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121. 发明专利

TWI591754B 由靜電夾頭移除受損的環氧樹脂之方法有权
简体标题：由静电夹头移除受损的环氧树脂之方法
公开(公告)号：TWI591754B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102134150
申请日：2013-09-23
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：侍宏 , SHIH, HONG , 黃拓川 , HUANG, TUOCHUAN , 方彥 , FANG, YAN , 拉庫克斯克里夫 , LACROIX, CLIFF , 牛頓尼爾 , NEWTON, NEAL , 察翠瑞許 , CHHATRE, RISH
IPC分类号： H01L21/683 , B29B17/00
CPC分类号： H01L21/6833 , B08B1/00 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B7/00 , B08B7/0071

122. 发明专利

TWI591744B 電漿處理腔室中採用之真空密封裝置有权
简体标题：等离子处理腔室中采用之真空密封设备
公开(公告)号：TWI591744B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101118211
申请日：2012-05-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/18
CPC分类号： H01L21/67126 , F16J15/062

123. 发明专利

TWI591720B 於快速氣體切換有用之電漿蝕刻室用腔室塡充物套組有权
简体标题：于快速气体切换有用之等离子蚀刻室用腔室填充物套组
公开(公告)号：TWI591720B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102109025
申请日：2013-03-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可卻斯尼瓊 , MCCHESNEY, JON , 帕那格普洛斯席爾 , PANAGOPOULOS, THEO , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 布雷爾克雷格 , BLAIR, CRAIG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C16/4404 , H01J37/321 , H01J37/32458 , H01L21/30655

124. 发明专利

TWI591684B 使用分布型非同心狀多區域電漿源的處理腔室、電漿產生方法及電漿處理系統有权
简体标题：使用分布型非同心状多区域等离子源的处理腔室、等离子产生方法及等离子处理系统
公开(公告)号：TWI591684B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105114671
申请日：2012-11-16
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：山吉阿里 , SHAJII,ALI , 古思喬理查 , GOTTSCHO,RICHARD , 班薩若克桑希爾 , BENZERROUK,SOUHEIL , 寇威安德魯 , COWE,ANDREW , 那嘉卡地希達哈斯 P , NAGARKATTI,SIDDHARTH P. , 安特力威廉 R , ENTLEY,WILLIAM R.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32816 , H01J2237/334 , H05H1/50 , H05H2001/4682

125. 发明专利

TWI590716B 電漿處理設備用之複合噴淋頭電極組件有权
简体标题：等离子处理设备用之复合喷淋头电极组件
公开(公告)号：TWI590716B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW098127374
申请日：2009-08-14
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32605 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49401 , Y10T29/49428 , Y10T29/49769 , Y10T29/49895 , Y10T29/49959 , Y10T156/10

126. 发明专利

TW201724306A 用於臨界尺寸一致性之最佳化的半導體腔室操作參數之決定审中-公开
简体标题：用于临界尺寸一致性之最优化的半导体腔室操作参数之决定
公开(公告)号：TW201724306A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105120875
申请日：2016-07-01
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：鍾青華 , ZHONG, QINGHUA , 馬丁萊恩 , MARTIN, RYAN , 屋帕海葉甘納許 , UPADHYAYA, GANESH
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32926 , H01J37/3299 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：呈現基板處理期間用於最佳化臨界尺寸一致性(CDU)的方法、系統、及電腦程式。方法包含識別用以在腔室中處理基板的配方之操作，操作配置以提供脈衝式射頻(RF)至腔室。針對使用脈衝式RF的操作在腔室中執行複數測試，各測試具有針對脈衝式RF的工作週期，工作週期係選自複數RF工作週期。方法亦包括針對各測試，量測基板中之特徵部的臨界尺寸(CD)及CDU，並基於複數測試量得的CDs與CDUs從複數RF工作週期選擇第一工作週期。方法亦包括將所選之第一工作週期設定在用以處理基板的配方的操作中。
简体摘要：呈现基板处理期间用于最优化临界尺寸一致性(CDU)的方法、系统、及电脑进程。方法包含识别用以在腔室中处理基板的配方之操作，操作配置以提供脉冲式射频(RF)至腔室。针对使用脉冲式RF的操作在腔室中运行复数测试，各测试具有针对脉冲式RF的工作周期，工作周期系选自复数RF工作周期。方法亦包括针对各测试，量测基板中之特征部的临界尺寸(CD)及CDU，并基于复数测试量得的CDs与CDUs从复数RF工作周期选择第一工作周期。方法亦包括将所选之第一工作周期设置在用以处理基板的配方的操作中。

127. 发明专利

TW201724251A 高選擇性無氧氮化矽蝕刻审中-公开
简体标题：高选择性无氧氮化硅蚀刻
公开(公告)号：TW201724251A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105116199
申请日：2016-05-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 許城俊 , HEO, SEONGJUN , 吳奇祥 , WU, CHIH-HSIANG , 陳英瑞 , CHEN, YING-REN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/6831
摘要：提供一種相對於氧化矽選擇性地蝕刻氮化矽的方法。提供無氧之氮化矽蝕刻氣體，其包含H2及CF4或CXHYFZ（X≥1，Y≥1，Z≥1）。提供RF功率以將該蝕刻氣體形成為電漿，其中氮化矽係曝露於該電漿。
简体摘要：提供一种相对于氧化硅选择性地蚀刻氮化硅的方法。提供无氧之氮化硅蚀刻气体，其包含H2及CF4或CXHYFZ（X≥1，Y≥1，Z≥1）。提供RF功率以将该蚀刻气体形成为等离子，其中氮化硅系曝露于该等离子。

128. 发明专利

TW201724198A 基於改善邊緣膜厚均勻性之目的之電漿限制與晶圓邊緣的分離审中-公开
简体标题：基于改善边缘膜厚均匀性之目的之等离子限制与晶圆边缘的分离
公开(公告)号：TW201724198A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118317
申请日：2016-06-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謝赫法亞茲 , SHAIKH, FAYAZ , 談太德 , TAN, TAIDE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/365
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J2237/20 , H01J2237/332
摘要：用以實施沉積製程的腔室包含用以支持半導體晶圓的支座。矽環設置在支座上並圍繞半導體晶圓。矽環具有接近半導體晶圓厚度的環厚度。矽環具有環寬度，其將界定在半導體晶圓上方的製程區延伸至界定在半導體晶圓及矽環上方的製程區。由介電材料所界定的侷限環被設置在支座上並圍繞矽環。亦包括具有中央噴淋頭區域及延伸噴淋頭區域的噴淋頭。中央噴淋頭區域實質上設置在半導體晶圓及矽環上方。延伸噴淋頭區域實質上設置在侷限環上方。矽環的環寬度擴大了被暴露的半導體晶圓的表面積，並且使半導體晶圓上的沉積材料的不均勻性效應從半導體晶圓之邊緣轉移至矽環的外側邊緣。
简体摘要：用以实施沉积制程的腔室包含用以支持半导体晶圆的支座。硅环设置在支座上并围绕半导体晶圆。硅环具有接近半导体晶圆厚度的环厚度。硅环具有环宽度，其将界定在半导体晶圆上方的制程区延伸至界定在半导体晶圆及硅环上方的制程区。由介电材料所界定的局限环被设置在支座上并围绕硅环。亦包括具有中央喷淋头区域及延伸喷淋头区域的喷淋头。中央喷淋头区域实质上设置在半导体晶圆及硅环上方。延伸喷淋头区域实质上设置在局限环上方。硅环的环宽度扩大了被暴露的半导体晶圆的表面积，并且使半导体晶圆上的沉积材料的不均匀性效应从半导体晶圆之边缘转移至硅环的外侧边缘。

129. 发明专利

TW201724197A 具有抗電漿蝕刻塗層之電漿蝕刻裝置审中-公开
简体标题：具有抗等离子蚀刻涂层之等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW201724197A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105116948
申请日：2016-05-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：森特聖基特 , SANT, SANKET
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/321 , H01J37/3244
摘要：本說明書提供用於處理基板的設備。腔室壁形成處理腔室孔腔。用於支撐基板的基板支撐體係位於處理腔室孔腔內。用於將氣體供應至處理腔室中的氣體入口係位於基板之表面的上方。用於將射頻(RF)功率傳遞至處理腔室孔腔的窗口包含陶瓷或石英窗體，及在陶瓷窗體之表面上的下列至少一者之塗層：氧化鉺、氟化鉺、氧化釤、氟化釤、氧化銩、氟化銩、氧化釓、或氟化釓。線圈係位於處理腔室孔腔的外部，其中窗口係位於處理腔室孔腔與線圈之間。
简体摘要：本说明书提供用于处理基板的设备。腔室壁形成处理腔室孔腔。用于支撑基板的基板支撑体系位于处理腔室孔腔内。用于将气体供应至处理腔室中的气体入口系位于基板之表面的上方。用于将射频(RF)功率传递至处理腔室孔腔的窗口包含陶瓷或石英窗体，及在陶瓷窗体之表面上的下列至少一者之涂层：氧化铒、氟化铒、氧化钐、氟化钐、氧化铥、氟化铥、氧化钆、或氟化钆。线圈系位于处理腔室孔腔的外部，其中窗口系位于处理腔室孔腔与线圈之间。

130. 发明专利

TW201721751A 鎢與其他金屬之原子層蝕刻审中-公开
简体标题：钨与其他金属之原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201721751A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105126506
申请日：2016-08-19
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：楊文兵 , YANG, WENBING , 陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 沈美華 , SHEN, MEIHUA , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/3213 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F4/00 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , Y10S148/042 , Y10S438/924
摘要：本說明書提供包含鎢(W)及鈷(Co)之金屬的原子層蝕刻(ALE, atomic layer etching)方法。本說明書中所揭露之該方法提供小至原子層級之精確的蝕刻控制，其中在若干實施例中，每循環蝕刻少如1 Å至10 Å。在若干實施例中，在不損害目標之表面的情況下提供方向性控制。該方法可包含用以形成反應性層之複數循環的改質操作，其後為用以蝕刻僅此經改質層的移除操作。該改質作用在不會自發性地蝕刻金屬表面的情況下執行。
简体摘要：本说明书提供包含钨(W)及钴(Co)之金属的原子层蚀刻(ALE, atomic layer etching)方法。本说明书中所揭露之该方法提供小至原子层级之精确的蚀刻控制，其中在若干实施例中，每循环蚀刻少如1 Å至10 Å。在若干实施例中，在不损害目标之表面的情况下提供方向性控制。该方法可包含用以形成反应性层之复数循环的改质操作，其后为用以蚀刻仅此经改质层的移除操作。该改质作用在不会自发性地蚀刻金属表面的情况下运行。

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