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1. 发明授权

KR101208285B1 잉곳 성장 제어시스템 및 이를 포함하는 잉곳 성장장치 有权
标题翻译：锭生长控制系统，相同的控制方法和包含相同的锭子种植者
公开(公告)号：KR101208285B1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020100020322
申请日：2010-03-08
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 신승호 , 조현정 , 하세근 , 이홍우
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , H01L21/02
摘要： 실시예는잉곳성장제어시스템및 이를포함하는잉곳성장장치에관한것이다. 실시예에따른잉곳성장제어시스템은단결정잉곳성장장치의잉곳성장제어시스템에있어서, 상기잉곳성장제어시스템의변수는, 평균인상속도판정기준이되는평균시간(average time)과, 온도보정작동주기시간(interval time), 및온도보정여부를판정하는인상속도관리선을포함한다.

2. 发明公开

KR1020110093341A 단결정 냉각장치 및 이를 포함하는 단결정 성장장치 有权
标题翻译：硅晶体和单晶水晶的冷却装置，包括它们
公开(公告)号：KR1020110093341A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100013326
申请日：2010-02-12
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 이홍우 , 곽만석 , 문지훈
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/06 , Y10T117/1016
摘要： PURPOSE: A single crystal cooling device and a single crystal growing device with the same are provided to accurately analyze a cooling process of a silicon single crystal, thereby maximizing cooling efficiency. CONSTITUTION: A path moves a cooling material to the inner and outer walls of a cooling unit body(162). A single crystal cooling device(160) has a cone shape. The first internal diameter(R1) of the single crystal cooling device is 1.5 to 2 times wider than the internal diameter of a single crystal. The internal diameter of the single crystal is grown using the single crystal cooling device. A carbon nano tube coating layer(164) is formed on the surface of the cooling unit body.
摘要翻译：目的：提供单晶冷却装置和具有该单晶生长装置的单晶生长装置，以精确地分析硅单晶的冷却过程，从而最大化冷却效率。构成：路径将冷却材料移动到冷却单元主体（162）的内壁和外壁。单晶冷却装置（160）具有锥形。单晶冷却装置的第一内径（R1）比单晶内径宽1.5-2倍。使用单晶冷却装置生长单晶的内径。在冷却单元主体的表面上形成碳纳米管涂层（164）。

3. 发明授权

KR101022933B1 선택적 자기 차폐를 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 제조방법 有权
标题翻译：使用选择性磁屏蔽制造半导体单晶的装置和方法
公开(公告)号：KR101022933B1
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020080087698
申请日：2008-09-05
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호 , 조현정 , 이홍우
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/02
摘要： 본 발명은 선택적 자기 차폐를 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 선택적 자기 차폐를 이용한 반도체 단결정 제조장치는, 반도체 융액을 수용하는 석영 도가니, 석영 도가니를 회전시키는 도가니 회전수단, 석영 도가니 측벽 주위에 설치된 히터 및 종자결정에 의해 석영 도가니에 수용된 반도체 융액으로부터 단결정을 인상하는 인상수단을 포함하는 쵸크랄스키(Czochralsky) 법을 이용한 반도체 단결정 제조장치에 있어서, 상기 석영 도가니의 둘레에 설치되어 자기장을 석영 도가니에 인가하는 자기장 인가수단; 및 상기 자기장 인가수단의 내측과 석영 도가니 외측 사이에 설치되어 자기장 인가수단으로부터 고액 계면 측으로 인가되는 자기장을 선택적으로 차폐하여 석영 도가니 내벽의 자기장 세기보다 고액 계면의 자기장 세기를 감소시키는 자기 차폐수단;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
쵸크랄스키(CZ) 법, 커스프(Cusp) 자기장, 고액 계면, 자기 차폐

4. 发明公开

KR1020100102844A 고품질 실리콘 단결정 제조 방법 및 장치 有权
标题翻译：制造高品质硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：KR1020100102844A
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR1020090021111
申请日：2009-03-12
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 이홍우 , 곽만석 , 신승호
IPC分类号： C30B15/20 , G01G19/52
摘要： PURPOSE: A high-quality silicon single crystal manufacturing method and apparatus thereof. The monocrystal pull rate offset can be produced. The monocrystal pull rate can be revised with the offset calculating. CONSTITUTION: A high-quality silicon single crystal manufacturing method and apparatus(100) thereof. The monocrystal pull rate offset is produced with the diameter change of monocrystal when the silicon single crystal increases. According to the pull rate offset calculating, the monocrystal pull rate is revised and it is flawless, V/G of the peripheral unit and solid/liquid interface central part is kept within margin.
摘要翻译：目的：一种高品质硅单晶制造方法及其装置。可以产生单晶拉速率偏移。可以用偏移计算修改单晶拉率。构成：一种高品质硅单晶制造方法及装置（100）。当单晶增加时，单晶拉速率偏移随单晶体的直径变化而产生。根据拉速率偏移计算，单晶拉伸率得到修正，无缺陷，外围单元和固/液界面中心部分的V / G保持在边缘。

5. 发明公开

KR1020100102841A 고품질 실리콘 단결정 제조 방법 및 장치 有权
标题翻译：制造高品质硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：KR1020100102841A
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR1020090021108
申请日：2009-03-12
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 이홍우 , 곽만석 , 신승호
IPC分类号： C30B15/20 , G01G19/52
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for manufacturing high quality silicon single crystal are provided to control the silicon signal crystal in a non-defect margin by correcting a melt gap variation in a shoulder process or a body process. CONSTITUTION: When silicon single crystal is grown, a melt gap deviation is corrected by calculating the amounted of the melt gap deviation based on the weight or diameter of the silicon single crystal. The diameter of the silicon single crystal is increased to a target diameter by controlling the growing speed of the silicon single crystal in order to grow a single crystal shoulder. Based on the target weight of the shoulder, the weight variation of the grown shoulder is measured(S40). Based on the calculated weight variation, the amount of a melt gap variation is calculated(S50).
摘要翻译：目的：提供一种用于制造高质量硅单晶的方法和装置，用于通过校正肩部过程或身体过程中的熔体间隙变化来控制非缺陷边缘中的硅信号晶体。构成：当硅单晶生长时，通过基于硅单晶的重量或直径计算熔体间隙偏差的量来校正熔体间隙偏差。通过控制硅单晶的生长速度以增长单晶肩部，将硅单晶的直径增加到目标直径。基于肩部的目标重量，测量生长肩部的重量变化（S40）。基于计算的重量变化，计算熔体间隙变化量（S50）。

6. 发明公开

KR1020100042466A 잉곳 냉각유닛 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치 无效
标题翻译： INGOT冷却单元和用于生长单晶的装置
公开(公告)号：KR1020100042466A
公开(公告)日：2010-04-26
申请号：KR1020080101622
申请日：2008-10-16
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 곽만석 , 조현정 , 신승호 , 강종민 , 김대연
IPC分类号： C30B15/22 , C30B35/00
摘要： PURPOSE: An ingot cooling unit and a single crystal ingot growing device including the same are provided to improve a cooling rate of the ingot by forming a heat absorption layer on the surface of a cooling material. CONSTITUTION: Ingot is inputted and outputted in a growing chamber(110). A crucible(120) is installed inside the growing chamber and receives a silicon solution. A heating element(130) heats the silicon solution inside the crucible. A cooling material cools down the ingot which is grown in contact with the heated silicon solution. A heat absorption layer increase the absorption of heat radiated from the ingot.
摘要翻译：目的：提供一种锭冷却单元和包括该锭单晶锭生长装置的单晶锭生长装置，以通过在冷却材料的表面上形成吸热层来提高锭的冷却速度。构成：在生长室（110）中输入并输出锭子。坩埚（120）安装在生长室内并接收硅溶液。加热元件（130）加热坩埚内部的硅溶液。冷却材料冷却与加热的硅溶液接触生长的锭。吸热层增加了从锭发出的热量的吸收。

7. 发明授权

KR100906284B1 산소농도 특성이 개선된 반도체 단결정의 제조방법 有权
标题翻译：半导体单晶生长方法提高了氧浓度的特性
公开(公告)号：KR100906284B1
公开(公告)日：2009-07-06
申请号：KR1020070111339
申请日：2007-11-02
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 신승호 , 문지훈 , 이홍우 , 홍영호
IPC分类号： C30B15/30 , H01L21/20
CPC分类号： C30B15/305 , C30B29/06 , C30B30/04
摘要： 본 발명은 석영 도가니에 수용된 반도체 멜트(melt)에 시드(seed)를 담근 후 상기 석영 도가니를 회전시킴과 아울러 수평강자장을 인가하면서 인상시켜 고액계면을 통해 반도체 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 석영 도가니를 0.6~1.5rpm의 속도로 회전시키면서 인상을 진행하는 것을 특징으로 한다.
쵸크랄스키법, MCZ, 수평강자장, 석영도가니, 도가니 회전수, 산소농도

8. 发明授权

KR100906281B1 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 열실드 구조물 및 이를 이용한 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 有权
标题翻译：用于生长硅单晶锭和种植者的隔热结构
公开(公告)号：KR100906281B1
公开(公告)日：2009-07-06
申请号：KR1020070072060
申请日：2007-07-19
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정 , 이홍우 , 홍영호 , 신승호
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 장치에 구비되는 열실드 구조물에 관한 것으로서, 실리콘 멜트의 계면에 근접한 지점에 일부가 배치되고, 단결정 잉곳의 중심부로부터 에지부로 가면서 점차 축방향 온도구배가 커지도록 제어하는 하부 열실드; 및 일부가 상기 하부 열실드로부터 이격되게 상기 하부 열실드의 상방에 배치되고, 상기 단결정 잉곳의 중심부로부터 에지부로 가면서 점차 축방향 온도구배가 작아지도록 제어하여 결과적으로 상기 하부 열실드에 의한 온도구배 편차를 보상하는 상부 열실드;를 포함하는 열실드 구조물을 개시한다.
쵸크랄스키법, 단결정 잉곳, 열실드, 온도구배, 멜트 갭, 보론코프 이론

9. 发明授权

KR100749938B1 고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법 有权
标题翻译：高品质硅单晶生长装置及方法
公开(公告)号：KR100749938B1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：KR1020060088714
申请日：2006-09-13
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정
IPC分类号： C30B15/20
摘要： 본 발명은 높은 성장속도로 고품질의 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 그를 이용한 실리콘 단결정 잉곳 성장방법에 관한 것으로, 본 발명은 초크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 때, 실리콘 융액의 온도를 단결정 잉곳의 길이 방향과 평행한 축을 따라서 측정할 때 융액과 단결정 잉곳과의 계면에서부터 단결정 잉곳과 멀어질수록 융액의 온도가 점점 상승하여 최고점에 도달하였다가 점점 하강하게 하고, 상기 상승하는 융액 온도의 기울기가 상기 하강하는 융액 온도의 기울기보다 크게 제어하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법을 제공한다.
실리콘, 점결함, 융액, 온도

10. 发明公开

KR1020070072346A 실리콘 단결정 제조방법 有权
标题翻译：高品质硅单晶和硅晶体的生产方法
公开(公告)号：KR1020070072346A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020060101952
申请日：2006-10-19
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 조현정
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要： A method for fabricating a high-quality silicon single crystal is provided to fabricate a defectless high-quality single crystal ingot at a high growth speed by effectively controlling the temperature distribution of a melt. The lower part of a solid-liquid interface of a single crystalline growth is divided into a center part and an outer circumferential part so that the temperature gradient of the center part and the temperature gradient of the outer circumferential part are separately controlled. The temperature gradient of the outer circumferential part can be controlled by adjusting the temperature gradient of a single crystal. The temperature gradient of the single crystal can be controlled by adjusting the gap of a thermal shield.
摘要翻译：提供一种制造高品质硅单晶的方法，通过有效地控制熔体的温度分布，以高生长速度制造无缺陷的高品质单晶锭。将单晶生长的固液界面的下部分成中心部和外周部，使得外周部的中心部的温度梯度和温度梯度被分别控制。可以通过调节单晶的温度梯度来控制外周部的温度梯度。可以通过调节热屏蔽的间隙来控制单晶的温度梯度。

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