基本信息:
- 专利标题： 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법
- 专利标题（英）：An Apparatus Of Growing High Quality Silicon Single Crystalline Ingot, A Growing method Using The Same
- 专利标题（中）：生长高品质硅单晶锭的设备，使用它的成长方法
- 申请号：KR1020050087754 申请日：2005-09-21
- 公开(公告)号：KR1020070033516A 公开(公告)日：2007-03-27
- 发明人： 조현정
- 申请人： 에스케이실트론 주식회사
- 申请人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이실트론 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Imsu-ro, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do
- 代理人： 조현석
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00
摘要：
A growing apparatus of a high quality silicon crystalline ingot and a growing method using the same are provided to increase a growth speed of the high quality silicon crystalline ingot by using a heater having a maximum caloric power at a specific position in a furnace. A furnace(20) is installed on an inner of a chamber(10) and contains a silicon solution. A heater(40) is installed at a side of the furnace to heat the silicon solution. The heater has a maximum caloric power at a specific position(Tp) in the furnace. A lifting unit lifts a silicon crystal grown from the silicon solution. The specific position of the maximum caloric power is formed corresponding to a position of 30mm over and 120mm below from a surface of the silicon solution.
摘要（中）：
提供高质量硅晶锭的生长装置和使用其的生长方法，以通过使用在炉中特定位置具有最大热量的加热器来提高高质量硅晶锭的生长速度。 炉（20）安装在室（10）的内部并且包含硅溶液。 加热器（40）安装在炉的一侧以加热硅溶液。 加热器在炉中的特定位置（Tp）具有最大热量。 提升单元提升从硅溶液生长的硅晶体。 最大热量的具体位置对应于硅溶液表面的30mm和120mm以下的位置形成。
公开/授权文献:
- KR100831044B1 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법 公开/授权日：2008-05-21