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1. 发明授权

KR101792166B1 정보 저장 장치 및 방법 有权
标题翻译：信息存储设备和方法
公开(公告)号：KR101792166B1
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020167009599
申请日：2014-09-24
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린인인 , 푸야롱 , 양카이 , 양웨이 , 왕위안강 , 자오준펭
IPC分类号： G11B5/02 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/56 , G11C19/08 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 본발명의실시예가정보저장장치및 방법을제공한다. 이장치는, 각각이적어도 2개의자기영역으로분할된자기구역을다수포함하는자기트랙, 자기트랙상에배치된기록유닛, 및자기트랙상에배치된판독유닛을포함하고, 기록유닛에의해각 자기구역의적어도 2개의자기영역에정보가기록되고, 적어도 2개의자기영역에기록된정보가판독유닛에의해판독된다. 따라서다수의유효정보가자기트랙의하나의자기구역에기록되고, 이로써자기트랙의저장밀도가증가하고저장장치의저장용량이확장된다.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种信息存储装置和方法。该装置包括磁道，每个磁道包括分成至少两个磁区的多个磁区，设置在磁道上的记录单元以及设置在磁道上的读单元，信息被记录在该区域的至少两个磁性区域中，并且由读取单元读取记录在至少两个磁性区域中的信息。因此，大量的有用信息被记录在磁道的一个磁区中，由此增加了磁道的存储密度并且扩大了存储装置的存储容量。

2. 发明公开

KR1020160056922A 정보 저장 장치 및 방법 有权
标题翻译：信息存储设备和方法
公开(公告)号：KR1020160056922A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020167009599
申请日：2014-09-24
申请人： 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
发明人： 린인인 , 푸야롱 , 양카이 , 양웨이 , 왕위안강 , 자오준펭
IPC分类号： G11B5/02 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/56 , G11C19/08 , G11B5/00
CPC分类号： G11B5/09 , G11B5/02 , G11B2005/0002 , G11C11/02 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要： 본발명의실시예가정보저장장치및 방법을제공한다. 이장치는, 각각이적어도 2개의자기영역으로분할된자기구역을다수포함하는자기트랙, 자기트랙상에배치된기록유닛, 및자기트랙상에배치된판독유닛을포함하고, 기록유닛에의해각 자기구역의적어도 2개의자기영역에정보가기록되고, 적어도 2개의자기영역에기록된정보가판독유닛에의해판독된다. 따라서다수의유효정보가자기트랙의하나의자기구역에기록되고, 이로써자기트랙의저장밀도가증가하고저장장치의저장용량이확장된다.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种信息存储装置和方法，该装置包括：磁道，其中磁道由多个磁畴组成，每个磁畴被分成至少两个磁区; 写入单元，设置在磁道上，其中通过写入单元将信息写入每个磁畴的至少两个磁性区域; 以及读取单元，设置在所述磁道上，所述读取单元读取写入所述至少两个磁性区域的信息; 因此，将多条有效信息写入磁道的一个磁畴，这增加了磁道的存储密度，并扩大了存储装置的存储容量。

3. 发明授权

KR101202098B1 메모리 有权
标题翻译：记忆
公开(公告)号：KR101202098B1
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：KR1020050113439
申请日：2005-11-25
申请人： 소니 주식회사
发明人： 베쇼가즈히로
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , H01L27/228
摘要： 기입 전류의 비대칭성의 영향을 억제함으로써, 선택 트랜지스터를 포함하는 각 메모리 셀의 사이즈를 필요 최소한으로 억제하고, 고밀도로 메모리 셀을 집적하는 것이 가능한 메모리를 제공한다. 정보를 자성체의 자화 상태에 의해 유지하는 기억층(2)에 대하여, 중간층(3)을 개재하여 자화 고정층(4)이 형성되고, 적층 방향으로 전류를 흘림으로써, 기억층(2)의 자화의 방향이 변화하여, 기억층(2)에 대하여 정보의 기록이 행해지는 기억 소자(10)와, 선택 트랜지스터를 구비하여 각 메모리 셀이 구성되며, 기억 소자(10)에 정보를 기록하기 위해, 보다 많은 전류를 필요로 하는 전류 극성과, 선택 트랜지스터에, 보다 많은 포화 전류를 흘릴 수 있는 전류 극성이 동일 극성인 메모리를 구성한다.
기초층, 기억 소자, 게이트 전극, 트랜지스터

4. 发明授权

KR101219931B1 기억 소자 및 메모리 有权
公开(公告)号：KR101219931B1
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：KR1020050103026
申请日：2005-10-31
申请人： 소니 주식회사
发明人： 벳쇼가즈히로
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/22 , H01L27/228 , H01L43/08
摘要： 기억소자에흘리는전류의극성을바꾸지않아도정보의기록을가능하게함으로써, 구조를간소화할수 있는메모리를제공한다. 기억층(5)의아래에, 중간층(4)을개재하여자화고정층(3)이형성되고, 기억층(5)의위에, 비자성층(6)을개재하여, 자화의방향이적층방향으로고정되어있는구동층(7)이형성되고, 적층방향으로전류를흘림으로써, 기억층(5)의자화 M2의방향이변화하고기억층(5)에대하여정보의기록이행해지는기억소자(10)와, 이기억소자(10)에대하여적층방향의전류를흘리는전류공급수단을구비하고, 전류공급수단으로부터기억소자(10)에전류가공급되는시간의길이에의해, 기록되는정보의내용이변하는메모리를구성한다.

5. 发明公开

KR1020070058364A 기억 소자 및 메모리 无效
标题翻译：存储元素和存储器
公开(公告)号：KR1020070058364A
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020060121278
申请日：2006-12-04
申请人： 소니 주식회사
发明人： 호소미마사노리 , 가노히로시 , 히고유따까 , 벳쇼가즈히로 , 야마모또데쯔야 , 오모리히로유끼 , 야마네가즈따까 , 오이시유끼 , 야마기시하지메
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/02
CPC分类号： G11C11/16
摘要： A storage element and a memory are provided to improve information retain characteristics by allowing a storage layer to have sufficient heat stability, and thus to improve operation reliability of the memory. In a storage element, a storage layer keeps information by a magnetization state of a magnet. A stacked layer is formed by interposing a middle layer to the storage layer so as to form a magnetic pinned layer. The storage element writes information on the storage layer by changing the magnetization direction of the storage layer, by applying a current along the direction of stacking. A curvature radius(R) of a cross section in a long axis direction of a plane pattern(31) in at least the storage layer is equal to or smaller than 100nm.
摘要翻译：提供存储元件和存储器以通过允许存储层具有足够的热稳定性从而提高存储器的操作可靠性来改善信息保持特性。在存储元件中，存储层通过磁体的磁化状态保持信息。通过将中间层插入存储层而形成堆叠层，以形成磁性钉扎层。存储元件通过沿堆叠方向施加电流，通过改变存储层的磁化方向将信息写入存储层。至少存储层中的平面图案（31）的长轴方向的截面的曲率半径（R）等于或小于100nm。

6. 发明公开

KR1020060051019A 메모리 无效
标题翻译：记忆
公开(公告)号：KR1020060051019A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050082128
申请日：2005-09-05
申请人： 소니 주식회사
发明人： 베스쇼가즈히로
IPC分类号： G11C11/02 , G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/161 , G11C5/025 , G11C5/14 , G11C11/1697
摘要： A memory is composed o a storage element 10 having a magnetization fixed layer 3 provided relative to a storage layer 5 through an intermediate layer 4 in which the direction of magnetization of the storage layer 5 is changed with application of an electric current to the storage element 10 in the lamination layer direction to record information on the storage layer 5 and a wiring through which an electric current flows to the lamination layer direction of the storage element 10 , wherein when information is read out from the storage layer 5 , an electric current of the same polarity as that of an electric current to record information in such a manner that an electric resistance of the storage element 10 is changed from the high resistance state to the low resistance state flows through the wiring to the storage element 10.

7. 发明授权

KR100561876B1 메모리 셀 어레이 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：储存池阵列和相应的生产方法
公开(公告)号：KR100561876B1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1020017001820
申请日：1999-08-02
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 슈바르츨,지크프리트
IPC分类号： G11C11/02
摘要： 메모리 셀 어레이내에는 제 1 및 제 2 라인이 제공되며, 상기 두 라인의 교차점에는 자기저항 효과를 갖는 메모리 소자가 배치된다. 상기 라인들 중 하나를 각각 둘러싸고, 최소 10의 투자율(permeability)을 갖는 자화 가능 물질이 함유된 요크가 제공된다. 상기 요크는 자속(magnetic flow)이 메모리 소자를 통과하여 흐르도록 배치된다.

8. 发明授权

KR100864259B1 가변 자기 스위치 失效
标题翻译：可调电磁开关
公开(公告)号：KR100864259B1
公开(公告)日：2008-10-17
申请号：KR1020077004686
申请日：2005-07-27
申请人： 더 거버닝 카운실 오브 더 유니버시티 오브 토론토
发明人： 아오바스테판 , 루다해리
IPC分类号： G11C11/02
CPC分类号： G11C11/14 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/065
摘要： 본 발명의 자기 메모리 소자에 사용하는 가변 자기 스위치는 바이어스 자기장을 제공하기 위한 자기 소스와, 상기 바이어스 자기장에 위치된 자기 구성요소와, 자기 반동효과(magnetic recoil effect)에 따라 상기 자기 구성요소에 자화레벨을 설정하기 위해 상기 자기 구성요소 주위에 동축으로 배치된 코일을 구비한다.
가변 자기 스위치, 바이어스 자기장, 자기 이력곡선

9. 发明公开

KR1020070037378A 기억 소자 및 메모리 无效
标题翻译：存储元素和存储器
公开(公告)号：KR1020070037378A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020060095427
申请日：2006-09-29
申请人： 소니 주식회사
发明人： 가노히로시 , 호소미마사노리
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/02
CPC分类号： G11C11/15
摘要： 스핀 주입 효율을 향상시킴으로써, 기입에 필요한 전류치를 저감할 수 있는 기억 소자를 제공한다. 정보를 자성체의 자화 상태에 의해 유지하는 기억층(17)을 갖고, 이 기억층(17)의 상하에, 각각 중간층을 개재하여 자화 고정층(31, 32)이 형성되고, 기억층(17)의 상하의 중간층 중, 한 쪽의 중간층은 터널 배리어를 형성하는 절연층(16)이며, 다른 쪽의 중간층(33)은 절연층(18)과 비자성 도전층(19)의 적층이며, 적층 방향으로 전류를 흘림으로써, 기억층(17)의 자화의 방향이 변화되어, 기억층(17)에 대하여 정보의 기록이 이루어지는 기억 소자(3)를 구성한다.
자기 터널 접합 소자, 스핀 펌핑, MR비, 자화

10. 发明授权

KR100349988B1 자기 기억 장치 失效
标题翻译：磁记忆
公开(公告)号：KR100349988B1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：KR1019990051492
申请日：1999-11-19
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 베르크,후고,반덴
IPC分类号： G11C11/02
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16
摘要： 본발명은, 다수의메모리셀(1)로이루어진메모리셀 필드(11), 워드라인(3)에결합된어드레싱회로및 센스라인(4)에결합된평가회로를포함하며, 상기메모리셀(1)은워드라인(3)과센스라인(4)의교차점에서매트릭스형태로배치되고, 상기셀의논리적인데이터내용은자기적상태에의해서규정되며, 상기어드레싱회로에의해서는, 데이터내용이판독출력되어야하는하나이상의선택된메모리셀(1)의워드라인(3)에판독전압(V)이공급되며, 상기평가회로에의해서는, 선택된메모리셀(들)의데이터내용에상응하는신호가검출및 평가되며, 이경우상기평가회로는비교회로(16)를포함하고, 상기비교회로에의해서는기준소자로부터제공되는기준신호(Vr)가판독출력될메모리셀(들)의센스신호(Vs)와비교되도록구성된, 선택적(optional) 액세스타입자기기억장치(MRAM)에관한것이다.

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