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    • 9. 发明授权
    • 반도체 광 소자 및 그 제조 방법
    • 半导体光学器件及其制造方法
    • KR101754280B1
    • 2017-07-07
    • KR1020110042251
    • 2011-05-04
    • 한국전자통신연구원
    • 김동철김기수김현수최병석권오균정종술오대곤
    • G02B6/12H01S5/10H01S5/026
    • H01S5/1028H01S5/0265H01S5/0425H01S5/1003H01S5/101H01S5/1014H01S5/2222H01S2301/16
    • 반도체광 소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체광 소자는반도체기판의제1 모드변환영역, 광증폭영역, 제2 모드변환영역및 광변조영역상에각각배치된제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어; 및적어도광 증폭코어의측벽및 상부면을덮는전류차단부를포함한다. 제1 모드변환코어, 광증폭코어, 제2 모드변환코어및 광변조코어는일 방향을따라순차적으로배열되어서로버트결합(butt joint)되고, 전류차단부는차례로적층된제1, 제2 및제3 클래딩패턴들을포함한다. 제2 클래딩패턴은제1 도전형의도펀트로도핑되고, 제1 및제3 클래딩패턴들은제2 도전형의도펀트로도핑된다.
    • 提供了一种半导体光学器件及其制造方法。 伊凡导体光学元件是第一模式转换区域,所述光放大区域,所述第二模式改变区域和各自布置在所述第一模式中的光调制的区域交换核心,光放大器芯,所述第二模式切换芯和半导体基板的光调制 核心; 以及电流阻挡部分,其至少覆盖光放大核心的侧壁和上表面。 第一模式转换核心,光学放大核心,第二模式转换核心和光学调制核心沿一个方向顺序布置以对接,并且电流中断部分包括第一,第二和第三包层 它包括一个图案。 第二包层图案掺杂有第一导电类型的掺杂剂,第一和第三包层图案掺杂有第二导电类型的掺杂剂。