製程以結晶化該光吸收層。該(多個)應變緩解層是為了控制應變緩解而調變，以致在該RMG製程期間，該光吸收層保持免於破裂。接著移除該(多個)應變緩解層且在該光吸收層之上形成密封層(例如，填充該RMG製程期間發展的表面凹陷)。隨後，通過該密封層植入摻質以形成用於(多個)PIN二極體的擴散區域。由於該密封層相對薄，可在該擴散區域內達到想要的摻質輪廓。
简体摘要：本发明揭示一种光侦测器之方法及光侦测器之结构。在该方法中，多晶或非晶的光吸收层形成在介电层上以使其接触光波导的单晶半导体内核。该光吸收层接着以一或多个应变缓解层密封且进行快速熔化生长(RMG)制程以结晶化该光吸收层。该(多个)应变缓解层是为了控制应变缓解而调制，以致在该RMG制程期间，该光吸收层保持免于破裂。接着移除该(多个)应变缓解层且在该光吸收层之上形成密封层(例如，填充该RMG制程期间发展的表面凹陷)。随后，通过该密封层植入掺质以形成用于(多个)PIN二极管的扩散区域。由于该密封层相对薄，可在该扩散区域内达到想要的掺质轮廓。

5. 发明专利

TWI545736B 包含整合於波導上的光偵測器的半導體設備及其製造方法有权
简体标题：包含集成于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI545736B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103105791
申请日：2014-02-21
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：凡瑪布瑞卡瑞 , VERMA, PURAKH RAJ , 洪家偉 , ANG, KAH-WEE
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/336
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/132 , G02B6/134 , G02B6/136 , H01L31/105 , H01L31/1808

6. 发明专利

TW201205646A 半導體膜的製造方法，半導體裝置的製造方法，和光電轉換裝置的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体膜的制造方法，半导体设备的制造方法，和光电转换设备的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
公开(公告)号：TW201205646A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122000
申请日：2011-06-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：田中哲弘 , 加藤繪里香
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/20 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L31/0304 , H01L31/03685 , H01L31/03687 , H01L31/0376 , H01L31/03762 , H01L31/03765 , H01L31/072 , H01L31/0735 , H01L31/105 , H01L31/1136 , H01L31/1808 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1852 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：本發明的一個實施例是提供一種形成電阻率低的包含雜質元素的非晶半導體的方法。此外,本發明的一個實施例是提供一種高良率地製造電特性良好的半導體裝置的方法。在藉由電漿CVD法形成包含雜質元素的非晶半導體的方法中,在根據帕邢定律(Paschen's Law)滿足最小放電開始電壓的壓力及電極間隔的條件下,將脈衝調變過的放電開始電壓施加到電極以形成電阻率低的包含雜質元素的非晶半導體。
简体摘要：本发明的一个实施例是提供一种形成电阻率低的包含杂质元素的非晶半导体的方法。此外,本发明的一个实施例是提供一种高良率地制造电特性良好的半导体设备的方法。在借由等离子CVD法形成包含杂质元素的非晶半导体的方法中,在根据帕邢定律(Paschen's Law)满足最小放电开始电压的压力及电极间隔的条件下,将脉冲调制过的放电开始电压施加到电极以形成电阻率低的包含杂质元素的非晶半导体。

7. 发明专利

TWI335046B 可撓式電子裝置及其製程 FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR THE SAME 有权
简体标题：可挠式电子设备及其制程 FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE AND PROCESS FOR THE SAME
公开(公告)号：TWI335046B
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：TW096118874
申请日：2007-05-25
申请人：國立台灣大學
发明人：劉致為 , 江彥德 , 李敏鴻 , 鄧鈺
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0392 , H01L29/7849 , H01L31/03926 , H01L31/1808 , H01L31/1896 , H01L33/48 , Y02E10/50
摘要：本發明為在一可撓性基板上做出一矽薄膜、一鍺薄膜或一元件的轉移方法，利用半導體廠現有的機台設備與製程技術做整合，來取代有機高分子材料，做出該可撓性基板上之該矽或鍺元件。在該可撓性基板上製造一小面積的矽或鍺元件，使其可以順利彎曲，並且可以多次堆疊一有機高分子材料，做出一種多層結構，各元件之間再用內部連結相連。由於光傳遞訊號的速度相當快，故為了使該元件操作速度加快，內部連結可利用光波導技術來連接各個元件。
简体摘要：本发明为在一可挠性基板上做出一硅薄膜、一锗薄膜或一组件的转移方法，利用半导体厂现有的机台设备与制程技术做集成，来取代有机高分子材料，做出该可挠性基板上之该硅或锗组件。在该可挠性基板上制造一小面积的硅或锗组件，使其可以顺利弯曲，并且可以多次堆栈一有机高分子材料，做出一种多层结构，各组件之间再用内部链接相连。由于光传递信号的速度相当快，故为了使该组件操作速度加快，内部链接可利用光波导技术来连接各个组件。

8. 发明专利

TWI621253B 光吸收裝置及其形成方法有权
简体标题：光吸收设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI621253B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW104137635
申请日：2015-11-13
申请人：光澄科技股份有限公司 , ARTILUX INC.
发明人：鄭斯璘 , CHENG, SZU-LIN , 劉漢鼎 , LIU, HAN-DIN , 陳書履 , CHEN, SHU-LU
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/1469 , H01L31/02161 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/036 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/1808 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521

9. 发明专利

TWI542915B 用於高速光學輸入輸出應用的積體光學接收器架構有权
简体标题：用于高速光学输入输出应用的积体光学接收器架构
公开(公告)号：TWI542915B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW099144482
申请日：2010-12-17
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：劉安勝 , LIU, ANSHENG
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/12
CPC分类号： H01L31/0232 , G02B6/02023 , G02B6/4214 , G02B6/4215 , H01L31/1808

10. 发明专利

TW201331990A 混合光電元件审中-公开
简体标题：混合光电组件
公开(公告)号：TW201331990A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW102101410
申请日：2013-01-14
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：那允中 , NA, YUN CHUNG
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L31/125 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/02667 , H01L31/1808 , H01L31/1852 , H01L31/1872 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：一種混合光電元件，即與III-V族及Si組合使用在例如Si或絕緣層上矽（SOI）晶圓等低成本基板上之裝置，可提供一成本方面較便宜但性能方面相比僅以III-V族光電元件優秀之解決方案；並且，經由混合式光電元件實施之光子積體電路也可較便宜且更優於這些僅由III-V族光電元件所實施者。本發明所提之混合光電元件，係使用物理氣相沈積法製作快速熱熔再結晶（RMG）結構，故其表面平滑，可進一步於RMG結構上方製作一磊晶（RE）結構，主要之優點包括：無牽涉III-V族晶片，因此製程方面單晶；以及可調整感興趣之波長，因此材料方面可調整。藉此，使本發明之混合光電元件具產量大、良率高之優點，且其高光耦合效率係來自III-V族主動元件至Si被動元件，其組成將有益於光子積體電路，適合應用於未來高效能電子與光電元件之開發。
简体摘要：一种混合光电组件，即与III-V族及Si组合使用在例如Si或绝缘层上硅（SOI）晶圆等低成本基板上之设备，可提供一成本方面较便宜但性能方面相比仅以III-V族光电组件优秀之解决方案；并且，经由混合式光电组件实施之光子集成电路也可较便宜且更优于这些仅由III-V族光电组件所实施者。本发明所提之混合光电组件，系使用物理气相沉积法制作快速热熔再结晶（RMG）结构，故其表面平滑，可进一步于RMG结构上方制作一磊晶（RE）结构，主要之优点包括：无牵涉III-V族芯片，因此制程方面单晶；以及可调整感兴趣之波长，因此材料方面可调整。借此，使本发明之混合光电组件具产量大、良率高之优点，且其高光耦合效率系来自III-V族主动组件至Si被动组件，其组成将有益于光子集成电路，适合应用于未来高性能电子与光电组件之开发。

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