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    • 2. 发明公开
    • 자극과 근접 필드 트랜스듀서 사이에 포지셔닝된 구조물
    • 磁场与磁场传感器之间的结构位置
    • KR1020160055081A
    • 2016-05-17
    • KR1020150155863
    • 2015-11-06
    • 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
    • 이,태-우그룬드만,데이비드엠.
    • G11B13/08
    • G11B5/4866G11B5/3133G11B5/314G11B5/6088G11B2005/0021
    • 장치는도파로, 자극및 근접필드트랜스듀서를포함한다. 근접필드트랜스듀서는매체대향표면에또는그 근처에포지셔닝된다. 근접필드트랜스듀서는도파로에동작가능하게커플링된다. 근접필드트랜스듀서는확장된부분을포함한다. 근접필드트랜스듀서는또한확장된부분으로부터매체대향표면을향해연장하는페그부분을포함한다. 페그부분은자극으로부터분리된다. 근접필드트랜스듀서는또한자극과페그부분사이에포지셔닝된구조물을포함한다. 구조물은갭에의해페그부분으로부터분리된다. 구조물은확장된부분으로부터매체대향표면을향해연장한다. 구조물은자극을향해표면플라스몬들의생성을연장하도록구성된다.
    • 一种装置包括波导,磁极和近场换能器。 近场传感器位于面向介质的表面上或附近。 近场换能器可操作地耦合到波导。 近场换能器包括放大区域。 近场换能器还包括从扩大区域向面向介质的表面延伸的钉区。 钉区与磁极分离。 近场换能器还包括位于磁极和钉区之间的结构。 该结构通过间隙与钉区分离。 该结构从扩大区域延伸到面向介质的表面。 该结构被配置为将表面等离子体激元的产生延伸到磁极。