专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020180050020A 태양 전지 有权
公开(公告)号：KR1020180050020A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR1020160146666
申请日：2016-11-04
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이기원
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/04 , Y02E10/546 , Y02E10/547
摘要： 본발명의실시예에따른태양전지는, 반도체기판, 상기반도체기판중 빛이수광되는면의반대면에형성된반도체층, 상기반도체층에형성되고, n형불순물과 p형불순물을포함해각각형성된 n형영역과 p형영역, 상기 n형영역과 p형영역사이에위치해상기 n형영역과상기 p형영역을나누는진성의베리어영역, 상기베리어영역에형성되며, 상기 n형불순물또는 p형불순물중 적어도하나를포함해상기 n형영역과상기 p형영역을연결하는버팅영역을포함하고, 상기버팅영역은상기베리어영역의일부에만형성된다.

2. 发明授权

KR101816189B1 태양전지 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101816189B1
公开(公告)日：2018-01-08
申请号：KR1020160104706
申请日：2016-08-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정인도
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0682 , H01L31/022425 , H01L31/0392 , H01L31/182 , Y02E10/546
摘要： 본발명은태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명의한 측면에따른태양전지는, 반도체기판; 반도체기판의후면에위치하는후면전계부; 반도체기판의전면또는상기반도체기판의후면중에서선택된어느한 면에위치하는에미터부; 반도체기판의후면에위치하며, 후면전계부를노출하는개구부를포함하는후면유전층; 개구부를통해후면전계부와전기적및 물리적으로연결되는제1 전극부; 및에미터부와전기적및 물리적으로연결되는제2 전극부를포함하고, 후면유전층의외부로돌출된부분에있어서, 제1 전극부는반도체기판과마주하는제1 면의선폭이제1 면의반대쪽에위치하는제2 면의선폭과실질적으로동일하거나, 제2 면의선폭보다크게형성된다.

3. 发明授权

KR101807873B1 태양 전지 및 그의 전극 형성용 도전성 페이스트 有权
标题翻译：太阳能电池及其用于电极形成的导电浆料
公开(公告)号：KR101807873B1
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020110018338
申请日：2011-03-02
申请人： 나믹스 가부시끼가이샤
发明人： 무라마츠,카즈오 , 다나베,히데오
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/08 , H01B1/02 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 본발명은결정계실리콘태양전지에서, 결정계실리콘기판과의접촉저항이낮은전극을형성할수 있는태양전지전극형성용도전성페이스트를얻는다. 또한, 본발명의도전성페이스트는결정계실리콘태양전지의전극형성용도전성페이스트이며, 은을포함하는도전성입자, 유리프릿, 소정의첨가입자, 유기바인더및 용제를포함하고, 소정의첨가입자가알루미노규산염입자및 규산알루미늄입자에서선택되는하나이상인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供一种用于形成太阳能电池电极的导电膏，其能够在结晶硅太阳能电池中形成与晶体硅基板具有低接触电阻的电极。另外，本发明的导电性糊剂是含有银，玻璃料，规定的添加粒子，有机粘合剂，溶剂等导电性粒子的结晶系硅太阳能电池的电极形成用导电性糊剂，硅酸盐颗粒和硅酸铝颗粒。

4. 发明授权

KR101806966B1 태양 전지용 다결정 실리콘층 증착 장비 有权
标题翻译：太阳能电池用多晶硅层沉积设备
公开(公告)号：KR101806966B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020170016133
申请日：2017-02-06
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이현호 , 장원재 , 안준용
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0392 , Y02E10/546
摘要： 본발명은태양전지용다결정실리콘층증착장비에관한것이다. 본발명의일례에따른태양전지용다결정실리콘층증착장비는실리콘웨이퍼가내부에배치되는공간을구비한챔버몸체; 실리콘웨이퍼의표면에다결정실리콘층을증착하기위한실리콘증착가스를분사하기위하여, 챔버몸체의내부에제1 방향으로길게고정되고, 실리콘증착가스를분사하는복수의홀이제1 방향으로이격되어구비되는제1 샤워노즐; 및다결정실리콘층내에불순물을주입하기위한불순물가스를분사하기위하여, 챔버몸체의내부에제1 방향으로길게고정되고, 불순물가스를분사하는복수의홀이제1 방향으로이격되어구비되는제2 샤워노즐;을포함하고, 제2 샤워노즐에구비된홀들각각의전면에이격되어, 제1 방향으로길게위치하는판상형태의디퓨저(Diffuser)를더 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于沉积太阳能电池的多晶硅层的设备。具有根据本发明的一个示例的空间太阳能电池的多晶硅层沉积装置腔室主体是设置在其中一个硅晶片; 为了注入硅沉积气体的硅晶片的表面上沉积多晶硅层，并保持在该腔室主体，其被提供由多个孔现在第一方向的用于注入硅沉积气体隔开的内部固定在第一方向上第一喷淋喷嘴; 第二喷头，这是mitda晶注入的杂质气体导入该杂质进入硅层时，在腔体的内部中的第一方向上纵向固定，具有在一个方向上用于喷射的杂质气体现在间隔开的多个孔的以及与设置在第二喷淋喷嘴中的每个孔的前表面间隔开并沿第一方向延伸的板状扩散器。

5. 发明公开

KR1020170040366A 터널 유전체층을 갖는 태양 전지의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020170040366A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020177008710
申请日：2011-04-27
申请人： 선파워 코포레이션
发明人： 데니스팀 , 해링톤스콧 , 마닝제인 , 스미스데이비드 , 발트하우어앤
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/0216 , H01L31/02168 , H01L31/0236 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1864 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 터널유전체층을갖는태양전지의제조방법이기재되어있다. 터널유전체층을갖는태양전지가또한기재되어있다.

6. 发明授权

KR101634488B1 개선된 접착 특성을 갖는 납-비스무스-텔루륨-실리케이트 무기 반응 시스템 有权
标题翻译： ---具有改善粘合性能的双 - 二氧化硅 - 硅酸盐无机反应体系
公开(公告)号：KR101634488B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020150008186
申请日：2015-01-16
申请人： 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨
发明人： 왕,레이 , 구오,퀴웬 , 얀,리 , 코시마노,마이클,레이몬드 , 얀시,브렌턴
IPC分类号： C03C3/12 , H01L31/0224 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/02008 , C03C3/07 , C03C8/10 , C03C8/18 , C09D5/24 , H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/546
摘要： 화학식 1: Pb-Bi-Te-Si-M-O의납-비스무스-텔루륨-실리케이트조성물을포함하는무기반응시스템: 여기서, 0

7. 发明授权

KR101503675B1 광기전력 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：光伏器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101503675B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020097023159
申请日：2008-03-24
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키,순페이 , 아라이,야수유키
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1896 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 절연 표면을 갖는 기판 또는 절연 기판 위에 제공된 단결정 반도체 층이 광전 변환층으로 사용되는 광기전력 장치로서, 단결정 반도체 층이 절연층을 개재하여 기판에 접합되는 소위 SOI 구조를 갖는 광기전력 장치를 제공하는 것을 요지로 한다. 광전 변환층으로서의 기능을 갖는 단결정 반도체 층으로서, 단결정 반도체 기판의 표층부를 박리하고 이전시켜 얻어지는 단결정 반도체 층이 사용된다.
접합층, 단결정 반도체 층, 불순물 반도체 층, 보호막, 배리어 층, 산화 실리콘 층, 박리층, 질화 실리콘 층, 열처리

8. 发明授权

KR101481858B1 전면 및 후면 상에 형성된 전기 전도성 층을 구비하는 전면 컨택트 태양 전지 有权
标题翻译：前端接触太阳能电池与正面和背面形成电导电层
公开(公告)号：KR101481858B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020117002460
申请日：2009-06-23
申请人： 선파워 코포레이션
发明人： 코우신스피터존
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/072
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/056 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 쌍극성(bipolar) 태양 전지(100)는 실리콘 기판(101) 및 상기 태양 전지의 후면 상의 제1 도펀트형의 제1 도핑층(108)에 의해 형성된 후면 접합부를 포함한다. 제2 도펀트형의 제2 도핑층(106)은 상기 태양 전지(100)의 전면으로부터 상기 기판(101)으로의 전기적 연결부를 형성한다. 제1 전기 극성의 제1 금속 컨택트(110)은 상기 태양 전지의 후면 상의 제1 도핑층(108)과 전기적으로 연결되고, 제2 전기 극성의 제2 금속 컨택트(102)은 상기 태양 전지(100)의 전면 상의 제2 도핑층(106)과 전기적으로 연결된다. 외부 전기 회로는 제1 금속 컨택트 및 제2 금속 컨택트에 전기적으로 연결되어 상기 태양 전지(100)에 의해 작동될 수 있다.
摘要翻译：双极太阳能电池包括在太阳能电池的背面上由硅衬底和第一掺杂剂类型的第一掺杂层形成的背面结。第二掺杂剂型的第二掺杂层从太阳能电池的正面与基底电连接。第一电极性的第一金属接触电连接到太阳能电池背面上的第一掺杂层，第二电极性的第二金属接触电连接到太阳能电池正面上的第二掺杂层。外部电路可以电连接到由太阳能电池供电的第一和第二金属触点。

9. 发明公开

KR1020140046065A 플라즈마 처리 장치 및 방법 无效
公开(公告)号：KR1020140046065A
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020147006272
申请日：2013-09-17
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오쿠무라,토모히로 , 나카야마,이치로
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/182 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01J37/321 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은, 플라즈마를 안정적이면서도 효율적으로 발생시킬 수 있어, 기재의 원하는 피처리 영역 전체를 단시간에 효율적으로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 개구폭이 1mm보다 큰 개구부와, 상기 개구부에 연통하는 환상 공간으로 이루어지는 환상 챔버를 규정하는 유전체 부재와, 상기 환상 챔버의 내부에 가스를 도입하기 위한 가스 공급 배관과, 상기 환상 챔버의 근방에 설치된 코일과, 상기 코일에 접속된 고주파 전원과, 기재를 상기 개구부에 근접해서 배치하기 위한 기재 탑재대를 구비하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.

10. 发明公开

KR1020140004067A 실리콘 융액 접촉 부재, 그의 제조 방법 및 결정 실리콘의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：硅胶接触件及其生产工艺及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140004067A
公开(公告)日：2014-01-10
申请号：KR1020137007465
申请日：2012-01-26
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 야마구치 다이가쿠 , 가부시끼가이샤 도꾸야마
发明人： 코마츠,류이치 , 이토,히로노리 , 아주마,마사노부
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C01B33/02
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/02 , C04B38/0615 , C04B2111/00612 , C30B9/04 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , C04B35/584 , C04B38/0054 , C04B38/0074
摘要： 본 발명은 실리콘 융액에 대한 발액성을 대폭 증대시키고, 게다가 그의 발액성을 영속적으로 지속시킬 수 있는, 결정 실리콘 제조에 바람직한 실리콘 융액 접촉 부재를 제공하고, 해당 실리콘 융액 접촉 부재에 의한 결정 실리콘, 특히 고결정성의 구상의 결정 실리콘을 효율적으로 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 실리콘 융액 접촉 부재는 다수의 공극, 바람직하게는 30 내지 80％의 구멍 점유 면적 비율로, 평균 원 상당 직경 1 내지 25 ㎛ 크기의 구멍이 분산하고, 각 구멍이 연결되어 깊이 5 ㎛ 이상의 연통 구멍을 형성하고 있는, 질화규소를 주성분으로 하는 두께 10 내지 500 ㎛의 다공질 소결체층이 그 표면에 존재하는, 적합하게는 상기 소결체층이 질화알루미늄 등의 세라믹 기판 상에 존재한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式