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1. 发明公开

KR1019970001619A 결정결함이균일한분포를갖는실리콘단결정봉의제조방법및그제조장치 失效
标题翻译：制造晶体缺陷均匀分布的单晶硅棒的方法及其制造装置
公开(公告)号：KR1019970001619A
公开(公告)日：1997-01-24
申请号：KR1019960022379
申请日：1996-06-19
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사꾸라다마사히로 , 사또와따루 , 오오따도모히꼬
IPC分类号： C30B29/06
摘要： 제안된 것은 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉을 제조하기 위한 방법과 단결정성장 챔버에서의 개선인데, 이것에 따라서 도가니에 포함된 실리콘 용융액 표면과 결정성장 챔버의 상부벽의 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 더 크고 실리콘 용액을 포함하고 있는 도가니와 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써 성장중에 있는 단결정봉가 챔버의 상부벽 내면에 도달할 때까지 700℃ 이하가 되지 않도록 온도를 유지하여 성장시켜서 있는 단결정봉의 종측에서의 BMD 형태의 결정결손의 밀도를 감소시킴으로써 BMD 밀도 분포의 균일성을 단결정봉 전체를 통해 증가시킨다.

2. 发明公开

KR1020000006112A 실리콘 단결정 웨이퍼 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硅晶单晶及其工艺
公开(公告)号：KR1020000006112A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019990021743
申请日：1999-06-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사꾸라다마사히로 , 야마나까히데끼 , 오오따도모히꼬
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10S117/917
摘要： PURPOSE: Silicon single crystal wafer was manufactured by cz(czochralski) method with OSF or nuclear of OSF of distributed ring shape generating in thermal oxidation or without defect detected by FPD(Flow Pattern Defect), COP(Crystal Originated Particle), L/D(Large Disclocation), LSTD(Laser Scattering Topography Defect) or Cu decoration in whole wafer. CONSTITUTION: The present invention provided silicon single crystal wafer without grow-in defects by controlling temperature in reactor for delta G to be 0 or - value by pulling silicon single crystal. Said delta G is the difference between temperature grade Gc(°C/min) in center of crystal and temperature grade Ge(°C/min) around of crystal, delta G=(Ge-Gc) and G is temperature grade from melting point nearby liquid-solid interface of crystal to 1400°C.
摘要翻译：目的：采用cz（czochralski）方法制备硅单晶片，或用FPD（流动型缺陷），COP（晶体起始粒子），L / D等检测到的热氧化或无缺陷产生分布环形的OSF或OSF核（大位移），LSTD（激光散射地形缺陷）或整个晶片中的Cu装饰。构成：本发明提供了通过将反应器中的温度控制为ΔG为0或者通过拉硅单晶而不产生增长缺陷的硅单晶晶片。所述δG是晶体中心的温度等级Gc（℃/ min）和晶体周围温度等级Ge（℃/ min）之间的差值，ΔG=（Ge-Gc），G是熔点的温度等级附近液晶界面的液晶到1400°C。

3. 发明授权

KR100582240B1 실리콘 단결정 웨이퍼 및 그 제조방법 有权
标题翻译：硅晶单晶及其生产方法
公开(公告)号：KR100582240B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：KR1019990021743
申请日：1999-06-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사꾸라다마사히로 , 야마나까히데끼 , 오오따도모히꼬
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10S117/917
摘要： 쵸코랄스키법에 의한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서,
G가 결정성장시 결정의 고-액 경계면 부근에서 실리콘의 융점에서 1400℃까지의 온도구배이고, 결정의 중앙부에서의 온도구배 Gc(℃/mm)와 결정의 주변부에서의 온도구배 Ge(℃/mm)사이의 차이인 △G(△G=Ge-Gc)가 0 또는 (-)값이 되도록 로(爐) 내부온도를 제어하고, 또한 횡축이 결정의 직경을 나타내고 종축이 인상속도를 나타내는 결함분포도에 있어서 OSF 영역이 역 M형상으로 생성될 때, OSF의 내측라인의 최소값에 대응하는 인상속도와 외측라인의 최소값에 대응하는 인상속도 차이의 범위내에서 인상속도를 제어하면서 결정을 인상한다.
열산화시 발생된 링형상 분포된 OSF 혹은 OSF 잠재핵이 저밀도로 존재하며, 그리고 FPD, COP, L/D, LSTD 뿐만아니라 Cu데코레이션에 의해 검출되는 결함도 존재하지 않는 CZ법에 의해 안정된 제조조건하에 실리콘 단결정 웨이퍼 제조방법이 제공될 수 있다.
실리콘, 단결정, 인상, 웨이퍼, 결함

4. 发明授权

KR100432206B1 결정결함이균일한분포를갖는실리콘단결정봉의제조방법및그제조장치 失效
公开(公告)号：KR100432206B1
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：KR1019960022379
申请日：1996-06-19
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 사꾸라다마사히로 , 사또와따루 , 오오따도모히꼬
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , Y10T117/1032
摘要： Proposed is an improvement in the method and single crystal growing chamber for the preparation of a single crystal rod of silicon by the Czochralski method, according to which the distance between the surface of the melt of silicon contained in a crucible and the lower surface of the top wall of the crystal growing chamber is equal to or larger than the diameter of the crucible and the heat-insulating cylinder surrounding the crucible containing the melt of silicon and the heater has such a height as to reach the lower surface of the top wall of the chamber so as to keep the single crystal rod under growing is kept at a temperature not lower than 700 DEG C until reaching the lower surface of the top wall of the chamber thereby decreasing the density of the crystal defects of BMD type in the seed end of the single crystal rod as grown so that the uniformity in the distribution of BMD density is increased throughout the single crystal rod.
摘要翻译：提出了用切克劳斯基法制备单晶硅棒的方法和单晶生长室的改进，根据该方法和单晶生长室，坩埚中所含的硅熔体表面与硅晶片下表面之间的距离晶体生长室的顶壁等于或大于坩埚的直径，并且围绕包含硅熔体的坩埚的绝热筒体和加热器具有这样的高度，即其到达顶壁的下表面保持单晶棒生长的腔室保持在不低于700℃的温度下直到达到腔室顶壁的下表面，从而降低种子端的BMD型晶体缺陷的密度生长的单晶棒，以致在整个单晶棒中BMD密度分布的均匀性增加。

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