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1. 发明专利

TWI685029B 優化金屬平坦化工藝的方法有权
简体标题：优化金属平坦化工艺的方法
公开(公告)号：TWI685029B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105119589
申请日：2016-06-22
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/48 , B24B37/04 , C25F3/16

2. 发明专利

TW201726984A 在恒壓模式下電化學拋光的方法审中-公开
简体标题：在恒压模式下电化学抛光的方法
公开(公告)号：TW201726984A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134797
申请日：2016-10-27
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： C25F3/22
CPC分类号： C25F3/22 , C25F7/00
摘要：本發明揭示了一種在恒壓模式下電化學抛光的方法，該方法包括：預設一個具有電流分佈的恒流配方，包括晶圓上具有不同半徑的多個位置以及為每個位置預設的電流；使用恒流配方抛光第一晶圓；在抛光過程中檢測並記錄每個位置的電壓；生成具有電壓分佈的恒壓配方，包括多個位置以及對應每個位置記錄的電壓；使用恒壓配方抛光第二晶圓。
简体摘要：本发明揭示了一种在恒压模式下电化学抛光的方法，该方法包括：默认一个具有电流分布的恒流配方，包括晶圆上具有不同半径的多个位置以及为每个位置默认的电流；使用恒流配方抛光第一晶圆；在抛光过程中检测并记录每个位置的电压；生成具有电压分布的恒压配方，包括多个位置以及对应每个位置记录的电压；使用恒压配方抛光第二晶圆。

3. 发明专利

TWI695092B 在恒壓模式下電化學拋光的方法有权
简体标题：在恒压模式下电化学抛光的方法
公开(公告)号：TWI695092B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105134797
申请日：2016-10-27
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： C25F3/22

4. 发明专利

TW201737417A ＴＳＶ結構的平坦化工藝和裝置审中-公开
简体标题：ＴＳＶ结构的平坦化工艺和设备
公开(公告)号：TW201737417A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105133926
申请日：2016-10-20
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 代迎偉 , DAI, YING-WEI , 楊貴璞 , YANG, GUI-PU , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/53238
摘要：本發明揭示了TSV結構的平坦化工藝和裝置。TSV結構包括晶圓、晶圓上的通孔、晶圓上的氧化層、氧化層上及通孔的底部和側壁上的阻擋層、通孔內及阻擋層上的金屬層。在一種具體實施方式中，TSV結構的平坦化工藝包括：採用無應力抛光工藝去除晶圓的非凹進區域上的全部金屬層；採用化學濕法刻蝕工藝去除非凹進區域上的金屬層殘餘以及阻擋層。
简体摘要：本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和设备。TSV结构包括晶圆、晶圆上的通孔、晶圆上的氧化层、氧化层上及通孔的底部和侧壁上的阻挡层、通孔内及阻挡层上的金属层。在一种具体实施方式中，TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。

5. 发明专利

TWI698291B 襯底清洗方法及清洗裝置有权
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TWI698291B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02

6. 发明专利

TW201801165A 優化金屬平坦化工藝的方法审中-公开
简体标题：优化金属平坦化工艺的方法
公开(公告)号：TW201801165A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119589
申请日：2016-06-22
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：金一諾 , JIN, YI-NUO , 王堅 , WANG, JIAN , 王暉 , WANG, HUI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/48 , B24B37/04 , C25F3/16
摘要：本發明揭示了一種優化金屬平坦化工藝的方法，包括：採用化學機械平坦化去除互連結構上表面上的大部分金屬層直到剩餘金屬層的厚度達到預定值Y，剩餘金屬層為覆蓋互連結構上表面的連續層，其中，剩餘金屬層具有第一表面平均粗糙度Ra1，該第一表面平均粗糙度Ra1是由化學機械平坦化引起的；採用無應力抛光工藝去除互連結構上表面上的剩餘金屬層，無應力抛光工藝完成後，互連結構凹進區域內的金屬層的上表面低於互連結構的上表面，其凹陷值為H2，其中，凹進區域內的金屬層具有第二表面平均粗糙度Ra2，該第二表面平均粗糙度Ra2是由無應力抛光工藝引起的，無應力抛光工藝去除的金屬層的厚度除以Ra2得到比值α；當設置一凹陷值時，為了得到無應力抛光工藝後金屬表面粗糙度最小值，化學機械平坦化後剩餘金屬層的厚度滿足以下方程式：Y=α/6★H2-αRa1。
简体摘要：本发明揭示了一种优化金属平坦化工艺的方法，包括：采用化学机械平坦化去除互链接构上表面上的大部分金属层直到剩余金属层的厚度达到预定值Y，剩余金属层为覆盖互链接构上表面的连续层，其中，剩余金属层具有第一表面平均粗糙度Ra1，该第一表面平均粗糙度Ra1是由化学机械平坦化引起的；采用无应力抛光工艺去除互链接构上表面上的剩余金属层，无应力抛光工艺完成后，互链接构凹进区域内的金属层的上表面低于互链接构的上表面，其凹陷值为H2，其中，凹进区域内的金属层具有第二表面平均粗糙度Ra2，该第二表面平均粗糙度Ra2是由无应力抛光工艺引起的，无应力抛光工艺去除的金属层的厚度除以Ra2得到比值α；当设置一凹陷值时，为了得到无应力抛光工艺后金属表面粗糙度最小值，化学机械平坦化后剩余金属层的厚度满足以下方进程：Y=α/6★H2-αRa1。

7. 发明专利

TWI695743B 清洗襯底的方法和裝置有权
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TWI695743B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12

8. 发明专利

TW201817502A 清洗襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洗衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201817502A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135566
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12
摘要：本發明公開了一種使用超/兆聲波裝置有效清洗襯底上的通孔、槽或凹進區域的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值增大到第一設定值後，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡總體積和襯底上的通孔、槽或凹進區域的體積的比值減小到第二設定值後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復以上步驟直到襯底洗淨。
简体摘要：本发明公开了一种使用超/兆声波设备有效清洗衬底上的通孔、槽或凹进区域的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值增大到第一设置值后，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；在气泡总体积和衬底上的通孔、槽或凹进区域的体积的比值减小到第二设置值后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复以上步骤直到衬底洗净。

9. 发明专利

TW201817503A 襯底清洗方法及清洗裝置审中-公开
简体标题：衬底清洗方法及清洗设备
公开(公告)号：TW201817503A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105135568
申请日：2016-11-02
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王暉 , WANG, HUI , 王希 , WANG, XI , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 王堅 , WANG, JIAN , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 王俊 , WANG, JUN , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： B08B3/12 , H01L21/02
摘要：本發明揭示了一種使用超/兆聲波裝置清洗襯底且不損傷襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到襯底和超/兆聲波裝置之間的間隙中；設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超/兆聲波裝置；在氣泡內爆產生微噴射之後且在氣泡內爆產生的微噴射損傷襯底上的圖案化結構之前，設置超/兆聲波電源的頻率為f2，功率為P2以驅動超/兆聲波裝置；待氣泡內的溫度冷卻到設定溫度後，再次設置超/兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；重復上述步驟直到襯底被洗淨。
简体摘要：本发明揭示了一种使用超/兆声波设备清洗衬底且不损伤衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到衬底和超/兆声波设备之间的间隙中；设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超/兆声波设备；在气泡内爆产生微喷射之后且在气泡内爆产生的微喷射损伤衬底上的图案化结构之前，设置超/兆声波电源的频率为f2，功率为P2以驱动超/兆声波设备；待气泡内的温度冷却到设置温度后，再次设置超/兆声波电源的频率为f1，功率为P1；重复上述步骤直到衬底被洗净。

10. 发明专利

TW201801210A 清潔半導體襯底的方法和裝置审中-公开
简体标题：清洁半导体衬底的方法和设备
公开(公告)号：TW201801210A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119588
申请日：2016-06-22
申请人：盛美半導體設備(上海)有限公司 , ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC.
发明人：王俊 , WANG, JUN , 王暉 , WANG, HUI , 陳福發 , CHEN, FU-FA , 陳福平 , CHEN, FU-PING , 王堅 , WANG, JIAN , 王希 , WANG, XI , 張曉燕 , ZHANG, XIAO-YAN , 金一諾 , JIN, YI-NUO , 賈照偉 , JIA, ZHAO-WEI , 謝良智 , XIE, LIANG-ZHI , 李學軍 , LI, XUE-JUN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/02
摘要：一種使用超聲波或兆聲波裝置清洗半導體襯底且不損傷半導體襯底上的圖案化結構的方法，包括：將液體噴射到半導體襯底和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中；設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1以驅動超聲波或兆聲波裝置；在液體中的氣穴振盪損傷半導體襯底上的圖案化結構之前，設置超聲波或兆聲波電源的輸出為零；待氣泡內的溫度下降到設定溫度後，再次設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為P1；分別檢測頻率為f1，功率為P1時的通電時間和斷電時間或者檢測超聲波或兆聲波電源每個輸出波形的振幅；將檢測到的通電時間和預設時間T1進行比較，或者將檢測到的斷電時間和預設時間T2進行比較，或者將檢測到的每個波形的振幅和預設值進行比較；如果檢測到的通電時間比預設時間T1長，或者檢測到的斷電時間比預設時間T2短，或者檢測到的任一波形的振幅比預設值大，則關閉超聲波或兆聲波電源並發出報警信號。
简体摘要：一种使用超声波或兆声波设备清洗半导体衬底且不损伤半导体衬底上的图案化结构的方法，包括：将液体喷射到半导体衬底和超声波或兆声波设备之间的间隙中；设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1以驱动超声波或兆声波设备；在液体中的气穴振荡损伤半导体衬底上的图案化结构之前，设置超声波或兆声波电源的输出为零；待气泡内的温度下降到设置温度后，再次设置超声波或兆声波电源的频率为f1，功率为P1；分别检测频率为f1，功率为P1时的通电时间和断电时间或者检测超声波或兆声波电源每个输出波形的振幅；将检测到的通电时间和默认时间T1进行比较，或者将检测到的断电时间和默认时间T2进行比较，或者将检测到的每个波形的振幅和默认值进行比较；如果检测到的通电时间比默认时间T1长，或者检测到的断电时间比默认时间T2短，或者检测到的任一波形的振幅比默认值大，则关闭超声波或兆声波电源并发出报警信号。

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