专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201816917A 用於介電蝕刻腔室之腔室填充物套組审中-公开
简体标题：用于介电蚀刻腔室之腔室填充物套组
公开(公告)号：TW201816917A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106121340
申请日：2017-06-27
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：湯班森 Q , TONG, BENSON Q. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 霍藍德約翰 , HOLLAND, JOHN , 白斯萊恩 , BISE, RYAN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
摘要：提供一種在一介電蝕刻腔室中用於平衡電場的腔室填充物套組。一傳送模組填充物包含：一電導體；一抗蝕刻表面，其中該抗蝕刻表面包含匹配該蝕刻腔室之一部分圓柱狀的孔之一內彎曲表面；及一晶圓傳送口孔，其中該傳送模組填充物係裝配進該蝕刻腔室的一傳送口孔中。一傳送模組密封板係配置成機械及電連接至該部分圓柱狀的腔體及該傳送模組填充物。一偏壓外罩填充物係配置成機械及電連接至一偏壓外罩壁且包含一導體及一抗蝕刻表面，其中該抗蝕刻表面包含匹配該部分圓柱狀的孔之一彎曲表面。
简体摘要：提供一种在一介电蚀刻腔室中用于平衡电场的腔室填充物套组。一发送模块填充物包含：一电导体；一抗蚀刻表面，其中该抗蚀刻表面包含匹配该蚀刻腔室之一部分圆柱状的孔之一内弯曲表面；及一晶圆发送口孔，其中该发送模块填充物系装配进该蚀刻腔室的一发送口孔中。一发送模块密封板系配置成机械及电连接至该部分圆柱状的腔体及该发送模块填充物。一偏压外罩填充物系配置成机械及电连接至一偏压外罩壁且包含一导体及一抗蚀刻表面，其中该抗蚀刻表面包含匹配该部分圆柱状的孔之一弯曲表面。

2. 发明专利

TWI591716B 原子層蝕刻用之方法與設備有权
简体标题：原子层蚀刻用之方法与设备
公开(公告)号：TWI591716B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101125634
申请日：2012-07-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/76814

3. 发明专利

TWI541517B 多工加熱器陣列用之失效偵測方法有权
简体标题：多任务加热器数组用之失效侦测方法
公开(公告)号：TWI541517B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100135308
申请日：2011-09-29
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： G01R31/00 , H01L21/683
CPC分类号： H05B1/0233 , H01L21/67109 , H01L21/67288

4. 发明专利

TW201539607A 電漿處理設備及該設備之具有決定其溫度之光纖的元件审中-公开
简体标题：等离子处理设备及该设备之具有决定其温度之光纤的组件
公开(公告)号：TW201539607A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103143610
申请日：2014-12-15
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32522 , H01J37/32917 , H01J37/32935 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要：一種用以處理半導體基板之電漿處理設備包含半導體基板係在其中受到處理之電漿處理腔室。製程氣體源係與電漿處理腔室流體連通，並用以將製程氣體供應至該電漿處理腔室中。RF能量源係用以在電漿處理腔室中將製程氣體充能成電漿態。製程氣體及電漿處理之副產物係從電漿處理腔室穿過真空口排放。電漿處理設備之至少一元件包含側向延伸的光纖及溫度監測配置，側向延伸的該光纖係在該元件之電漿曝露的表面下方處，該表面之空間溫度量測係希望於該處進行，該溫度監測配置係耦接至該光纖，俾以監測沿著該光纖之不同位置的溫度。
简体摘要：一种用以处理半导体基板之等离子处理设备包含半导体基板系在其中受到处理之等离子处理腔室。制程气体源系与等离子处理腔室流体连通，并用以将制程气体供应至该等离子处理腔室中。RF能量源系用以在等离子处理腔室中将制程气体充能成等离子态。制程气体及等离子处理之副产物系从等离子处理腔室穿过真空口排放。等离子处理设备之至少一组件包含侧向延伸的光纤及温度监测配置，侧向延伸的该光纤系在该组件之等离子曝露的表面下方处，该表面之空间温度量测系希望于该处进行，该温度监测配置系耦接至该光纤，俾以监测沿着该光纤之不同位置的温度。

5. 发明专利

TW201517165A 用於腔室內及腔室至腔室匹配之具有多參數的蝕刻速率模型化及其使用审中-公开
简体标题：用于腔室内及腔室至腔室匹配之具有多参数的蚀刻速率模型化及其使用
公开(公告)号：TW201517165A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103125354
申请日：2014-07-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：微寇爾小約翰C , VALCORE, JOHN C. JR. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 普瓦尼亨利 , POVOLNY, HENRY
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32926 , G05B19/418 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：一種方法，包括：接收於第一電漿系統的RF產生器之輸出端所測量到的電壓及電流、並基於該電壓、該電流、及一功率而計算第一模型蝕刻速率。該方法更包括：接收於第二電漿系統的RF產生器之輸出端所測量到的電壓及電流、基於在第二電漿系統的RF產生器之輸出端的電壓及電流而判定一第二模型蝕刻速率、及對第二模型蝕刻速率與第一模型蝕刻速率進行比較。該方法包括：一旦判定第二模型蝕刻速率與第一模型蝕刻速率不匹配，則調整在第二電漿系統之RF產生器之輸出端的功率以達成與第一電漿系統相關聯之第一模型蝕刻速率。該方法係由處理器來執行。
简体摘要：一种方法，包括：接收于第一等离子系统的RF产生器之输出端所测量到的电压及电流、并基于该电压、该电流、及一功率而计算第一模型蚀刻速率。该方法更包括：接收于第二等离子系统的RF产生器之输出端所测量到的电压及电流、基于在第二等离子系统的RF产生器之输出端的电压及电流而判定一第二模型蚀刻速率、及对第二模型蚀刻速率与第一模型蚀刻速率进行比较。该方法包括：一旦判定第二模型蚀刻速率与第一模型蚀刻速率不匹配，则调整在第二等离子系统之RF产生器之输出端的功率以达成与第一等离子系统相关联之第一模型蚀刻速率。该方法系由处理器来运行。

6. 发明专利

TW201511067A 半導體製造用之內部電漿格柵审中-公开
简体标题：半导体制造用之内部等离子格栅
公开(公告)号：TW201511067A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103112593
申请日：2014-04-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI, VAHID , 派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 堤圖司莫妮卡 , TITUS, MONICA , 卡麥希葛瑞 , KAMARTHY, GOWRI
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136
摘要：本文中的實施例係關於蝕刻半導體基板的方法及設備。一電漿格柵組件係置於一反應室中以將該反應室分隔為上子室與下子室。該電漿格柵組件可包含一或多個電漿格柵，格柵具有特定高寬比的槽口讓某些物種得以從上子室通過格柵而到達下子室。當使用複數電漿格柵時，格柵中的一或多者為可動的，俾以維持至少該下子室中的電漿條件。在某些情況中，在上子室中產生電子-離子電漿。通過格柵而到達下子室的電子會因為通過格柵而變冷。在某些情況中，這會導致在下子室中的離子-離子電漿。
简体摘要：本文中的实施例系关于蚀刻半导体基板的方法及设备。一等离子格栅组件系置于一反应室中以将该反应室分隔为上子室与下子室。该等离子格栅组件可包含一或多个等离子格栅，格栅具有特定高宽比的槽口让某些物种得以从上子室通过格栅而到达下子室。当使用复数等离子格栅时，格栅中的一或多者为可动的，俾以维持至少该下子室中的等离子条件。在某些情况中，在上子室中产生电子-离子等离子。通过格栅而到达下子室的电子会因为通过格栅而变冷。在某些情况中，这会导致在下子室中的离子-离子等离子。

7. 发明专利

TW201318100A 具有晶圓背側電漿輔助釋放作用的靜電卡盤审中-公开
简体标题：具有晶圆背侧等离子辅助释放作用的静电卡盘
公开(公告)号：TW201318100A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101125635
申请日：2012-07-17
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：席恩哈密特 , SINGH, HARMEET
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831
摘要：一種用於一電漿處理室的靜電卡盤組件，包括一陶瓷材料層的一支撐面，一半導體晶圓在電漿處理室中處理時被支撐於支撐面上；至少一靜電夾持電極，其當一靜電夾持電壓施加至夾持電極時，施加一靜電夾持力至支撐面上的晶圓；至少一支撐面中的出口，其輸送熱傳輸氣體至晶圓的一底側；至少一氣體通道，其連接至熱傳輸氣體的一氣體源，可操作地以一所需氣壓供應該熱傳輸氣體到至少一氣體通道；至少一孔穴與沿至少一氣體通道的電漿產生電極，電漿產生電極可操作地在孔穴中形成一釋放電漿，釋放電漿係有效地中和晶圓底側與靜電卡盤的支撐面上的電荷，從而降低晶圓與支撐面之間的殘留粘附力。
简体摘要：一种用于一等离子处理室的静电卡盘组件，包括一陶瓷材料层的一支撑面，一半导体晶圆在等离子处理室中处理时被支撑于支撑面上；至少一静电夹持电极，其当一静电夹持电压施加至夹持电极时，施加一静电夹持力至支撑面上的晶圆；至少一支撑面中的出口，其输送热传输气体至晶圆的一底侧；至少一气体信道，其连接至热传输气体的一气体源，可操作地以一所需气压供应该热传输气体到至少一气体信道；至少一孔穴与沿至少一气体信道的等离子产生电极，等离子产生电极可操作地在孔穴中形成一释放等离子，释放等离子系有效地中和晶圆底侧与静电卡盘的支撑面上的电荷，从而降低晶圆与支撑面之间的残留粘附力。

8. 发明专利

TW201308473A 半導體處理用之電子射束增強之解偶源审中-公开
简体标题：半导体处理用之电子射束增强之解偶源
公开(公告)号：TW201308473A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101112870
申请日：2012-04-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 品川淳 , SHINAGAWA, JUN , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA
IPC分类号： H01L21/67
摘要：一種半導體基板處理系統，包含處理室及定義成在處理室中支持基板的基板支持件。該系統亦包含與該處理室分隔而定義的電漿腔室。該電漿腔室係定義成產生電漿。該系統亦包含複數流體傳輸路徑，使電漿腔室流體連接至處理室。該複數流體傳輸路徑係定義成自電漿腔室供給電漿之反應性成份至處理室。該系統更包含複數功率輸送構件，定義成輸送功率至複數流體傳輸路徑，以在複數流體傳輸路徑內產生輔助電漿。複數流體傳輸路徑係定義成供給輔助電漿之反應性成份至處理室。
简体摘要：一种半导体基板处理系统，包含处理室及定义成在处理室中支持基板的基板支持件。该系统亦包含与该处理室分隔而定义的等离子腔室。该等离子腔室系定义成产生等离子。该系统亦包含复数流体传输路径，使等离子腔室流体连接至处理室。该复数流体传输路径系定义成自等离子腔室供给等离子之反应性成份至处理室。该系统更包含复数功率输送构件，定义成输送功率至复数流体传输路径，以在复数流体传输路径内产生辅助等离子。复数流体传输路径系定义成供给辅助等离子之反应性成份至处理室。

9. 发明专利

TW201308472A 半導體處理用之電子射束增強之解偶源审中-公开
简体标题：半导体处理用之电子射束增强之解偶源
公开(公告)号：TW201308472A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101112868
申请日：2012-04-11
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：霍藍德約翰派翠克 , HOLLAND, JOHN PATRICK , 凡特薩克彼得L G , VENTZEK, PETER L. G. , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 品川淳 , SHINAGAWA, JUN , 輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA
IPC分类号： H01L21/67
摘要：一種半導體基板處理系統，包含處理室及定義成在處理室中支持基板的基板支持件。該系統亦包含與該處理室分隔而定義的電漿腔室。該電漿腔室係定義成產生電漿。該系統亦包含複數流體傳輸路徑，使電漿腔室流體連接至處理室。該複數流體傳輸路徑係定義成自電漿腔室供給電漿之反應性成份至處理室。該系統更包含電子注入裝置，用以注入電子至處理室中，俾控制處理室內之電子能量分佈，以因此控制處理室內的離子對自由基密度比率。在一實施例中，電子射束源係定義成傳輸電子射束通過基板支持件上方並橫跨基板支持件的處理室。
简体摘要：一种半导体基板处理系统，包含处理室及定义成在处理室中支持基板的基板支持件。该系统亦包含与该处理室分隔而定义的等离子腔室。该等离子腔室系定义成产生等离子。该系统亦包含复数流体传输路径，使等离子腔室流体连接至处理室。该复数流体传输路径系定义成自等离子腔室供给等离子之反应性成份至处理室。该系统更包含电子注入设备，用以注入电子至处理室中，俾控制处理室内之电子能量分布，以因此控制处理室内的离子对自由基密度比率。在一实施例中，电子射束源系定义成传输电子射束通过基板支持件上方并横跨基板支持件的处理室。

10. 发明专利

TWI665709B 半導體製造用之內部電漿格柵及使用該內部電漿格柵的設備、系統及方法有权
简体标题：半导体制造用之内部等离子格栅及使用该内部等离子格栅的设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI665709B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW103112591
申请日：2014-04-03
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：派特森艾立克斯 , PATERSON, ALEX , 席恩哈密特 , SINGH, HARMEET , 馬須理查A , MARSH, RICHARD A. , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI, VAHID , 吳垠 , WU, YING , 斯里拉曼沙拉維納布里恩 , SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN
IPC分类号： H01J37/305 , H01L21/3065

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式