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1. 发明授权

KR101668218B1 레이저 광원 및 레이저 광원의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101668218B1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：KR1020167005096
申请日：2008-12-17
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 렐,앨프레드 , 에이츨러,크리스토프 , 슈미드,울프강 , 타우츠,손크 , 레일,울프강 , 디니,디미트리
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/00 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 레이저광원은특히활성영역(45), 제1 부분영역(121) 및그와다른제2 부분영역(122)을가진복사아웃커플링면(12) 및필터구조체(5)를구비한반도체층 시퀀스(10)를포함하고, 상기활성영역(45)은구동시 제1 파장영역을가진간섭성제1 전자기복사(51) 및제2 파장영역을가진비간섭성제2 전자기복사(52)를생성하고, 상기간섭성제1 전자기복사(51)는방출방향(90)을따라제1 부분영역(121)으로부터방출되며, 비간섭성제2 전자기복사(52)는제1 부분영역(121) 및제2 부분영역(122)으로부터방출되며, 제2 파장영역은제1 파장영역을포함하고, 상기필터구조체(5)는상기활성영역으로부터방출된비간섭성제2 전자기복사(52)를방출방향(90)을따라적어도부분적으로감쇄시킨다.

2. 发明授权

KR101642005B1 양자 포토닉 이미저 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101642005B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020157012533
申请日：2008-09-16
申请人： 오스텐도 테크놀로지스 인코포레이티드
发明人： 엘-고루리허쎄인에스 , 브라운로버트쥐더블유 , 맥닐데일에이 , 덴버휘버트 , 란존앤드류제이
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/10 , H01S5/18 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/343 , H04N9/31
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G09G3/2018 , G09G3/32 , G09G2300/0842 , G09G2310/0235 , G09G2340/06 , H01S5/02276 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4093 , H04N9/3161
摘要： 디지털어드레서블멀티컬러픽셀의공간적어레이를포함하는방출양자포토닉이미저. 각각의픽셀은다중반도체레이저다이오드의수직스택이며, 그각각은상이한컬러의레이저광을생성할수 있다. 각각의멀티컬러픽셀내에, 다이오드의스택으로부터생성된광이이미저장치에포함되는다중레이저다이오드각각의광학적감금영역에결합되는복수의수직도파관을통하여이미저장치의평면에대하여수직으로방출된다. 단일픽셀에포함되는레이저다이오드각각은개별적으로어드레서블하여, 각각의픽셀이각각의색에대하여임의의요구되는온/오프듀티사이클에서레이저다이오드에관련된컬러의임의의조합을동시에방출할수 있게된다. 각각의개별적인멀티컬러픽셀은그들각각의레이저다이오드의온/오프듀티사이클을제어함으로써요구되는컬러및 휘도값을동시에방출할수 있다.

3. 发明公开

KR1020150017774A 레이저 광원 및 레이저 광원의 제조 방법 有权
标题翻译：激光光源和产生激光光源的方法
公开(公告)号：KR1020150017774A
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020157002077
申请日：2008-12-17
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 렐앨프레드 , 에이츨러크리스토프 , 슈미드울프강 , 타우츠손크 , 레일울프강 , 디니디미트리
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/00 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
摘要： 레이저 광원은 특히 활성 영역(45), 제1 부분 영역(121) 및 그와 다른 제2 부분 영역(122)을 가진 복사 아웃커플링면(12) 및 필터 구조체(5)를 구비한 반도체 층 시퀀스(10)를 포함하고, 상기 활성 영역(45)은 구동 시 제1 파장 영역을 가진 간섭성 제1 전자기 복사(51) 및 제2 파장 영역을 가진 비간섭성 제2 전자기 복사(52)를 생성하고, 상기 간섭성 제1 전자기 복사(51)는 방출 방향(90)을 따라 제1 부분 영역(121)으로부터 방출되며, 비간섭성 제2 전자기 복사(52)는 제1 부분 영역(121) 및 제2 부분 영역(122)으로부터 방출되며, 제2 파장 영역은 제1 파장 영역을 포함하고, 상기 필터 구조체(5)는 상기 활성 영역으로부터 방출된 비간섭성 제2 전자기 복사(52)를 방출 방향(90)을 따라 적어도 부분적으로 감쇄시킨다.

4. 发明授权

KR101423721B1 나노 패턴들을 갖는 레이저 다이오드 및 그것을 제조하는방법 有权
标题翻译：具有纳米图案的激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101423721B1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020070101262
申请日：2007-10-09
申请人： 서울바이오시스 주식회사 , 토쿠시마 대학
发明人： 사카이,시로
IPC分类号： H01S3/0941 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/34333 , Y10S977/72
摘要： 나노 패턴들을 갖는 레이저 다이오드가 개시된다. 이 레이저 다이오드는 기판을 포함한다. 제1 도전형 클래드층이 기판 상부에 위치하고, 제2 도전형 클래드층이 제1 도전형 클래드층 상부에 위치하며, 활성층이 제1 및 제2 클래드층 사이에 개재된다. 한편, 기둥 형상의 나노 패턴들이 제2 도전형 클래드층 표면에 주기적으로 배열된다. 이에 따라, 분포 궤환형 레이저 등 파장이 중요한 용도에 사용되는 레이저 다이오드를 제공할 수 있다.
레이저 다이오드, 분포 궤환형(DFB), 분포 브랙 반사형(DBR), 나노 패턴

5. 发明公开

KR1020110092676A 산화아연 나노막대 ＵＶ선을 이용한 레이저 소자 有权
标题翻译：使用ZNO NANOROD紫外线的激光器件
公开(公告)号：KR1020110092676A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012234
申请日：2010-02-10
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안성일 , 최경철 , 이성의
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/1046 , H01S5/105 , H01S5/3407
摘要： PURPOSE: A laser device using zinc oxide nano-rod ultraviolet rays is provided to use a high frequency plasma plane light source, thereby acquiring high power laser beam through a plasmon resonance effect. CONSTITUTION: A laser device(100) includes a plasma light source(110) of a flat board type and a laser output part(120). The plasma light source includes a stripe shaped electrode(112) formed between a first substrate(111) and second substrate(116), a dielectric layer(113), a metal oxide layer(114), and a spacer(115). The laser output part includes a metal layer(121) formed on the second substrate, a zinc oxide nano-rod array(122), and a protective film(123).
摘要翻译：目的：提供使用氧化锌纳米棒紫外线的激光装置，使用高频等离子体平面光源，从而通过等离子体共振效应获得高功率激光束。构成：激光装置（100）包括平板型等离子体光源（110）和激光输出部（120）。等离子体光源包括形成在第一基板（111）和第二基板（116）之间的条状电极（112），电介质层（113），金属氧化物层（114）和间隔物（115）。激光输出部包括形成在第二基板上的金属层（121），氧化锌纳米棒阵列（122）和保护膜（123）。

6. 发明授权

KR100991070B1 면 발광 레이저 소자 失效
标题翻译：表面发射激光器件
公开(公告)号：KR100991070B1
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020080044868
申请日：2008-05-15
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 호리유이치로
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/105 , H01S5/187 , H01S5/34326
摘要： 면 발광 레이저 소자는 발광 효율을 더한층 향상시켜, 설계의 자유도를 크게 하는 것이 가능해진다. 상기 면 발광 레이저 소자는 활성층(103)과, 해당 활성층에 인접해서 배치된 포토닉 결정층과, 해당 포토닉 결정층 위쪽에 배치된 전극(108)과, 상기 전극에 의해 규정된 복수의 광 출사 영역을 포함한다. 상기 포토닉 결정층은 상기 전극의 바로 밑에 배치되고, 또한 면내에서 광을 공진시키는 굴절률 주기 구조를 가진 제1 포토닉 결정 영역(104)과, 상기 광 출사 영역의 바로 아래에 배치되고, 또한 상기 면에 수직인 방향에 광을 방사시키는 굴절률 주기 구조를 가진 제2 포토닉 결정 영역(105)을 포함하도록 구성되어 있다.

7. 发明公开

KR1020100052504A 광결정 및 발광 세라믹을 포함하는 발광 장치 无效
标题翻译：包含光电晶体和发光陶瓷的发光器件
公开(公告)号：KR1020100052504A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020107004607
申请日：2008-07-03
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이. , 루미레즈 엘엘씨
发明人： 위어러,조나단제이.주니어 , 비어후이젠,세르게 , 데이비드,오렐리언제이.에프. , 크램스,마이클알. , 웨이스,리차드제이.
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/505 , B82Y20/00 , C04B35/44 , C04B35/547 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B35/6268 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3286 , C04B2235/6027 , C04B2235/662 , C09K11/7774 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/501 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor structure including a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region and a photonic crystal formed within or on a fsurf ace of the semiconductor structure is combined with a ceramic layer which is disposed in a path of light emitted by the light emitting layer. The ceramic layer is composed of or includes a wavelength converting material such as a phosphor.
摘要翻译：包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层和形成在半导体结构的fsurf ace中或之上的光子晶体的半导体结构与布置在光路径中的陶瓷层组合由发光层发射。陶瓷层由磷光体等波长转换材料构成或包含波长转换材料。

8. 发明授权

KR100759603B1 수직 공진기형 면발광 레이저 장치 失效
标题翻译：垂直孔表面发射激光器件
公开(公告)号：KR100759603B1
公开(公告)日：2007-09-17
申请号：KR1020060037895
申请日：2006-04-27
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 호리유이치로 , 우치다마모루 , 오카모토코헤이 , 나가토모야스히로
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/183 , H01S5/105 , H01S5/18308
摘要： 수직 공진기형 면발광 레이저 장치는, 제 1반사 미러층, 제 2반사 미러층 및 이들 사이에 배치된 활성층을 포함하고, 상기 제 1반사 미러층 및 제 2반사 미러층 중의 적어도 한쪽은 굴절률이 면내 방향에 주기적으로 변화하는 굴절률 주기구조를 지니고, 상기 굴절률 주기구조의 일부는 주기를 교란시키는 부분을 복수개소 포함한다.

9. 发明公开

KR1020070075337A 면발광형 반도체 레이저 无效
标题翻译：表面发射型半导体激光器
公开(公告)号：KR1020070075337A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020070003178
申请日：2007-01-11
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 모찌즈끼마사미쯔
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18391 , B82Y20/00 , H01S5/024 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18305 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/3432 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： A surface-emitting type semiconductor laser is provided to reduce the number of oscillation modes and realize a high output by making an inner diameter of a current restraining layer large and a diameter of a light confining area small. A surface-emitting type semiconductor laser includes a first mirror(102), an active layer(103), a second mirror(104), and a current restraining layer(105). The active layer(103) is formed at an upper part of the first mirror(102). The second mirror(104) is formed at an upper part of the active layer(103). The current restraining layer(105) is formed at the upper part or a lower part of the active layer(103). The second mirror(104) has a plurality of concave units(111) arranged inside a surface which is perpendicular to the direction of light emission. A light confining area surrounded by the concave units(111) is formed inside an area surrounded by the current restraining layer(105).
摘要翻译：提供了表面发射型半导体激光器，以减少振荡模式的数量，并且通过使电流限制层的内径大而且光限制区域的直径变小而实现高输出。表面发射型半导体激光器包括第一反射镜（102），有源层（103），第二反射镜（104）和电流抑制层（105）。活性层（103）形成在第一反射镜（102）的上部。第二反射镜（104）形成在有源层（103）的上部。电流限制层（105）形成在有源层（103）的上部或下部。第二反射镜（104）具有布置在垂直于发光方向的表面内的多个凹形单元（111）。在由电流限制层（105）包围的区域内形成由凹部（111）包围的光限制区域。

10. 发明授权

KR100584610B1 멀티 빔형 반도체 레이저 失效
标题翻译：多光束半导体激光器
公开(公告)号：KR100584610B1
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：KR1020040091453
申请日：2004-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 콘도타카시
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/42 , H01S5/024 , H01S5/105 , H01S5/187 , H01S5/22
摘要： 레이저 빔간 피치를 변경할 수 있으며, 크로스 토크나 파워 다운 우려가 없는 구성으로 한 멀티 빔 반도체 레이저가 개시되어 있다.
본 발명은 스트라이프 모양의 전류 경로를 따르는 활성층 중 레이저 발진 영역의 양단부쪽에 단면 반사 미러부가 형성되고, 상기 단면 반사 미러부의 반사비율이 전방 단면 반사 미러부의 단면으로부터 레이저가 발광하지 않는 반사율로 설정되며, 활성층 중 레이저 발진 영역의 임의의 위치에 레이저 발진 파장광만을 레이저 발진 영역의 바깥쪽으로 광로 변경시키는 파장분파기가 마련되어 있다.
상기 구성에 의해 자유롭게 레이저광의 피치 조절이 가능하다.

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