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1. 发明专利

TW201448024A 在多層薄膜堆疊中蝕刻自對準穿孔及溝槽之方法审中-公开
简体标题：在多层薄膜堆栈中蚀刻自对准穿孔及沟槽之方法
公开(公告)号：TW201448024A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103102305
申请日：2014-01-22
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：英德肯提安納斯 , INDRAKANTI, ANANTH , 納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76832
摘要：一種多步驟蝕刻製程（其中，橢圓穿孔開口與溝槽開口係形成於介電質層中）包含以下步驟：將多層薄膜堆疊支撐於電漿蝕刻反應器中的溫控靜電夾盤上。多層薄膜堆疊具有介電質層及在該介電質層上的圖案化之金屬硬遮罩層。蝕刻劑氣體被供應至電漿蝕刻反應器。將蝕刻劑氣體激發為電漿態，並在將夾盤維持在約30℃至50℃的溫度之同時，將光阻中的穿孔開口轉移至平坦化層中、且接著轉移至圖案化之硬遮罩層中的溝槽開口之橢圓部分中。在將夾盤維持在20℃或以下的溫度之同時，使橢圓開口延伸到硬遮罩的下方層中並到下方介電質層中。在剝離平坦化層以使硬遮罩中的溝槽圖案曝露後，在將夾盤維持在約55℃或更高的溫度之同時，使溝槽開口形成於介電質層中。該製程因此能夠在以80 nm或更小的節距來蝕刻溝槽的同時，提供擴大的穿孔接觸區域。
简体摘要：一种多步骤蚀刻制程（其中，椭圆穿孔开口与沟槽开口系形成于介电质层中）包含以下步骤：将多层薄膜堆栈支撑于等离子蚀刻反应器中的温控静电夹盘上。多层薄膜堆栈具有介电质层及在该介电质层上的图案化之金属硬遮罩层。蚀刻剂气体被供应至等离子蚀刻反应器。将蚀刻剂气体激发为等离子态，并在将夹盘维持在约30℃至50℃的温度之同时，将光阻中的穿孔开口转移至平坦化层中、且接着转移至图案化之硬遮罩层中的沟槽开口之椭圆部分中。在将夹盘维持在20℃或以下的温度之同时，使椭圆开口延伸到硬遮罩的下方层中并到下方介电质层中。在剥离平坦化层以使硬遮罩中的沟槽图案曝露后，在将夹盘维持在约55℃或更高的温度之同时，使沟槽开口形成于介电质层中。该制程因此能够在以80 nm或更小的节距来蚀刻沟槽的同时，提供扩大的穿孔接触区域。

2. 发明专利

TW201826382A 具有降低的深寬比依存性之選擇性蝕刻方法审中-公开
简体标题：具有降低的深宽比依存性之选择性蚀刻方法
公开(公告)号：TW201826382A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106134313
申请日：2017-10-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴沙發林卡帕阿達爾斯 , BASAVALINGAPPA, ADARSH , 王鵬 , WANG, PENG , 納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 戈斯麥可 , GOSS, MICHAEL , 勾帕拉達蘇普拉伯哈克拉 , GOPALADASU, PRABHAKARA , 柯納爾藍道夫 , KNARR, RANDOLPH , 施米茨斯特凡 , SCHMITZ, STEFAN , 佛列德菲爾 , FRIDDLE, PHIL
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：提供相對於遮罩來選擇性蝕刻一蝕刻層之方法。提供包含複數蝕刻循環的蝕刻製程，其中各蝕刻循環包含提供沉積階段與蝕刻階段。沉積階段包含：(1)提供沉積階段氣體的氣流，該沉積階段氣體包含含氟碳化物氣體或含氫氟碳化物氣體、及含氧氣體且具有氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的一比率，(2)提供RF功率，其將沉積階段氣體形成為電漿，及(3)停止沉積階段。蝕刻階段包含：(1)提供蝕刻階段氣體的氣流，該蝕刻階段氣體包含含氟碳化物氣體或含氫氟碳化物氣體、及含氧氣體，且具有較沉積階段氣體的氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的比率來得低的氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的一比率，(2) 提供RF功率，及(3)停止蝕刻階段。
简体摘要：提供相对于遮罩来选择性蚀刻一蚀刻层之方法。提供包含复数蚀刻循环的蚀刻制程，其中各蚀刻循环包含提供沉积阶段与蚀刻阶段。沉积阶段包含：(1)提供沉积阶段气体的气流，该沉积阶段气体包含含氟碳化物气体或含氢氟碳化物气体、及含氧气体且具有氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的一比率，(2)提供RF功率，其将沉积阶段气体形成为等离子，及(3)停止沉积阶段。蚀刻阶段包含：(1)提供蚀刻阶段气体的气流，该蚀刻阶段气体包含含氟碳化物气体或含氢氟碳化物气体、及含氧气体，且具有较沉积阶段气体的氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的比率来得低的氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的一比率，(2) 提供RF功率，及(3)停止蚀刻阶段。

3. 发明专利

TW201724251A 高選擇性無氧氮化矽蝕刻审中-公开
简体标题：高选择性无氧氮化硅蚀刻
公开(公告)号：TW201724251A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105116199
申请日：2016-05-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 許城俊 , HEO, SEONGJUN , 吳奇祥 , WU, CHIH-HSIANG , 陳英瑞 , CHEN, YING-REN
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/6831
摘要：提供一種相對於氧化矽選擇性地蝕刻氮化矽的方法。提供無氧之氮化矽蝕刻氣體，其包含H2及CF4或CXHYFZ（X≥1，Y≥1，Z≥1）。提供RF功率以將該蝕刻氣體形成為電漿，其中氮化矽係曝露於該電漿。
简体摘要：提供一种相对于氧化硅选择性地蚀刻氮化硅的方法。提供无氧之氮化硅蚀刻气体，其包含H2及CF4或CXHYFZ（X≥1，Y≥1，Z≥1）。提供RF功率以将该蚀刻气体形成为等离子，其中氮化硅系曝露于该等离子。

4. 发明专利

TWI621181B 用於原位金屬硬遮罩形狀控制之脈衝介電蝕刻程序以致能無空隙金屬化有权
简体标题：用于原位金属硬遮罩形状控制之脉冲介电蚀刻进程以致能无空隙金属化
公开(公告)号：TWI621181B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103116118
申请日：2014-05-06
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：茵德拉坎堤阿南特 , INDRAKANTI, ANANTH , 納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 詹森艾倫 , JENSEN, ALAN , 崔善晥 , CHOI, TOM
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/76811 , H01L21/76813

5. 发明专利

TW201519318A 用於原位金屬硬遮罩形狀控制之脈衝介電蝕刻程序以致能無空隙金屬化审中-公开
简体标题：用于原位金属硬遮罩形状控制之脉冲介电蚀刻进程以致能无空隙金属化
公开(公告)号：TW201519318A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116118
申请日：2014-05-06
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：茵德拉坎堤阿南特 , INDRAKANTI, ANANTH , 納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 詹森艾倫 , JENSEN, ALAN , 崔善晥 , CHOI, TOM
IPC分类号： H01L21/321
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/76811 , H01L21/76813
摘要：一種多合一的上溝槽下穿孔（trench-over-via）蝕刻（於其中蝕刻含鈦氮化物材料之金屬硬遮罩下方的低k材料）係以下列交替步驟來進行：（a）在將夾盤溫度保持在約45至80℃時，蝕刻低k材料；及（b）在將夾盤溫度保持在約90至130℃時，將金屬硬遮罩圓化並將Ti類殘餘物移除。
简体摘要：一种多合一的上沟槽下穿孔（trench-over-via）蚀刻（于其中蚀刻含钛氮化物材料之金属硬遮罩下方的低k材料）系以下列交替步骤来进行：（a）在将夹盘温度保持在约45至80℃时，蚀刻低k材料；及（b）在将夹盘温度保持在约90至130℃时，将金属硬遮罩圆化并将Ti类残余物移除。

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