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1. 发明专利

TWI634623B ＧａＡｓ半導體基板及其製造方法、與III-V族化合物半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：ＧａＡｓ半导体基板及其制造方法、与III-V族化合物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI634623B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW101100847
申请日：2008-11-27
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：西浦隆幸 , NISHIURA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/8252 , H01L31/0304

2. 发明专利

TW201528533A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201528533A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103100995
申请日：2014-01-10
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES, INC.
发明人：陳亮斌 , CHEN, LIANG PIN
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0304
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池，包括一基板、一第一摻雜區、一第二摻雜區、一第三摻雜區、一第一電極以及一第二電極。基板為第二導電型並具有一正面以及一與正面相對之背面。背面包括一底面以及一自底面朝遠離正面方向延伸的突出部。第一摻雜區為第一導電型並位於底面的表面內。第二摻雜區為第二導電型並位於背面之內，第二導電型與第一導電型之電性彼此相反。第三摻雜區為第一導電型並位於突出部中，且第三摻雜區的摻雜濃度大於第一摻雜區的摻雜濃度。第一電極配置於突出部上並與第三摻雜區接觸。第二電極配置於背面上並與第二摻雜區接觸。
简体摘要：一种太阳能电池，包括一基板、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第三掺杂区、一第一电极以及一第二电极。基板为第二导电型并具有一正面以及一与正面相对之背面。背面包括一底面以及一自底面朝远离正面方向延伸的突出部。第一掺杂区为第一导电型并位于底面的表面内。第二掺杂区为第二导电型并位于背面之内，第二导电型与第一导电型之电性彼此相反。第三掺杂区为第一导电型并位于突出部中，且第三掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度。第一电极配置于突出部上并与第三掺杂区接触。第二电极配置于背面上并与第二掺杂区接触。

3. 发明专利

TW201523900A 紅外線檢測元件审中-公开
简体标题：红外线检测组件
公开(公告)号：TW201523900A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103138416
申请日：2014-11-05
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：三島飛鳥 , MISHIMA, ASUKA , 押村吉德 , OSHIMURA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC分类号： H01L31/03046 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/035236 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要：本發明之紅外線檢測元件具備緩衝層(InAsSb層)3、緩衝層(InAs層)4、及光吸收層(InAsSb層)5。InAs層之臨界膜厚hc與InAs層之厚度t滿足hc
简体摘要：本发明之红外线检测组件具备缓冲层(InAsSb层)3、缓冲层(InAs层)4、及光吸收层(InAsSb层)5。InAs层之临界膜厚hc与InAs层之厚度t满足hc

4. 发明专利

TW201320356A 在碳化矽基板上低差排密度之第三族氮化層及其製造方法审中-公开
简体标题：在碳化硅基板上低差排密度之第三族氮化层及其制造方法
公开(公告)号：TW201320356A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW102100601
申请日：2006-04-06
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：薩斯勒亞當威廉 , SAXLER, ADAM WILLIAM
IPC分类号： H01L31/0304
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1608 , H01L29/2003
摘要：本發明提供一種第三族氮化物半導體裝置結構，其包括一碳化矽(SiC)基板及一在該SiC基板上方之第三族氮化磊晶層。該第三族氮化磊晶層具有小於約4×108 cm-2之差排密度及/或至少約50 V之隔離電壓。
简体摘要：本发明提供一种第三族氮化物半导体设备结构，其包括一碳化硅(SiC)基板及一在该SiC基板上方之第三族氮化磊晶层。该第三族氮化磊晶层具有小于约4×108 cm-2之差排密度及/或至少约50 V之隔离电压。

5. 发明专利

TWI685982B 化合物半導體光電裝置及形成半導體光電裝置之方法有权
简体标题：化合物半导体光电设备及形成半导体光电设备之方法
公开(公告)号：TWI685982B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW107134168
申请日：2018-09-27
申请人：美商阿雷光子學公司 , ARRAY PHOTONICS, INC.
发明人：魯卡拉德克 , ROUCKA, RADEK , 希亞萊薩比爾 , SIALA, SABEUR , 馬羅斯艾默里克 , MAROS, AYMERIC , 劉楟 , LIU, TING , 蘇阿雷茲費倫 , SUAREZ, FERRAN , 皮克特埃文 , PICKETT, EVAN
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18

6. 发明专利

TWI647736B 具有有源第ＩＶ族基板和在成核層－基板界面處的受控摻雜劑擴散的稀釋氮化物裝置有权
简体标题：具有有源第ＩＶ族基板和在成核层－基板界面处的受控掺杂剂扩散的稀释氮化物设备
公开(公告)号：TWI647736B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106127801
申请日：2017-08-16
申请人：太陽結公司 , SOLAR JUNCTION CORPORATION
发明人：蘇阿雷茲費倫 , SUAREZ, FERRRAN , 劉楟 , LIU, TING , 蘇凱爾斯彥阿爾森 , SUKIASYAN, ARSEN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0725 , H01L31/0687

7. 发明专利

TW201721894A 用於半導體裝置的基於銻化物的高能帶間隙穿隧式接面审中-公开
简体标题：用于半导体设备的基于锑化物的高能带间隙穿隧式接面
公开(公告)号：TW201721894A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105122866
申请日：2016-07-20
申请人：波音公司 , THE BOEING COMPANY
发明人：喬飛利浦T , CHIU, PHILIP T. , 哈達德莫朗 , HADDAD, MORAN , 金理查R , KING, RICHARD R.
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , Y02E10/544
摘要：揭示的是用於半導體裝置的穿隧式接面。穿隧式接面包括n摻雜的穿隧層和p摻雜的穿隧層。p摻雜的穿隧層是由砷銻化鋁鎵(AlGaAsSb)所構成。也揭示了包括穿隧式接面的半導體裝置，該接面具有由AlGaAsSb所構成之p摻雜的穿隧層。
简体摘要：揭示的是用于半导体设备的穿隧式接面。穿隧式接面包括n掺杂的穿隧层和p掺杂的穿隧层。p掺杂的穿隧层是由砷锑化铝镓(AlGaAsSb)所构成。也揭示了包括穿隧式接面的半导体设备，该接面具有由AlGaAsSb所构成之p掺杂的穿隧层。

8. 发明专利

TW201601444A 電力產生系統及關於彼等之方法审中-公开
简体标题：电力产生系统及关于彼等之方法
公开(公告)号：TW201601444A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104117578
申请日：2015-05-29
申请人：黑光能源公司 , BLACKLIGHT POWER, INC.
发明人：米爾斯雷戴爾李 , MILLS, RANDELL LEE
IPC分类号： H02N3/00 , H01L31/0304
CPC分类号： G21B3/00 , G21B1/15 , Y02E30/16 , Y02E30/18
摘要：本發明提供一種用於提供電力及熱功率中之至少一者之電漿-電源的固體或液體燃料，其包含(i)至少一個反應池，其用於催化原子氫形成分數氫；(ii)包含至少兩種組分之化學燃料混合物，該等組分選自：H2O觸媒來源或H2O觸媒；原子氫來源或原子氫；用於形成該H2O觸媒來源或H2O觸媒及原子氫來源或原子氫之反應物；一或多種用於起始原子氫之催化之反應物；以及用於引起該燃料高度傳導之材料；(iii)燃料噴射系統，諸如軌道槍丸粒噴射器；(iv)至少一組約束該燃料之電極，及電源，該電源提供用以起始該分數氫反應之快速動力學的重複性短時間低電壓、高電流電能以及由形成分數氫引起之能量增益，從而形成發射亮光之電漿；(v)產物回收系統，諸如強化電漿軌道槍回收系統及重力回收系統中之至少一者；(vi)燃料粒化機或丸粒製造機，包含熔爐、氫來源及H2O來源、滴落器及用於形成燃料糰粒或丸粒之水浴及用於將丸粒饋入該噴射器中之攪動器；及(vii)能夠將該電池之高功率光輸出轉換成電之電力轉換器，諸如聚光型太陽能裝置，其包含複數個紫外(UV)光電電池或複數個光電電池及UV窗。
简体摘要：本发明提供一种用于提供电力及热功率中之至少一者之等离子-电源的固体或液体燃料，其包含(i)至少一个反应池，其用于催化原子氢形成分数氢；(ii)包含至少两种组分之化学燃料混合物，该等组分选自：H2O触媒来源或H2O触媒；原子氢来源或原子氢；用于形成该H2O触媒来源或H2O触媒及原子氢来源或原子氢之反应物；一或多种用于起始原子氢之催化之反应物；以及用于引起该燃料高度传导之材料；(iii)燃料喷射系统，诸如轨道枪丸粒喷射器；(iv)至少一组约束该燃料之电极，及电源，该电源提供用以起始该分数氢反应之快速动力学的重复性短时间低电压、高电流电能以及由形成分数氢引起之能量增益，从而形成发射亮光之等离子；(v)产物回收系统，诸如强化等离子轨道枪回收系统及重力回收系统中之至少一者；(vi)燃料粒化机或丸粒制造机，包含熔炉、氢来源及H2O来源、滴落器及用于形成燃料团粒或丸粒之水浴及用于将丸粒馈入该喷射器中之搅动器；及(vii)能够将该电池之高功率光输出转换成电之电力转换器，诸如聚光型太阳能设备，其包含复数个紫外(UV)光电电池或复数个光电电池及UV窗。

9. 发明专利

TWI400810B 在碳化矽基板上低差排密度之第三族氮化層及其製造方法有权
简体标题：在碳化硅基板上低差排密度之第三族氮化层及其制造方法
公开(公告)号：TWI400810B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW095112148
申请日：2006-04-06
申请人：克立公司 , CREE, INC.
发明人：亞當威廉薩斯勒 , SAXLER, ADAM WILLIAM
IPC分类号： H01L31/0304
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1608 , H01L29/2003

10. 发明专利

TW202023042A 攝像元件、半導體元件及電子機器审中-公开
简体标题：摄像组件、半导体组件及电子机器
公开(公告)号：TW202023042A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108132178
申请日：2019-09-06
申请人：日商索尼半導體解決方案公司 , SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人：熊谷裕也 , KUMAGAI, YUYA , 萬田周治 , MANDA, SHUJI , 丸山俊介 , MARUYAMA, SHUNSUKE , 松本良輔 , MATSUMOTO, RYOSUKE
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0224 , H01L31/0304
摘要：本發明之攝像元件具備：光電轉換層，其包含化合物半導體材料；接觸層，其積層配置於上述光電轉換層，且於選擇性區域具有第1導電型之雜質之擴散區域；第1絕緣層，其隔著上述接觸層而與上述光電轉換層對向設置，且於與上述擴散區域對向之位置具有第1開口；及第2絕緣層，其隔著上述第1絕緣層而與上述接觸層對向設置，且具有連通於上述第1開口且小於上述第1開口之第2開口。
简体摘要：本发明之摄像组件具备：光电转换层，其包含化合物半导体材料；接触层，其积层配置于上述光电转换层，且于选择性区域具有第1导电型之杂质之扩散区域；第1绝缘层，其隔着上述接触层而与上述光电转换层对向设置，且于与上述扩散区域对向之位置具有第1开口；及第2绝缘层，其隔着上述第1绝缘层而与上述接触层对向设置，且具有连通于上述第1开口且小于上述第1开口之第2开口。

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