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51. 发明专利

TW201619423A 鍺膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：锗膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201619423A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104125874
申请日：2015-08-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/0272 , C23C16/029 , C23C16/22 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0262
摘要：一種鍺膜之成膜方法，於被處理體之被處理面上形成鍺膜，其包含下述步驟：(1)對收容該被處理體之處理室內，供給胺基矽烷系氣體之步驟；(2)對該處理室內，供給二矽烷以上之高次矽烷系氣體之步驟；及(3)對該處理室內，供給鍺源氣體之步驟；將該(3)步驟中之處理溫度，設為該鍺源氣體產生熱分解之溫度以上、300℃以下。
简体摘要：一种锗膜之成膜方法，于被处理体之被处理面上形成锗膜，其包含下述步骤：(1)对收容该被处理体之处理室内，供给胺基硅烷系气体之步骤；(2)对该处理室内，供给二硅烷以上之高次硅烷系气体之步骤；及(3)对该处理室内，供给锗源气体之步骤；将该(3)步骤中之处理温度，设为该锗源气体产生热分解之温度以上、300℃以下。

52. 发明专利

TW201618200A 用以改良沉積速率均勻性及減少基板處理系統中的缺陷之系統及方法审中-公开
简体标题：用以改良沉积速率均匀性及减少基板处理系统中的缺陷之系统及方法
公开(公告)号：TW201618200A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104122671
申请日：2015-07-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：達斯阿魯爾 , DHAS, ARUL , 凱利布蘭農 , KELLEY, BRANNON , 吉利亞尼賈斯溫德 , GUILIANI, JASWINDER , 欣荷阿希爾 , SINGHAL, AKHIL
IPC分类号： H01L21/64 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01J37/00 , H01L21/00
摘要：用於在基板處理系統中輸送液態前驅物的系統與方法，包括使用與液態前驅物來源流體連通的第一閥來供應液態前驅物；使用與沖洗氣體來源流體連通的第二閥來供應沖洗氣體；設置具有第一輸入埠以及第二輸入埠的第三閥，該第一輸入埠與該第一閥的輸出埠流體連通，且該第二輸入埠與該第二閥的輸出埠流體連通；設置第一轉向注入閥的輸入埠，該輸入埠與該第三閥的輸出埠流體連通；以及在第一、第二、第三、及第四模式中，操作該第一閥、該第二閥、該第三閥、以及該第一轉向注入閥。
简体摘要：用于在基板处理系统中输送液态前驱物的系统与方法，包括使用与液态前驱物来源流体连通的第一阀来供应液态前驱物；使用与冲洗气体来源流体连通的第二阀来供应冲洗气体；设置具有第一输入端口以及第二输入端口的第三阀，该第一输入端口与该第一阀的输出端口流体连通，且该第二输入端口与该第二阀的输出端口流体连通；设置第一转向注入阀的输入端口，该输入端口与该第三阀的输出端口流体连通；以及在第一、第二、第三、及第四模式中，操作该第一阀、该第二阀、该第三阀、以及该第一转向注入阀。

53. 发明专利

TWI532876B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI532876B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW103144733
申请日：2014-12-22
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：諸成泰 , JE, SUNG-TAE , 張吉淳 , JANG, GIL SUN , 尹暢焄 , YUN, CHANG-HOON , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/458 , C23C16/52

54. 发明专利

TWI529806B 形成鎢接觸點及小臨界尺寸互連線之方法有权
简体标题：形成钨接触点及小临界尺寸互连接之方法
公开(公告)号：TWI529806B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW099111860
申请日：2010-04-15
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：錢德拉雪卡雅南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 陳楓 , CHEN, FENG , 胡馬言拉席娜 , HUMAYUN, RAASHINA , 丹尼克麥可 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C16/06
CPC分类号： H01L23/535 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/45523 , C23C16/52 , H01L21/28556 , H01L21/67017 , H01L21/76816 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76895 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

55. 发明专利

TW201606920A 通過原位反饋的晶圓放置和縫隙控制最佳化审中-公开
简体标题：通过原位反馈的晶圆放置和缝隙控制最优化
公开(公告)号：TW201606920A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120015
申请日：2015-06-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛瑞芬凱文 , GRIFFIN, KEVIN , 拉維德亞伯拉罕 , RAVID, ABRAHAM , 明柯維奇艾力克斯 , MINKOVICH, ALEX , 坎德爾瓦爾桑梅許 , KHANDELWAL, SOMESH , 尤多夫斯基約瑟夫 , YUDOVSKY, JOSEPH , 伊根陶德 , EGAN, TODD
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/45544 , C23C16/52 , G01D5/24
摘要：本發明描述了在製程夾具和基座之間的尺寸控制和監控，和晶圓位置測定的裝置和方法。
简体摘要：本发明描述了在制程夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶圆位置测定的设备和方法。

56. 发明专利

TW201604670A 快速脈衝氣體輸送的系統及方法审中-公开
简体标题：快速脉冲气体输送的系统及方法
公开(公告)号：TW201604670A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104106153
申请日：2015-02-26
申请人： MKS公司 , MKS INSTRUMENTS, INC.
发明人：丁軍華 , DING, JUNHUA , 勒巴西麥可 , L'BASSI, MICHAEL , 李曾群 , LEE, TSENG-CHUNG
IPC分类号： G05D7/06 , G01F1/66
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , G05D7/0635
摘要：一種輸送一期望質量之氣體之脈衝至一工具之系統，包含：一質流控制器，包含流量感測器、一控制閥及一被配置並安排以接收用於打開及關閉控制閥之一序列之步驟之一修整法之專用控制器，俾能按照修整法輸送一序列之氣體脈衝。質流控制器係被配置並安排成能以至少兩種模式之任一個操作：一傳統的質流控制器(MFC)模式或一脈衝氣體輸送(PGD)模式。又，質流控制器包含：一輸入，被配置以接收一輸入信號；一輸出，被配置以提供一輸出信號；一通訊埠，被配置以接收程式指令；記憶體，被配置並安排以接收決定質流控制器之編程配置之程式化資料以作為一數位或類比配置；以及一處理器/控制器，用於依據編程配置操作質流控制器。
简体摘要：一种输送一期望质量之气体之脉冲至一工具之系统，包含：一质流控制器，包含流量传感器、一控制阀及一被配置并安排以接收用于打开及关闭控制阀之一串行之步骤之一修整法之专用控制器，俾能按照修整法输送一串行之气体脉冲。质流控制器系被配置并安排成能以至少两种模式之任一个操作：一传统的质流控制器(MFC)模式或一脉冲气体输送(PGD)模式。又，质流控制器包含：一输入，被配置以接收一输入信号；一输出，被配置以提供一输出信号；一通信端口，被配置以接收进程指令；内存，被配置并安排以接收决定质流控制器之编程配置之进程化数据以作为一数码或模拟配置；以及一处理器/控制器，用于依据编程配置操作质流控制器。

57. 发明专利

TW201604315A 真空排氣系統审中-公开
简体标题：真空排气系统
公开(公告)号：TW201604315A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104117395
申请日：2015-05-29
申请人：荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
发明人：塩川篤志 , SHIOKAWA, ATSUSHI , 杉浦哲郎 , SUGIURA, TETSURO , 関口信一 , SEKIGUCHI, SHINICHI , 京谷敬史 , KYOTANI, TAKASHI , 駒井哲夫 , KOMAI, TETSUO , 木村憲雄 , KIMURA, NORIO , 石川敬一 , ISHIKAWA, KEIICHI , 大須賀透 , OSUGA, TORU
IPC分类号： C23C16/455 , F04B41/06 , F04B37/14
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/22 , C23C16/4412 , C23C16/52 , F04B37/14 , F04B37/16 , F04B41/00 , G05D16/2013 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67276 , Y02C20/30
摘要：本發明係關於從半導體元件製造裝置等所使用之1個或複數個處理室中，將處理氣體予以排氣而使用之真空排氣系統。真空排氣系統係用以從複數個處理室(1)中將氣體予以排氣之真空裝置。真空排氣系統係具備：分別連接於複數個處理室(1)之複數個第1真空泵(5)；連接於複數個第1真空泵(5)之集合管(7)；以及連接於集合管(7)之第2真空泵(8)。
简体摘要：本发明系关于从半导体组件制造设备等所使用之1个或复数个处理室中，将处理气体予以排气而使用之真空排气系统。真空排气系统系用以从复数个处理室(1)中将气体予以排气之真空设备。真空排气系统系具备：分别连接于复数个处理室(1)之复数个第1真空泵(5)；连接于复数个第1真空泵(5)之集合管(7)；以及连接于集合管(7)之第2真空泵(8)。

58. 发明专利

TW201603168A 利用順應性材料的窗冷卻审中-公开
简体标题：利用顺应性材料的窗冷却
公开(公告)号：TW201603168A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104116298
申请日：2015-05-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4581 , C23C16/46 , C30B25/105 , H01L21/67109 , H01L21/67115
摘要：此述的實施例大體上關於用於處理基板的設備。該設備大體上包括處理腔室，該處理腔室包括燈容座，該燈容座含有多個燈，該等燈定位在鄰近透光窗處。燈容座內的燈提供輻射能至定位於基板支座上的基板。使用燈容座內的冷卻溝道，有助於透光窗的溫度控制。燈容座使用順應性導體熱耦接透光窗。該等順應性導體維持均一的傳導長度，而無關透光窗與燈容座的機械加工公差。均一的傳導長度促進準確的溫度控制。因為順應性導體的長度是均一的而無關腔室部件的機械加工公差，所以對不同的處理腔室而言，傳導長度相同。因此，多個處理腔室之間的溫度控制是均一的，從而減少腔室與腔室間的差異。
简体摘要：此述的实施例大体上关于用于处理基板的设备。该设备大体上包括处理腔室，该处理腔室包括灯容座，该灯容座含有多个灯，该等灯定位在邻近透光窗处。灯容座内的灯提供辐射能至定位于基板支座上的基板。使用灯容座内的冷却沟道，有助于透光窗的温度控制。灯容座使用顺应性导体热耦接透光窗。该等顺应性导体维持均一的传导长度，而无关透光窗与灯容座的机械加工公差。均一的传导长度促进准确的温度控制。因为顺应性导体的长度是均一的而无关腔室部件的机械加工公差，所以对不同的处理腔室而言，传导长度相同。因此，多个处理腔室之间的温度控制是均一的，从而减少腔室与腔室间的差异。

59. 发明专利

TW201600628A 具有開放胞核心之汽化器單元及其操作方法审中-公开
简体标题：具有开放胞内核之汽化器单元及其操作方法
公开(公告)号：TW201600628A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104104902
申请日：2015-02-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：納斯曼羅那得 , NASMAN, RONALD
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/4483 , C23C16/52
摘要：一種用以將蒸氣態前驅物引入基板處理系統的汽化器，包含：汽化器腔室，具有汽化器入口、汽化器出口、及容器壁，該容器壁延伸於汽化器入口與汽化器出口之間，且定義其之間的汽化容積，該容器壁定義汽化器腔室的橫向尺寸；及至少一多孔發泡構件，設置在汽化器腔室內、汽化器入口與汽化器出口之間，使得蒸氣流經至少一多孔發泡構件，至少一多孔發泡構件係與容器壁呈實體接觸並熱連通，至少一多孔發泡構件具有至少為橫向尺寸之10％的厚度。汽化器腔室包含進入腔室部分，其特徵為具有約30-40度之半角之發散剖面區域及汽化器噴嘴。
简体摘要：一种用以将蒸气态前驱物引入基板处理系统的汽化器，包含：汽化器腔室，具有汽化器入口、汽化器出口、及容器壁，该容器壁延伸于汽化器入口与汽化器出口之间，且定义其之间的汽化容积，该容器壁定义汽化器腔室的横向尺寸；及至少一多孔发泡构件，设置在汽化器腔室内、汽化器入口与汽化器出口之间，使得蒸气流经至少一多孔发泡构件，至少一多孔发泡构件系与容器壁呈实体接触并热连通，至少一多孔发泡构件具有至少为横向尺寸之10％的厚度。汽化器腔室包含进入腔室部分，其特征为具有约30-40度之半角之发散剖面区域及汽化器喷嘴。

60. 发明专利

TWI512883B 具溫度分佈控制之製程方法及裝置有权
简体标题：具温度分布控制之制程方法及设备
公开(公告)号：TWI512883B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100106284
申请日：2011-02-24
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：古瑞艾利克斯 , GURARY, ALEX , 比路索夫米凱爾 , BELOUSOV, MIKHAIL , 伯古斯拉維斯基維汀 , BOGUSLAVSKIY, VADIM , 密托維克波仁 , MITROVIC, BOJAN
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： H01L22/26 , C23C16/45521 , C23C16/4584 , C23C16/52 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67109 , H01L21/68785 , H01L21/68792

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