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    • 21. 发明专利
    • 基板斜邊和背面保護裝置
    • 基板斜边和背面保护设备
    • TW201806053A
    • 2018-02-16
    • TW105125479
    • 2016-08-10
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王希WANG, XI王暉WANG, HUI
    • H01L21/67
    • 本發明公開了一種基板斜邊和背面保護裝置。裝置包括真空卡盤、保護裝置、供氣裝置、旋轉致動器和垂直致動器。真空卡盤承載並固定基板。保護裝置包括基部和支撐部,支撐部靠近基板並與基板之間形成有間隙,支撐部設有多個向間隙內供氣的氣體進口和多個將間隙內的氣體排出的氣體出口。基部設有多條氣體通道,每條氣體通道與一個氣體進口相連接。供氣裝置向保護裝置的氣體通道供應氣體。該多個氣體進口向間隙內供氣使間隙內的氣壓大於大氣壓,間隙內的氣體作為氣體阻擋層保護基板的斜邊和背面。旋轉致動器驅動真空卡盤和保護裝置旋轉。垂直致動器驅動真空卡盤垂直移動。
    • 本发明公开了一种基板斜边和背面保护设备。设备包括真空卡盘、保护设备、供气设备、旋转致动器和垂直致动器。真空卡盘承载并固定基板。保护设备包括基部和支撑部,支撑部靠近基板并与基板之间形成有间隙,支撑部设有多个向间隙内供气的气体进口和多个将间隙内的气体排出的气体出口。基部设有多条气体信道,每条气体信道与一个气体进口相连接。供气设备向保护设备的气体信道供应气体。该多个气体进口向间隙内供气使间隙内的气压大于大气压,间隙内的气体作为气体阻挡层保护基板的斜边和背面。旋转致动器驱动真空卡盘和保护设备旋转。垂直致动器驱动真空卡盘垂直移动。
    • 22. 发明专利
    • 輸送半導體襯底的機械手
    • 输送半导体衬底的机械手
    • TW201743399A
    • 2017-12-16
    • TW105118434
    • 2016-06-13
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王暉WANG, HUI吳均WU, JUN方志友FANG, ZHIYOU
    • H01L21/677H01L21/687
    • 本發明公開了一種輸送半導體襯底的機械手,該機械手包括主體部分、從主體部分延伸出的末端部分、位於末端部分的多個真空吸盤、分別與多個真空吸盤連接的多條真空管路。任意兩個相鄰的真空吸盤之間的距離滿足以下條件:半導體襯底因被這兩個相鄰真空吸盤中的一個向下吸而產生的豎直位移大於這兩個相鄰真空吸盤之間的半導體襯底的翹曲,因此,一旦這兩個相鄰真空吸盤中的一個吸住半導體襯底,這兩個相鄰真空吸盤中的另一個也跟著吸住半導體襯底。
    • 本发明公开了一种输送半导体衬底的机械手,该机械手包括主体部分、从主体部分延伸出的末端部分、位于末端部分的多个真空吸盘、分别与多个真空吸盘连接的多条真空管路。任意两个相邻的真空吸盘之间的距离满足以下条件:半导体衬底因被这两个相邻真空吸盘中的一个向下吸而产生的竖直位移大于这两个相邻真空吸盘之间的半导体衬底的翘曲,因此,一旦这两个相邻真空吸盘中的一个吸住半导体衬底,这两个相邻真空吸盘中的另一个也跟着吸住半导体衬底。
    • 26. 发明专利
    • 清洗液流量控制系統及控制方法
    • 清洗液流量控制系统及控制方法
    • TW201508432A
    • 2015-03-01
    • TW102130632
    • 2013-08-27
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王堅WANG, JIAN趙宇ZHAO, YU謝良智XIE, LIANGZHI張曉燕ZHANG, XIAOYAN賈社娜JIA, SHENA王暉WANG, HUI
    • G05D7/06H01L21/67B08B3/04
    • 本發明揭示了一種清洗液流量控制系統,該系統包括一條總幹路和若干支路。在一實施例中,總幹路上設置有控制閥、壓力感測器、控制器及I/P轉換器。清洗液流經控制閥;壓力感測器測量流經控制閥的清洗液的壓力並輸出壓力值;控制器接收壓力感測器輸出的壓力值並將該壓力值與目標壓力值比較,根據比較結果產生並發送電流信號;I/P轉換器接收控制器輸出的電流信號並向控制閥輸送具有相應壓力的壓縮空氣,以使壓力感測器測量的流經控制閥的清洗液的壓力值等於目標壓力值。每一支路上設置有測量清洗液流速的流量開關及調節清洗液流速的針閥,透過調節各支路的針閥,以使各支路的清洗液的流速等於目標流速。本發明還公開了清洗液流量控制方法。
    • 本发明揭示了一种清洗液流量控制系统,该系统包括一条总干路和若干支路。在一实施例中,总干路上设置有控制阀、压力传感器、控制器及I/P转换器。清洗液流经控制阀;压力传感器测量流经控制阀的清洗液的压力并输出压力值;控制器接收压力传感器输出的压力值并将该压力值与目标压力值比较,根据比较结果产生并发送电流信号;I/P转换器接收控制器输出的电流信号并向控制阀输送具有相应压力的压缩空气,以使压力传感器测量的流经控制阀的清洗液的压力值等于目标压力值。每一支路上设置有测量清洗液流速的流量开关及调节清洗液流速的针阀,透过调节各支路的针阀,以使各支路的清洗液的流速等于目标流速。本发明还公开了清洗液流量控制方法。
    • 27. 发明专利
    • 無應力電化學拋光用噴嘴
    • 无应力电化学抛光用喷嘴
    • TW201504001A
    • 2015-02-01
    • TW102127453
    • 2013-07-31
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王堅WANG, JIAN金一諾JIN, YINUO王暉WANG, HUI
    • B24B57/02H01L21/304
    • 本發明揭示了一種無應力電化學抛光用噴嘴,包括:絕緣基座、導電主體及絕緣噴嘴頭。絕緣基座開設有貫穿絕緣基座的穿孔。導電主體作為陰極與電源連接以使電解液帶電荷,導電主體具有固定於絕緣基座的固定部,固定部向下延伸形成接收部,接收部插入絕緣基座的穿孔,接收部具有收容腔,收容腔貫穿接收部及與接收部相對應的固定部。絕緣噴嘴頭具有蓋板及貫穿蓋板的導管,蓋板固定於絕緣基座並位於導電主體的上方,導管具有主流體通道,導管收容於導電主體的收容腔並伸出於收容腔外,導管的外壁與接收部的內壁之間形成有輔助流體通道。本發明中,導管能夠阻止附著在導電主體上的氣泡進入主流體通道,導電主體上的氣泡隨著電解液經由輔助流體通道輸出並被絕緣噴嘴頭的蓋板阻擋,從而使得氣泡不會隨著電解液供應至晶圓表面,進而提高了晶圓表面抛光光潔度。
    • 本发明揭示了一种无应力电化学抛光用喷嘴,包括:绝缘基座、导电主体及绝缘喷嘴头。绝缘基座开设有贯穿绝缘基座的穿孔。导电主体作为阴极与电源连接以使电解液带电荷,导电主体具有固定于绝缘基座的固定部,固定部向下延伸形成接收部,接收部插入绝缘基座的穿孔,接收部具有收容腔,收容腔贯穿接收部及与接收部相对应的固定部。绝缘喷嘴头具有盖板及贯穿盖板的导管,盖板固定于绝缘基座并位于导电主体的上方,导管具有主流体信道,导管收容于导电主体的收容腔并伸出于收容腔外,导管的外壁与接收部的内壁之间形成有辅助流体信道。本发明中,导管能够阻止附着在导电主体上的气泡进入主流体信道,导电主体上的气泡随着电解液经由辅助流体信道输出并被绝缘喷嘴头的盖板阻挡,从而使得气泡不会随着电解液供应至晶圆表面,进而提高了晶圆表面抛光光洁度。
    • 28. 发明专利
    • 晶圓位置檢測裝置及檢測方法
    • 晶圆位置检测设备及检测方法
    • TW201417210A
    • 2014-05-01
    • TW102134805
    • 2013-09-26
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王堅WANG, JIAN何增華HE, ZENGHUA賈照偉JIA, ZHAOWEI王暉WANG, HUI
    • H01L21/68
    • 本發明揭示了一種晶圓位置檢測裝置及檢測方法,該裝置包括:載置台、驅動裝置、攝影裝置及圖像處理裝置。其中,載置台用於載置晶圓;驅動裝置與載置台相連,用於驅動載置台旋轉;攝影裝置設置在載置台的上方,用於給載置台上的晶圓拍攝圖像,並將拍攝的圖像發送至圖像處理裝置;圖像處理裝置接收攝影裝置拍攝的圖像後,將圖像中晶圓外周邊緣部上一部分區域內的圖像轉換成圖元,並將該圖元與該部分區域內的圖像參考圖元比較,若二者一致,則晶圓被正確的放置於載置台上,若二者不一致,則晶圓在載置台上的位置偏離了正確位置。
    • 本发明揭示了一种晶圆位置检测设备及检测方法,该设备包括:载置台、驱动设备、摄影设备及图像处理设备。其中,载置台用于载置晶圆;驱动设备与载置台相连,用于驱动载置台旋转;摄影设备设置在载置台的上方,用于给载置台上的晶圆拍摄图像,并将拍摄的图像发送至图像处理设备;图像处理设备接收摄影设备拍摄的图像后,将图像中晶圆外周边缘部上一部分区域内的图像转换成图元,并将该图元与该部分区域内的图像参考图元比较,若二者一致,则晶圆被正确的放置于载置台上,若二者不一致,则晶圆在载置台上的位置偏离了正确位置。
    • 29. 发明专利
    • 空氣隙互聯結構之形成方法
    • 空气隙互联结构之形成方法
    • TW201322334A
    • 2013-06-01
    • TW101102572
    • 2012-01-20
    • 盛美半導體設備(上海)有限公司ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
    • 王暉WANG, HUI王堅金一諾賈照偉
    • H01L21/31H01L21/314H01L21/318
    • 本發明公開一種空氣隙互聯結構之形成方法,該方法包括在半導體積體電路之基底層上澱積第一介質層;在第一介質層上澱積第二介質層;在第二介質層上形成溝槽,相鄰兩溝槽由第二介質層隔離開;在第二介質層之表面和溝槽內依次澱積阻擋層和主導電層;對主導電層進行表面平坦化,並保留一定厚度之主導電層;採用無應力拋光工藝去除溝槽內的主導電層以外之所有主導電層;採用無應力去除阻擋層工藝去除裸露於溝槽外之所有阻擋層;去除第二介質層,在相鄰兩溝槽之間形成一凹槽;在凹槽壁和裸露的主導電層及阻擋層上澱積第三介質層;在第三介質層和凹槽內澱積第四介質層,空氣隙被形成於凹槽內。本發明透過採用無應力拋光工藝和無應力去除阻擋層工藝,使得所述空氣隙互聯結構可以形成於具有超微細特徵尺寸結構之半導體積體電路中。
    • 本发明公开一种空气隙互联结构之形成方法,该方法包括在半导体集成电路之基底层上淀积第一介质层;在第一介质层上淀积第二介质层;在第二介质层上形成沟槽,相邻两沟槽由第二介质层隔离开;在第二介质层之表面和沟槽内依次淀积阻挡层和主导电层;对主导电层进行表面平坦化,并保留一定厚度之主导电层;采用无应力抛光工艺去除沟槽内的主导电层以外之所有主导电层;采用无应力去除阻挡层工艺去除裸露于沟槽外之所有阻挡层;去除第二介质层,在相邻两沟槽之间形成一凹槽;在凹槽壁和裸露的主导电层及阻挡层上淀积第三介质层;在第三介质层和凹槽内淀积第四介质层,空气隙被形成于凹槽内。本发明透过采用无应力抛光工艺和无应力去除阻挡层工艺,使得所述空气隙互联结构可以形成于具有超微细特征尺寸结构之半导体集成电路中。