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1. 发明授权

KR101831592B1 각이 진 도파관 有权
标题翻译：有角度的波导
公开(公告)号：KR101831592B1
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR1020150174103
申请日：2015-12-08
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 카오,리나 , 펭,추빙 , 숄츠,베르너 , 아셀린,피에레 , 이,태우
IPC分类号： G11B5/60 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/4866 , G02B6/122 , G11B5/314 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
摘要： 장치는제 1 모드에서에너지소스로부터방출되는에너지를수신하도록구성된입력표면을갖는다. 모드순서컨버터(mode order converter)는제 1 모드로부터제 2 모드로에너지를컨버팅하도록구성된다. 장치의도파관은, 입력표면가까이배치되고제 1 모드에서에너지를수신하도록구성된입력단부를갖는다. 도파관은, 매체-대면표면(media-facing surface) 가까이배치되고제 2 모드에서에너지를전달하도록구성된출력단부를갖는다. 출력단부는매체-대면표면과기판-평행평면의교차점에서크로스-트랙라인에빗각(oblique angle)을이룬다.
摘要翻译：该设备具有输入表面，该输入表面被配置为以第一模式接收从能量源发出的能量。模式顺序转换器被配置为将能量从第一模式转换为第二模式。该装置的波导具有设置在输入表面附近的输入端，并被配置为以第一模式接收能量。波导具有设置在面向介质表面附近的输出端，并被配置为以第二模式传输能量。输出端在面向介质的表面和基板平行平面的交叉点处与交叉轨迹线形成斜角。

2. 发明授权

KR101792166B1 정보 저장 장치 및 방법 有权
标题翻译：信息存储设备和方法
公开(公告)号：KR101792166B1
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020167009599
申请日：2014-09-24
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린인인 , 푸야롱 , 양카이 , 양웨이 , 왕위안강 , 자오준펭
IPC分类号： G11B5/02 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/56 , G11C19/08 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 본발명의실시예가정보저장장치및 방법을제공한다. 이장치는, 각각이적어도 2개의자기영역으로분할된자기구역을다수포함하는자기트랙, 자기트랙상에배치된기록유닛, 및자기트랙상에배치된판독유닛을포함하고, 기록유닛에의해각 자기구역의적어도 2개의자기영역에정보가기록되고, 적어도 2개의자기영역에기록된정보가판독유닛에의해판독된다. 따라서다수의유효정보가자기트랙의하나의자기구역에기록되고, 이로써자기트랙의저장밀도가증가하고저장장치의저장용량이확장된다.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种信息存储装置和方法。该装置包括磁道，每个磁道包括分成至少两个磁区的多个磁区，设置在磁道上的记录单元以及设置在磁道上的读单元，信息被记录在该区域的至少两个磁性区域中，并且由读取单元读取记录在至少两个磁性区域中的信息。因此，大量的有用信息被记录在磁道的一个磁区中，由此增加了磁道的存储密度并且扩大了存储装置的存储容量。

3. 发明授权

KR101756299B1 에칭 정지부 구성 有权
标题翻译：蚀刻停止配置
公开(公告)号：KR101756299B1
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020157028035
申请日：2014-02-28
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 차오,용준 , 리,리엔 , 조우,리주안 , 오스트로우스키,마크
IPC分类号： G11B5/31 , G11B5/60 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/3163 , G11B5/6088 , G11B2005/0021 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 본원에개시된트랜스듀서헤드의제조방법은트랜스듀서헤드의 NFT 층상에스페이서층을증착하는단계, 트랜스듀서의스페이서층 상에에칭정지부층을형성하는단계, 상기에칭정지부층 상에클래딩층을증착하는단계, 및경사각도로클래딩층을밀링하는단계로서상기밀링이상기에칭정지부층에서정지되도록클래딩층을밀링하는단계를포함한다.
摘要翻译：如本文公开的制造换能器头的方法包括：在换能器头的NFT层上沉积间隔层;在换能器的间隔层上形成蚀刻停止层;在蚀刻停止层上形成包覆层并且铣削包覆层，使得包覆层在研磨相移步骤中停止在钉扎层处，作为以倾斜角度研磨包覆层的步骤。

4. 发明授权

KR101707629B1 포지티브 피드백을 이용한 센싱 시스템 有权
标题翻译：感应系统使用正反馈
公开(公告)号：KR101707629B1
公开(公告)日：2017-02-17
申请号：KR1020160050326
申请日：2016-04-25
申请人： 주식회사 지파랑
发明人： 최성욱 , 박영준 , 황용준
IPC分类号： G01N21/27 , G01J1/44 , G01R19/165 , G11B5/00
摘要： 본실시예에의한센싱시스템은검출물질에자극을인가하는액츄에이터(actuator)와, 자극이인가된검출물질의농도에따라형성되는광학적반응에상응하여스냅백(snapback) 형태를가지는전기적신호를출력하는광 검출기(photo-detector)와, 광검출기가출력하는전기적신호를증폭하고, 증폭된전기적신호를광학적액츄에이터에포지티브피드백(positive feedback)하여인가하는증폭기(amplifier)와, 전기적신호를인가받아검출물질을검출하는검출부및 광검출기와병렬로연결되어광 검출기양단의전압이미리정하여진전압값을벗어나지않도록클램핑하는전압클램핑소자를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，感测系统包括：对检测材料施加刺激的致动器; 光电检测器，其通过对应于当施加刺激时根据检测材料的浓度形成的光学反应输出具有快速恢复形式的电信号; 放大器，放大从光电检测器输出的电信号，通过正反馈将放大的电信号施加到光致动器; 检测部，其通过接收电信号来检测检测材料; 以及并联连接到光电检测器的电压钳位元件，夹持光电检测器的两端以允许光电检测器两端的电压不超出预定电压值。

5. 发明公开

KR1020160110255A 임피던스 보정을 갖는 다수의 전치 증폭기 및 공통 송신 라인을 갖는 자기 레코딩 디스크 드라이브 无效
标题翻译：具有多种预处理功能的磁记录盘驱动器和具有阻抗补偿的通用传输线
公开(公告)号：KR1020160110255A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020160029618
申请日：2016-03-11
申请人： 에이취지에스티 네덜란드 비.브이.
发明人： 콘트레라스존 , 니시야마노부마사 , 포스조이마틴 , 트린튜옌반 , 야나기사와크레이그케이. , 구보야스노리 , 나가오카가즈히로
IPC分类号： G11B5/012 , G11B5/127 , G11B5/39 , G11B5/74 , G11B5/00
CPC分类号： G11B20/10009 , G11B5/012 , G11B5/09
摘要： 디스크드라이브는전치증폭기(프리앰프)와시스템온 칩(SOC) 사이에저항기를갖는공통전송라인에의해 SOC에접속된다수의프리앰프를갖는다. 각각의프리앰프는각각의판독증폭기의출력에서의판독저항기, 및각각의기록드라이버의입력에서의기록저항기를포함한다. 저항기는프리앰프에위치하는프로그램가능저항기일수 있다. 판독저항기는전송라인에서신호의소스에있고, 기록저항기는전송라인으로부터의신호의종단에있다. 프리앰프중 하나가활성으로선택될경우, 판독저항기및 기록저항기는전송라인과 SOC에임피던스매칭을제공하고, 이는 SOC가모든프리앰프에접속된공통전송라인과균일하게동작하는것을가능하게한다.
摘要翻译：磁盘驱动器具有通过在前置放大器和SOC之间的电阻器的公共传输线连接到片上系统（SOC）的多个前置放大器。每个前置放大器包括在每个读取放大器的输出处的读取电阻器，以及每个写入驱动器的输入处的写入电阻器。电阻器可以是位于前置放大器中的可编程电阻器。读取的电阻器是传输线中的信号源，并且写入电阻处于来自传输线的信号的终止。当前置放大器之一选择为有源时，读写电阻提供与传输线和SOC的阻抗匹配，这使得SOC能够与连接到所有前置放大器的公共传输线均匀地工作。

6. 发明公开

KR1020160105326A 적응형 HAMR 전력 데이터 저장 디바이스 审中-实审
标题翻译：自适应HAMR电源数据存储设备
公开(公告)号：KR1020160105326A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020160021922
申请日：2016-02-24
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 가오,카이종 , 즈,웬종 , 게이지,에드워드 , 매글렌넨,제임스 , 트랜탐,존
IPC分类号： G11B5/127 , G11B5/31 , G11B5/60 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/596 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B2005/0018 , G11B2005/0021
摘要： 데이터저장디바이스는적어도, 레이저를갖고제어기에연결되는열 보조자기기록헤드로구성될수 있다. 열보조자기기록헤드는, 인접한데이터저장매체상에저장된제 1 및제 2 데이터비트들에근접하게포지셔닝될수 있다. 제 1 레이저전력은, 제 1 데이터비트가제 2 데이터비트와상이한자기극성인것에응답하여레이저에의해적용될수 있고, 상이한제 2 레이저전력은, 제 1 및제 2 데이터비트들이공통자기극성을갖는것에응답하여레이저에의해적용될수 있다.
摘要翻译：数据存储装置可以配置有至少一个具有激光并连接到控制器的热辅助磁记录头。热辅助磁记录头可以靠近存储在相邻数据存储介质上的第一和第二数据位。响应于具有与第二数据位具有不同磁极性的第一数据位，可以通过激光器施加第一激光功率，并且响应于第一和第二数据位具有不同的第二激光功率可以施加不同的第二激光功率，极性。

7. 发明公开

KR1020160056922A 정보 저장 장치 및 방법 有权
标题翻译：信息存储设备和方法
公开(公告)号：KR1020160056922A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020167009599
申请日：2014-09-24
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린인인 , 푸야롱 , 양카이 , 양웨이 , 왕위안강 , 자오준펭
IPC分类号： G11B5/02 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/56 , G11C19/08 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 본발명의실시예가정보저장장치및 방법을제공한다. 이장치는, 각각이적어도 2개의자기영역으로분할된자기구역을다수포함하는자기트랙, 자기트랙상에배치된기록유닛, 및자기트랙상에배치된판독유닛을포함하고, 기록유닛에의해각 자기구역의적어도 2개의자기영역에정보가기록되고, 적어도 2개의자기영역에기록된정보가판독유닛에의해판독된다. 따라서다수의유효정보가자기트랙의하나의자기구역에기록되고, 이로써자기트랙의저장밀도가증가하고저장장치의저장용량이확장된다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种信息存储装置和方法，该装置包括：磁道，其中磁道由多个磁畴组成，每个磁畴被分成至少两个磁区; 写入单元，设置在磁道上，其中通过写入单元将信息写入每个磁畴的至少两个磁性区域; 以及读取单元，设置在所述磁道上，所述读取单元读取写入所述至少两个磁性区域的信息; 因此，将多条有效信息写入磁道的一个磁畴，这增加了磁道的存储密度，并扩大了存储装置的存储容量。

8. 发明公开

KR1020160056291A 리세스된 영역을 갖는 근접-장 트랜스듀서 有权
标题翻译：具有残余区域的近场传感器
公开(公告)号：KR1020160056291A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020150156799
申请日：2015-11-09
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 첸,웨이빈 , 숄츠,베르너
IPC分类号： G11B9/12 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/314 , G11B2005/0021
摘要： 근접-장트랜스듀서는, 장치의에어베어링표면에또는그에근접하여위치되고, 매체상의열-보조자기기록을용이하게하도록구성된다. 근접-장트랜스듀서는, 에어베어링표면에근접한제 1 단부를갖고플라즈모닉물질을포함하는확장된영역을포함한다. 근접-장트랜스듀서는또한, 에어베어링표면에근접한제 1 단부를갖고확장된영역에인접해있는디스크영역을포함한다. 디스크영역은플라즈모닉물질을포함한다. 페그영역은, 디스크영역의제 1 단부로부터연장되고에어베어링표면에서또는그에근접하여종결된다. 근접-장트랜스듀서는추가로, 페그영역에관하여리세스된영역을포함한다. 리세스된영역은, 확장된영역의제 1 단부와페그영역사이에로케이팅된다.
摘要翻译：近场换能器位于或靠近装置的空气轴承表面并且被配置为便于介质上的热辅助磁记录。近场换能器包括包括等离子体激元材料并且具有靠近空气轴承表面的第一端的扩大区域。近场换能器还包括与扩大区域相邻的盘区域，并且具有靠近空气支承表面的第一端。磁盘区域包括等离子体激元材料。钉区域从盘区域的第一端延伸并终止于或靠近空气支承表面。近场换能器还包括相对于钉区域凹陷的区域。凹陷区域位于钉区域和扩大区域的第一端之间。

9. 发明授权

KR101488832B1 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 및 그의 동작방법 有权
标题翻译：信息存储设备采用磁畴壁运动及其操作方法
公开(公告)号：KR101488832B1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020080120691
申请日：2008-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 피웅환 , 박영수 , 서순애 , 조영진 , 이성철 , 배지영
IPC分类号： G11B5/00 , G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC分类号： G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 및 그의 동작방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 정보저장장치는 1비트에 대응하는 자구를 복수 개 커버하는 크기를 갖는 동작유닛(operating unit)을 포함한다.

10. 发明授权

KR101430170B1 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 구동방법 有权
标题翻译：使用磁畴壁移动操作信息存储装置的方法
公开(公告)号：KR101430170B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020080056526
申请日：2008-06-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이성철
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/00
CPC分类号： G11C19/0841 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 구동방법에 관하여 개시된다. 개시된 정보저장장치의 구동방법은 복수의 자구와, 상기 자구 사이의 경계영역에 형성된 피닝 사이트를 구비한 자성 나노와이어에서의 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치에 있어서, 상기 자성 나노와이어에 제1 펄스전류밀도를 인가하여 상기 자구벽을 제1 피닝 사이트로부터 디피닝하는 단계; 및 상기 자성층에 제2 펄스전류밀도를 인가하여 상기 자구벽을 제2 피닝 사이트로 이동시키는 단계;를 한다. 상기 제1펄스전류밀도가 상기 제2펄스전류밀도 보다 크다.

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