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1. 发明专利

TW201721751A 鎢與其他金屬之原子層蝕刻审中-公开
简体标题：钨与其他金属之原子层蚀刻
公开(公告)号：TW201721751A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105126506
申请日：2016-08-19
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：楊文兵 , YANG, WENBING , 陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 凱那瑞克凱倫賈考柏思 , KANARIK, KEREN JACOBS , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 沈美華 , SHEN, MEIHUA , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L21/3213 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F4/00 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , Y10S148/042 , Y10S438/924
摘要：本說明書提供包含鎢(W)及鈷(Co)之金屬的原子層蝕刻(ALE, atomic layer etching)方法。本說明書中所揭露之該方法提供小至原子層級之精確的蝕刻控制，其中在若干實施例中，每循環蝕刻少如1 Å至10 Å。在若干實施例中，在不損害目標之表面的情況下提供方向性控制。該方法可包含用以形成反應性層之複數循環的改質操作，其後為用以蝕刻僅此經改質層的移除操作。該改質作用在不會自發性地蝕刻金屬表面的情況下執行。
简体摘要：本说明书提供包含钨(W)及钴(Co)之金属的原子层蚀刻(ALE, atomic layer etching)方法。本说明书中所揭露之该方法提供小至原子层级之精确的蚀刻控制，其中在若干实施例中，每循环蚀刻少如1 Å至10 Å。在若干实施例中，在不损害目标之表面的情况下提供方向性控制。该方法可包含用以形成反应性层之复数循环的改质操作，其后为用以蚀刻仅此经改质层的移除操作。该改质作用在不会自发性地蚀刻金属表面的情况下运行。

2. 发明专利

TW272306B 用於形成至一摻雜區之通孔的方法失效
简体标题：用于形成至一掺杂区之通孔的方法
公开(公告)号：TW272306B
公开(公告)日：1996-03-11
申请号：TW082103327
申请日：1993-04-29
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：約瑟夫威納爾 , 華爾特紐慕勒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L21/76802 , Y10S438/924
摘要：一摻雜區(2)形成在一基體(1)內，使其受限於至少在此基體(1)表面的絕緣區(5)。一未摻雜矽層(6)全表面地沉積。確定疊置於通孔 (10) 區域的摻雜區 (61) 選擇性地形成在此矽層(6)內。相對於此摻雜區(61)，矽層(6)的未摻雜部分選擇性地去除。一絕緣層(9)全表面地形成，選擇性地相對於矽層(6)的摻雜區 (61) 以異方性蝕刻在此絕緣層(9)內開通一通孔(10)。此方法是適合在晶格場內具有Ｐ型通道MOSFETs的DRAMs內的節省空間的位元線接觸點的製造。
简体摘要：一掺杂区(2)形成在一基体(1)内，使其受限于至少在此基体(1)表面的绝缘区(5)。一未掺杂硅层(6)全表面地沉积。确定叠置于通孔 (10) 区域的掺杂区 (61) 选择性地形成在此硅层(6)内。相对于此掺杂区(61)，硅层(6)的未掺杂部分选择性地去除。一绝缘层(9)全表面地形成，选择性地相对于硅层(6)的掺杂区 (61) 以异方性蚀刻在此绝缘层(9)内开通一通孔(10)。此方法是适合在晶格场内具有Ｐ型信道MOSFETs的DRAMs内的节省空间的比特线接触点的制造。

3. 发明专利

TWI421918B 形成以碳奈米管為基礎的接觸件至半導體之方法有权
简体标题：形成以碳奈米管为基础的接触件至半导体之方法
公开(公告)号：TWI421918B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW097106049
申请日：2008-02-21
申请人：奈特洛公司 , NANTERO, INC.
发明人：沃爾德 , WARD, JONATHAN W. , 史拉卡 , SCHLATKA, BENJAMIN , 米契爾 , MEINHOLD, MITCHELL , 史密斯 , SMITH, ROBERT F. , 沙貝特 , SEGAL, BRENT M.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L33/00 , H01L29/45
CPC分类号： H01L33/40 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/452 , H01L33/32 , Y10S438/924 , Y10T428/30 , Y10T428/31678

4. 发明专利

TW200522181A 改變薄膜之蝕刻選擇性之方法 A METHOD OF VARYING ETCH SELECTIVITIES OF A FILM 审中-公开
简体标题：改变薄膜之蚀刻选择性之方法 A METHOD OF VARYING ETCH SELECTIVITIES OF A FILM
公开(公告)号：TW200522181A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093124988
申请日：2004-08-19
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：賈斯汀K 布雷斯克 BRASK, JUSTIN K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/28079 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/30612 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/823842 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/785 , Y10S438/924
摘要：一種圖案化結晶薄膜之方法。在一第一區域及一第二區域內提供一具有一包括第一原子之退化晶格(degenerate lattice)之結晶薄膜。摻雜物取代該第一區域中之該等第一原子，以在該第一區域內形成一非退化結晶薄膜。將該第一區域及該第二區域曝露至一濕蝕刻劑，其中該濕蝕刻劑蝕刻該第二區域內之退化晶格而不蝕刻該第一區域內之非退化晶格。
简体摘要：一种图案化结晶薄膜之方法。在一第一区域及一第二区域内提供一具有一包括第一原子之退化晶格(degenerate lattice)之结晶薄膜。掺杂物取代该第一区域中之该等第一原子，以在该第一区域内形成一非退化结晶薄膜。将该第一区域及该第二区域曝露至一湿蚀刻剂，其中该湿蚀刻剂蚀刻该第二区域内之退化晶格而不蚀刻该第一区域内之非退化晶格。

5. 发明专利

TWI302997B TFT陣列基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING TFT ARRAY SUBSTRATE 有权
简体标题： TFT数组基板之制造方法 METHOD OF FABRICATING TFT ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI302997B
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：TW093119058
申请日：2004-06-29
申请人： LG顯示器股份有限公司 LG DISPLAY CO., LTD.
发明人：俞載成 JAE SUNG YOU
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136277 , G02F2001/136231 , Y10S438/924
摘要：一種TFT陣列基板之製造方法,可大幅縮減所須製程
和製造成本,上述液晶顯示裝置之製造方法具有一特徵,
利用局部晶化一非晶矽以形成一多晶矽圖案,同時間以相
同條件對非晶矽及多晶矽圖案進行蝕刻,使其上之非晶矽
被移除,僅留多晶矽圖案於基板表面。
简体摘要：一种TFT数组基板之制造方法,可大幅缩减所须制程和制造成本,上述液晶显示设备之制造方法具有一特征, 利用局部晶化一非晶硅以形成一多晶硅图案,同时间以相同条件对非晶硅及多晶硅图案进行蚀刻,使其上之非晶硅被移除,仅留多晶硅图案于基板表面。

6. 发明专利

TW200500727A 液晶顯示裝置及其製造方法 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：液晶显示设备及其制造方法 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200500727A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093119058
申请日：2004-06-29
申请人： LG菲利普液晶顯示股份有限公司 LG. PHILIPS LCD CO., LTD.
发明人：俞載成 JAE SUNG YOU
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02F1/136277 , G02F2001/136231 , Y10S438/924
摘要：一種液晶顯示裝置及其製造方法，可大幅縮減所須製程和製造成本，上述液晶顯示裝置之製造方法具有一特徵，利用局部晶化一非晶矽以形成一多晶矽圖案，同時間以相同條件對非晶矽及多晶矽圖案進行蝕刻，使其上之非晶矽被移除，僅留多晶矽圖案於基板表面。
简体摘要：一种液晶显示设备及其制造方法，可大幅缩减所须制程和制造成本，上述液晶显示设备之制造方法具有一特征，利用局部晶化一非晶硅以形成一多晶硅图案，同时间以相同条件对非晶硅及多晶硅图案进行蚀刻，使其上之非晶硅被移除，仅留多晶硅图案于基板表面。

7. 发明专利

TW459275B 半導體裝置及其製法有权
简体标题：半导体设备及其制法
公开(公告)号：TW459275B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW089112657
申请日：2000-06-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：平形吉晴 , 後藤裕吾 , 小林優子 , 山崎舜平
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/133512 , G02F1/1341 , G02F1/134309 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/167 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78669 , H01L2029/7863 , H01L2924/0002 , Y10S438/924 , Y10S438/98 , H01L2924/00
摘要：提供一種高品質的液晶顯示器，其設計上不需粒狀隔體，並依據液晶使用的範圍及驅動方法而自由的加以設計，並有關製作此液晶顯示器的方法。用以保持基底間隔的隔體為圓柱形，曲率半徑R小於等於2μm，高度H為0.5至10μm，直徑小於等於20μm，且夾角為65°至15°。藉此，可避免開關率的降低並防止因方向擾動而造成的光漏損。
简体摘要：提供一种高品质的液晶显示器，其设计上不需粒状隔体，并依据液晶使用的范围及驱动方法而自由的加以设计，并有关制作此液晶显示器的方法。用以保持基底间隔的隔体为圆柱形，曲率半径R小于等于2μm，高度H为0.5至10μm，直径小于等于20μm，且夹角为65°至15°。借此，可避免开关率的降低并防止因方向扰动而造成的光漏损。

8. 发明专利

TWI404212B 薄膜電晶體陣列面板及其製造之方法有权
简体标题：薄膜晶体管数组皮肤及其制造之方法
公开(公告)号：TWI404212B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW094123767
申请日：2005-07-13
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：趙範錫 , CHO, BEOM-SEOK , 裴良浩 , BAE, YANG-HO , 李制勳 , LEE, JE-HUN , 鄭敞午 , JEONG, CHANG-OH
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924

9. 发明专利

TW200845155A 形成以碳奈米管為基礎的接觸件至半導體之方法 METHOD OF FORMING A CARBON NANOTUBE-BASED CONTACT TO SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：形成以碳奈米管为基础的接触件至半导体之方法 METHOD OF FORMING A CARBON NANOTUBE-BASED CONTACT TO SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200845155A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097106049
申请日：2008-02-21
申请人：奈特洛公司 NANTERO, INC.
发明人：沃爾德 WARD, JONATHAN W. , 史拉卡 SCHLATKA, BENJAMIN , 米契爾 MEINHOLD, MITCHELL , 史密斯 SMITH, ROBERT F. , 沙貝特 SEGAL, BRENT M.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/417 , H01L29/452 , H01L33/32 , Y10S438/924 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要：通常被用於光學應用之半導體材料P型氮化鎵(p-GaN),在形成低阻値歐姆電接觸件,以使電接觸件對於發光裝置而言為高度透明時,製造商係遭遇了限制。由於碳奈米管(CNT)結合了金屬與半導電的特性,以及CNT織物具有高度光學透明度,因此碳奈米管可解決此問題。接觸件系統的物理結構可被分解為三個部分:a)GaN、b)界面材料與c)金屬導體。界面材料的角色在於與GaN及金屬兩者產生適當的接觸,並因此使GaN能夠與作為裝置及外部電路之界面的金屬導體產生良好的電接觸。本發明提供的方法利用CNT與金屬來製造與GaN之接觸,並同時維持GaN表面之保護。
简体摘要：通常被用于光学应用之半导体材料P型氮化镓(p-GaN),在形成低阻値欧姆电接触件,以使电接触件对于发光设备而言为高度透明时,制造商系遭遇了限制。由于碳奈米管(CNT)结合了金属与半导电的特性,以及CNT织物具有高度光学透明度,因此碳奈米管可解决此问题。接触件系统的物理结构可被分解为三个部分:a)GaN、b)界面材料与c)金属导体。界面材料的角色在于与GaN及金属两者产生适当的接触,并因此使GaN能够与作为设备及外部电路之界面的金属导体产生良好的电接触。本发明提供的方法利用CNT与金属来制造与GaN之接触,并同时维持GaN表面之保护。

10. 发明专利

TW200614514A 薄膜電晶體陣列面板及其製造之方法 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组皮肤及其制造之方法 THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200614514A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094123767
申请日：2005-07-13
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：趙範錫 CHO, BEOM-SEOK , 裴良浩 BAE, YANG-HO , 李制勳 LEE, JE-HUN , 鄭敞午 JEONG, CHANG-OH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
摘要：本發明提供一種TFT陣列面板及其製造方法，該TFT陣列面板具有數個信號線，該等信號線包括一含Al金屬之下層及一鉬合金(Mo合金)之上層，該鉬合金包括鉬(Mo)與鈮(Nb)、釩(V)及鈦(Ti)中至少之一。因此，避免了於蝕刻製程中可能發生之底切、懸垂及缺口，並提供具有具有低電阻率及良好接觸特性之信號線的TFT陣列面板。
简体摘要：本发明提供一种TFT数组皮肤及其制造方法，该TFT数组皮肤具有数个信号线，该等信号线包括一含Al金属之下层及一钼合金(Mo合金)之上层，该钼合金包括钼(Mo)与铌(Nb)、钒(V)及钛(Ti)中至少之一。因此，避免了于蚀刻制程中可能发生之底切、悬垂及缺口，并提供具有具有低电阻率及良好接触特性之信号线的TFT数组皮肤。

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