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1. 发明授权

KR100842540B1 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR100842540B1
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020060130902
申请日：2006-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인 , 이은화 , 김성원
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/18
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S2301/163
摘要： 본 발명은 수직공진 표면발광 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 1/4 파장층이 있는 영역과 이를 식각한 영역에서 굴절률 정합물질 도포 전후에 투과율이 변하지 않는 유전체 코팅구조를 제시하고, 이를 이용한 링형 개구(ring aperture) 구조를 VCSEL 제작공정 초기에 포토레지스트층의 정렬(photo-align) 및 1/4 파장층 식각공정을 통해 형성함으로써 산화막 개구 및 링형 개구를 정확히 일치시키는 것을 특징으로 한다.
수직공진 표면발광 레이저, 굴절률 정합, 방사각

2. 发明公开

KR1020080057522A 수직공진 표면발광 레이저장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080057522A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020060130902
申请日：2006-12-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인 , 이은화 , 김성원
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/18
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S2301/163
摘要： A vertical cavity surface emitting laser device and a method for fabricating the same are provided to match precisely an oxidation aperture with a ring aperture by implementing the ring apertures in an initial fabrication. A vertical cavity surface emitting laser device includes lower and upper reflective layers, an activation layer(120), an electrode, a contact layer(150), a quarter waveform layer(160), and a dielectric layer(170). The lower and upper reflective layers, which are stacked on each other, form a resonance space therebetween. The activation layer, formed between the lower and upper reflective layers, generates laser beams. The electrode is formed on the upper reflective layer with a ring shape so as to form an aperture that emits beams penetrated through the upper reflective layer. The contact layer is formed on the upper reflective layer. The quarter waveform layer is formed on the contact layer so as to form a high transmittance area in the aperture of the electrode as a ring shape. The dielectric layer covers the contact layer and the quarter waveform layer other than the electrode.
摘要翻译：提供垂直腔表面发射激光器件及其制造方法，以在初始制造中实现环形孔，精确地与氧化孔与环孔匹配。垂直腔表面发射激光器件包括下反射层和上反射层，激活层（120），电极，接触层（150），四分之一波形层（160）和介质层（170）。彼此堆叠的下反射层和上反射层在它们之间形成共振空间。形成在下反射层和上反射层之间的激活层产生激光束。电极形成在具有环形的上反射层上，以形成发射穿过上反射层的光束的孔。接触层形成在上反射层上。四分之一波形层形成在接触层上，从而在电极的孔中形成高透光率区域作为环形。电介质层覆盖电极以外的接触层和四分之一波长层。

3. 发明公开

KR1020060090458A 효율적인 냉각 구조를 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有有效冷却结构的半导体发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060090458A
公开(公告)日：2006-08-11
申请号：KR1020050010993
申请日：2005-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기성 , 이준호
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/024 , H01L33/642 , H01S3/109 , H01S5/02476 , H01S5/141 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18377 , H01S5/2072 , H01S5/3095 , H01S2301/173 , H01S2304/00
摘要： 본 발명은 발광 효율의 저하 없이 간단한 방법으로 제조할 수 있으며 방열 효율이 우수한 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 것으로, 소정의 간격으로 패터닝된 열확산층; 상기 열확산층을 덮으며 평탄한 표면을 갖는 평탄층; 및 상기 평탄층 위에 형성된 발광부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

4. 发明授权

KR100160684B1 표면광 레이저 失效
标题翻译：表面发射激光器
公开(公告)号：KR100160684B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950006215
申请日：1995-03-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이용희 , 신현국
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/18375 , H01S5/2063 , H01S2301/166
摘要： 본 발명은 광출력 특성을 개선한 표면광 레이저에 관한 것이다.
이 표면광 레이저는 전원의 한 전극이 접속되도록 된 기판(30)과, 이 기판(30) 상에 위치하며 인가 전원에 따라 전자 또는 정공을 생성하고 그 표면에 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 반도체 물질로 된 제1반사기층(32)과, 이 제1반사기층(32) 상에 위치하고 전자와 정공의 재결합에 의해 레이저 광을 생성하는 활성층(34)과, 상기 활성층(34) 상에 위치하고 상기 제1반사기층(32)과 다른 반도체형으로 되고 입사되는 광을 대부분 반사시키고 일부를 투과시키도록 된 제2반사기층(36)과, 상기 제2반사기층(36) 상에 적층되고 상기 전원의 다른 전극이 접속되며 상기 반사기층을 통과한 광이 출사하는 공동(46)을 가지는 전극층(40)로 이루어진 표면광 레이저에 있어서, 상기 전극층(40)이 전원이 직접 인가되고 전기전도도가 높은 금속층(44)과, 상� �� 제1반사기층(32)을 투과하여 표면으로 입사하는 광을 대부분 흡수하도록 된 도전성 저반사층(42)을 포함하도록 된 것을 특징으로 한다.

5. 发明公开

KR1020140059762A 반사율이 조절된 격자 미러 审中-实审
标题翻译：反射调制光栅镜
公开(公告)号：KR1020140059762A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020137033524
申请日：2012-05-09
申请人： 덴마크스 텍니스케 유니버시테트
发明人： 정일석
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/18302 , H01S5/0655 , H01S5/105 , H01S5/18311 , H01S5/18316 , H01S5/18325 , H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/18386 , H01S5/3095
摘要： 본 발명은 레이저 출력을 조절하기 위한 반사율 조절된 격자 미러와 결합하는 수직 공동 레이저(VCL)와 관련되어 있다. 공동(cavity)은, 그곳에 배열된 전기광학 물질 층을 갖는 p- 및 n-도핑된 반도체 층을 포함하는 층 구조 내의 주기적인 굴절률 격자 영역에 의해 형성되는 바닥 거울, 활성 영역 및 아웃커플링 상단 격자 거울에 의해 형성된다. 격자 영역은 진동 축에 수직 방향으로 주기적으로 굴절률을 변화시키기 위한 주기적인 천공의 의해 형성된 격자 구조를 포함한다. 조절된 전압은, 전기광학 물질 층의 굴절률을 조절하기 위하여 n- 및 p-도핑된 층 사이의 역바이어스 전압에 인가되고, 이에 의해 격자 미러의 굴절률 스펙트럼이 조절된다. 격자 미러의 반사율은 아웃커플링이 거의 없거나 없는 반사율 및 보통의 아웃 커플링을 갖는 반사율 사이에서 조절될 수 있고, VCL의 레이저 발고아은 제1 및 제2 반사율 모두에 의해 보조된다. 아웃커플링 미러가 출력을 조절하기 때문에, 레이저 발광은 조절될 필요가 없고, 본 발명은 높은 조절 속도하의 저 전력 소비의 이점을 제공한다.

6. 发明授权

KR101121114B1 면 발광형 반도체 레이저, 면 발광형 반도체 레이저의 제조방법, 모듈, 광원 장치, 정보 처리 장치, 광 송신 장치,광 공간 전송 장치 및 광 공간 전송 시스템 有权
标题翻译：表面发射半导体激光器，用于制造表面发射半导体激光器，模块，光源装置，数据处理装置，光发射装置，光学空间传输装置和光学空间传输系统的方法
公开(公告)号：KR101121114B1
公开(公告)日：2012-03-19
申请号：KR1020080004201
申请日：2008-01-15
申请人： 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
发明人： 스즈키데이이치 , 나가오다이스케
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/18311 , H01S5/18325 , H01S5/1833 , H01S5/18341 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18397 , H01S2301/18
摘要： 본 발명은 모드 제어를 효과적으로 행할 수 있는 VCSEL을 제공하는 것을 과제로 한다.
VCSEL(100)은 p형의 GaAs 기판(102)과, GaAs 기판(102) 상에 형성된 p형의 하부 DBR(106)과, 하부 DBR(106) 상에 형성되고, 광을 발생하는 활성층(112)과, 활성층(112) 상에 형성되고, 발진 파장의 광을 선택적으로 흡수 또는 반사하며, 레이저광의 모드를 제어하는 광 모드 제어층(120)과, 광 모드 제어층(120) 상에 형성된 상부 DBR(124)을 갖는다.
VCSEL, DBR, 활성층, 광 모드 제어층

7. 发明公开

KR1020080005133A 면 발광형 반도체 레이저 无效
标题翻译：表面发射型半导体激光器
公开(公告)号：KR1020080005133A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020070068018
申请日：2007-07-06
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 모찌즈끼마사미쯔
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18386 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要： A surface-emitting type semiconductor laser is provided to reduce oscillation modes of a laser beam and to perform higher output than in case of smaller diameter of a current constricted layer. A surface-emitting type semiconductor laser includes a lower mirror(10), an activation layer(103), and an upper mirror(20). The activation layer is formed on the lower mirror. The upper mirror is formed on the activation layer and includes first and second areas(70,72). A plurality of vacant holes(60) are formed on the first area. The second area is formed inside the first area not having the vacant holes, is flat and circular. The radius enables an energy increase rate of the activation layer to be plus in a low-order oscillation mode and to be minus in a high-oscillation mode. The vacant holes has a depth which enables the energy increase rate of the activation layer to be plus in the low-order oscillation mode and to be minus in the high-oscillation mode.
摘要翻译：提供表面发射型半导体激光器以减少激光束的振荡模式并且执行比在电流限制层的较小直径的情况下更高的输出。表面发射型半导体激光器包括下反射镜（10），激活层（103）和上反射镜（20）。活化层形成在下反射镜上。上反射镜形成在激活层上并且包括第一和第二区域（70,72）。在第一区域上形成有多个空孔（60）。第二区域形成在没有空孔的第一区域内，是扁平圆形的。半径使激活层的能量增加率在低阶振荡模式下为正，并且在高振荡模式中为负。空穴的深度使活化层的能量增加率在低阶振荡模式下为正，在高振荡模式中为负。

8. 发明授权

KR100634538B1 효율적인 냉각 구조를 갖는 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有有效冷却结构的半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100634538B1
公开(公告)日：2006-10-13
申请号：KR1020050010993
申请日：2005-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기성 , 이준호
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01S5/024 , H01L33/642 , H01S3/109 , H01S5/02476 , H01S5/141 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18377 , H01S5/2072 , H01S5/3095 , H01S2301/173 , H01S2304/00
摘要： 본 발명은 발광 효율의 저하 없이 간단한 방법으로 제조할 수 있으며 방열 효율이 우수한 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 것으로, 소정의 간격으로 패터닝된 열확산층; 상기 열확산층을 덮으며 평탄한 표면을 갖는 평탄층; 및 상기 평탄층 위에 형성된 발광부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR100381985B1 수직공동표면방출레이저(VCSEL)및그제조방법 失效
标题翻译： 수직공동표면방출레이저（VCSEL）및그제조방법
公开(公告)号：KR100381985B1
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1019950015822
申请日：1995-06-15
申请人： 모토로라 솔루션즈, 인크.
发明人： 피오트르그로드진스키 , 마이클에스.레비 , 도날드이.에클레이
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/18327 , H01S5/209
摘要： Patterned-mirrors for VCSELs are fabricated by forming a first mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers of AlGaAs, forming an active region of aluminum-free material on the first mirror stack, and forming a second mirror stack of a plurality of pairs of relatively high and low index of refraction layers of AlGaAs. The second mirror stack can be selectively etched to the active region by utilizing the aluminum-free active region as an etch stop.
摘要翻译： VCSEL的图案反射镜通过以下方式制造：形成多对AlGaAs折射率相对较高和较低折射率的第一反射镜叠层，在第一反射镜叠层上形成无铝材料的有源区域，并且形成第二反射镜堆叠多对AlGaAs折射率相对较高和较低的折射率层。通过利用无铝活性区域作为蚀刻停止层，可以将第二镜堆栈选择性地蚀刻到有源区域。

10. 发明公开

KR1020160004216A 마하젠더 변조기 및 수직 캐비티 표면 방출 레이저(VCSEL)를 포함하는 집적 광전자 디바이스 无效
标题翻译：包含MACH-ZEHNDER调制器和垂直CAVITY表面激光器（VCSEL）的集成光电设备
公开(公告)号：KR1020160004216A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：KR1020150094180
申请日：2015-07-01
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 수충-이
IPC分类号： H01S5/183 , G02B6/293
CPC分类号： H01S5/18302 , G02B6/12 , G02F1/01708 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/1032 , H01S5/18308 , H01S5/18327 , H01S5/187 , H01S5/34 , H01S5/423
摘要： MZM(Mach-Zehnder modulator)은 VCSEL에수평으로집적된다. 수평집적된 MZM은수평집적된 EA 변조기의파장의존성문제를해소하고, 수직집적된 EA 및 EO 변조기와연관된 ER 및변조범위문제를해소하는측면에서수평집적된 EA 변조기와동일한장점을여전히갖는다. 기존의집적된변조기에의한이런문제점들을해소함으로써, VCSEL의동작속도는증가되고변조신호범위가확대되어대-신호디지털변조방식을포함하는더 넓은범위의변조신호및 변조방식을허용한다.
摘要翻译：马赫 - 曾德调制器（MZM）与VCSEL水平集成。横向集成的MZM克服了水平集成EA调制器的波长依赖性问题，并且具有与水平集成的EA调制器相同的优点，即克服与垂直集成的EA和EO调制器相关的ER和调制范围问题。通过克服现有的集成调制器的问题，增加VCSEL的操作速度，并且扩展调制信号范围以允许更宽范围的调制信号和调制方案，包括大信号数字调制方案。

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