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1. 发明专利

TW201921445A 基板之背側沉積系統及方法审中-公开
简体标题：基板之背侧沉积系统及方法
公开(公告)号：TW201921445A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126288
申请日：2018-07-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：納斯曼羅那得 , NASMAN, RONALD , 盧森克赫里特 J , LEUSINK, GERRIT J. , 羅賓森羅德尼 L , ROBISON, RODNEY L. , 姜浩莫 , KANG, HOYOUNG , 富爾福德丹尼爾 , FULFORD, DANIEL
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/365
摘要：在此之技術包含將薄膜沉積於晶圓之背側表面以減少晶圓翹曲與畸變的一處理腔室。一基板支架在晶圓的底部及/或側邊周圍提供環形周邊密封，此允許大部分的基板背側曝露於處理環境。被支撐的晶圓將該腔室分隔成提供不同處理環境的下與上腔室。處理腔室的下區段包含用以施加與移除薄膜的沉積硬體。上區段可保持化學惰性環境，以保護晶圓之頂表面上的既有特徵部。多個排放口與差異壓力被使用來防止沉積氣體接近晶圓的工作表面。
简体摘要：在此之技术包含将薄膜沉积于晶圆之背侧表面以减少晶圆翘曲与畸变的一处理腔室。一基板支架在晶圆的底部及/或侧边周围提供环形周边密封，此允许大部分的基板背侧曝露于处理环境。被支撑的晶圆将该腔室分隔成提供不同处理环境的下与上腔室。处理腔室的下区段包含用以施加与移除薄膜的沉积硬件。上区段可保持化学惰性环境，以保护晶圆之顶表面上的既有特征部。多个排放口与差异压力被使用来防止沉积气体接近晶圆的工作表面。

2. 发明专利

TWI645455B 基板處理設備有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI645455B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW105121664
申请日：2016-07-11
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：玄俊鎭 , HYON, JUN JIN , 諸成泰 , JE, SUNG TAE , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG GYU , 金龍基 , KIM, YONG KI , 金勁勳 , KIM, KYOUNG HUN , 金蒼乭 , KIM, CHANG DOL , 申良湜 , SHIN, YANG SIK , 金哉佑 , KIM, JAE WOO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/365

3. 发明专利

TW201828369A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201828369A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107107677
申请日：2013-06-28
申请人：南韓商周星工程有限公司 , JUSUNG ENGINEERING CO.,LTD.
发明人：郭在燦 , KWAK,JAE-CHAN , 姜成圭 , KANG,SUNG-KYU , 鄭勳 , JUNG,HUN , 趙炳夏 , CHO,BYOUNG-HA
IPC分类号： H01L21/365
摘要：一種基板處理設備於方法，有助於順序地或重複地在一個製程空間內部執行薄膜沈積製程與表面處理製程。一種基板處理設備包含︰製程腔室，用以提供製程空間；基板支架，用以支撐複數塊基板至少其一，以及沿預定方向移動被支撐的基板，其中基板支架係提供於製程腔室內部；腔室蓋，面對基板支架，腔室蓋用以覆蓋製程腔室之上側；以及氣體分配器，在空間上分隔用以在基板上沈積薄膜之製程氣體與用以完成薄膜之表面處理之表面處理氣體，以及將製程氣體與表面處理氣體局部分配到基板支架上，其中面對基板支架的氣體分配器係提供於腔室蓋中。
简体摘要：一种基板处理设备于方法，有助于顺序地或重复地在一个制程空间内部运行薄膜沉积制程与表面处理制程。一种基板处理设备包含︰制程腔室，用以提供制程空间；基板支架，用以支撑复数块基板至少其一，以及沿预定方向移动被支撑的基板，其中基板支架系提供于制程腔室内部；腔室盖，面对基板支架，腔室盖用以覆盖制程腔室之上侧；以及气体分配器，在空间上分隔用以在基板上沉积薄膜之制程气体与用以完成薄膜之表面处理之表面处理气体，以及将制程气体与表面处理气体局部分配到基板支架上，其中面对基板支架的气体分配器系提供于腔室盖中。

4. 发明专利

TW201824434A 氣體供應單元及包括氣體供應單元的基板處理裝置审中-公开
简体标题：气体供应单元及包括气体供应单元的基板处理设备
公开(公告)号：TW201824434A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106138119
申请日：2017-11-03
申请人：荷商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：金永勳 , KIM, YOUNG HOON , 韓鎔圭 , HAN, YONG GYU , 金大淵 , KIM, DAE YOUN , 張顯秀 , JANG, HYUN SOO , 李政鎬 , LEE, JEONG HO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/365
摘要：提供具有改進的膜處理均勻性的基板處理裝置。基板處理裝置包括配置成提供氣體供應通道的分隔件和連接到氣體供應通道的氣體供應單元。與氣體供應通道連通的氣流通道形成在氣體供應單元中。第一通孔形成為穿過分隔件的至少一部分。第二通孔形成為穿過氣體供應單元的至少一部分。第一通孔經由第二通孔與氣流通道連通。第二通孔布置在氣流通道的中心和邊緣之間，並且布置成與邊緣間隔開。
简体摘要：提供具有改进的膜处理均匀性的基板处理设备。基板处理设备包括配置成提供气体供应信道的分隔件和连接到气体供应信道的气体供应单元。与气体供应信道连通的气流信道形成在气体供应单元中。第一通孔形成为穿过分隔件的至少一部分。第二通孔形成为穿过气体供应单元的至少一部分。第一通孔经由第二通孔与气流信道连通。第二通孔布置在气流信道的中心和边缘之间，并且布置成与边缘间隔开。

5. 发明专利

TWI621193B 製程腔室氣體偵測系統及其操作方法有权
简体标题：制程腔室气体侦测系统及其操作方法
公开(公告)号：TWI621193B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW106120542
申请日：2017-06-20
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：程志偉 , CHENG, CHI WE , 陳佩瑜 , CHEN, PEU YU
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/365

6. 发明专利

TW201724198A 基於改善邊緣膜厚均勻性之目的之電漿限制與晶圓邊緣的分離审中-公开
简体标题：基于改善边缘膜厚均匀性之目的之等离子限制与晶圆边缘的分离
公开(公告)号：TW201724198A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118317
申请日：2016-06-13
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：謝赫法亞茲 , SHAIKH, FAYAZ , 談太德 , TAN, TAIDE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/365
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J2237/20 , H01J2237/332
摘要：用以實施沉積製程的腔室包含用以支持半導體晶圓的支座。矽環設置在支座上並圍繞半導體晶圓。矽環具有接近半導體晶圓厚度的環厚度。矽環具有環寬度，其將界定在半導體晶圓上方的製程區延伸至界定在半導體晶圓及矽環上方的製程區。由介電材料所界定的侷限環被設置在支座上並圍繞矽環。亦包括具有中央噴淋頭區域及延伸噴淋頭區域的噴淋頭。中央噴淋頭區域實質上設置在半導體晶圓及矽環上方。延伸噴淋頭區域實質上設置在侷限環上方。矽環的環寬度擴大了被暴露的半導體晶圓的表面積，並且使半導體晶圓上的沉積材料的不均勻性效應從半導體晶圓之邊緣轉移至矽環的外側邊緣。
简体摘要：用以实施沉积制程的腔室包含用以支持半导体晶圆的支座。硅环设置在支座上并围绕半导体晶圆。硅环具有接近半导体晶圆厚度的环厚度。硅环具有环宽度，其将界定在半导体晶圆上方的制程区延伸至界定在半导体晶圆及硅环上方的制程区。由介电材料所界定的局限环被设置在支座上并围绕硅环。亦包括具有中央喷淋头区域及延伸喷淋头区域的喷淋头。中央喷淋头区域实质上设置在半导体晶圆及硅环上方。延伸喷淋头区域实质上设置在局限环上方。硅环的环宽度扩大了被暴露的半导体晶圆的表面积，并且使半导体晶圆上的沉积材料的不均匀性效应从半导体晶圆之边缘转移至硅环的外侧边缘。

7. 发明专利

TWI584354B 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式有权
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及进程
公开(公告)号：TWI584354B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105120492
申请日：2016-06-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：竹田剛 , TAKEDA, TSUYOSHI , 菊池俊之 , KIKUCHI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/365
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/45542 , C23C16/52 , H01J37/32146 , H01J37/32155 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0234 , H01L22/10

8. 实用新型

TWM538656U 加熱器模組及薄膜沉積裝置有权
简体标题：加热器模块及薄膜沉积设备
公开(公告)号：TWM538656U
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105217286
申请日：2016-11-11
申请人：優材科技有限公司 , SULFURSCIENCE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：莊鎮宇 , JUANG, ZHEN YU , 章詠湟 , CHANG, YUNG HUANG , 李連忠 , LI, LAIN JONG , 王鶴偉 , WANG, HO WEI
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/365

9. 发明专利

TWI546846B 圖案化的方法與圖案化的裝置有权
简体标题：图案化的方法与图案化的设备
公开(公告)号：TWI546846B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103117261
申请日：2014-05-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：楊大弘 , YANG, TA HONE
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/365

10. 实用新型

TWM456580U 一種原位清潔第Ⅲ族元素和第Ｖ族元素化合物沉積反應腔的裝置有权
简体标题：一种原位清洁第Ⅲ族元素和第Ｖ族元素化合物沉积反应腔的设备
公开(公告)号：TWM456580U
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100216484
申请日：2011-09-02
申请人：中微半導體設備(上海)有限公司 , ADVANCED MICRO-FABRICATION EQUIPMENT (SHANGHAI) CO., LTD.
发明人：尹志堯 , 孟雙 , 杜志遊
IPC分类号： H01L21/365

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