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1. 发明授权

KR101796586B1 레이저 표시장치 有权
公开(公告)号：KR101796586B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160036971
申请日：2016-03-28
申请人： 조성우
发明人： 조성우
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/028 , G02B3/06
摘要： 본발명은레이저표시장치에관한것이다. 본발명은내부에내부공간(11)이형성된하우징(10)과상기하우징(10)에설치되어레이저빛을조사하는점광원인레이저광원부(20)와, 상기하우징(10)에일정경로를따라이동가능하도록설치되는조작부(15)와, 상기하우징(10)의내부공간(11) 내에서상기레이저빛이조사되는경로상에설치되고점광원의상기레이저빛을라인으로출사할수 있도록적어도일부가곡면형태로형성되는라인발생수단(50)을포함하고, 상기라인발생수단(50)은상기조작부(15)의작동에연동하여이동되며, 상기라인발생수단(50)이이동됨에따라상기레이저빛이선택적으로점 또는라인으로출사된다. 본발명에의한레이저표시장치는사용자가조작부(15)를조작하여레이저빛을점 또는선 형태로자유롭게선택하여조사할수 있어레이저표시장치의사용편의성이향상되고, 레이저표시장치의활용범위가넓어진다.

2. 发明公开

KR1020140127034A 에지 에미팅 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 无效
标题翻译：边缘发射激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140127034A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130045524
申请日：2013-04-24
申请人： 주식회사 옵토웰 , 한국광기술원
发明人： 양계모 , 장호진 , 김상민 , 한수욱 , 김정호 , 임주영
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0284 , H01S5/0285 , H01S5/18383
摘要： 본 발명은 전방 벽개면(front facet)과 후방 벽개면(rear facet)에 의해 종단되는 레이저 발광 도파관; 상기 전방 벽개면에 형성되고, 제1패시베이션층, 상기 제1패시베이션층에 형성되는 저굴절률층을 포함하는 저반사 코팅층; 및상기 후방 벽개면에 형성되고, 상기 제2 패시베이션층, 상기 제2패시베이션층에 형성되는 저굴절률층과 고굴절률층의 스택(stack)을 포함하는 고반사율 코팅층을 포함하는 에지 에미팅 레이저 다이오드, 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：边缘发射激光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及边缘发射激光二极管及其制造方法。边缘发射激光二极管包括：激光发射波导，其由前面和后面切割; 低反射涂层，其形成在所述前刻面上并且包括第一钝化层和形成在所述第一钝化层上的低折射层; 以及形成在后面上并包括第二钝化层的叠层，形成在第二钝化层上的低折射层和高折射层的高反射涂层。

3. 发明授权

KR101118789B1 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 有权
标题翻译：制造半导体激光二极管镜面的方法
公开(公告)号：KR101118789B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020050098447
申请日：2005-10-19
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이정훈
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 형성된 복수의 질화물 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역을 제외한 영역에 보호막을 형성하고, 상기 보호막이 형성되지 않은 영역을 스크라이빙한 후, 브레이킹 하여 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상부의 에지 일부 영역에만 스크라이빙이 수행되므로 스크라이빙이 최소화되고, 복수의 반도체 레이저 다이오드들이 결정면을 따라 분리되므로 양질의 거울면을 얻을 수 있으며, 상기 에지 일부 영역을 제외한 영역은 보호막으로 보호되므로 스크라이빙 공정 중에 발생하는 분말(Particle) 등에 의한 오염을 최소화 할 수 있게 된다.
스크라이빙, 브레이킹, 에지 모드, 연속 모드, 벽개면, 마일라

4. 发明授权

KR101019790B1 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법 有权
标题翻译：制造半导体激光二极管的镜子的方法
公开(公告)号：KR101019790B1
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020050013807
申请日：2005-02-18
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 여환국
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 거울면 형성방법에 관한 것으로, 일면에 질화물 반도체층이 적층되어 복수의 반도체 레이저 다이오드 구조가 형성되어 있는 기판을 상기 반도체 레이저 다이오드의 거울면을 형성하려는 방향과 평행한 방향 및 수직한 방향으로 절단하는 스크라이빙 공정을 추가적으로 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 사파이어 기판과 GaN계 에피층의 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이로 인해 발생하는 응력을 감소시켜 양질의 거울면을 형성함으로 인해 반도체 레이저 다이오드의 문턱전류 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
스크라이빙(scribing), 응력, 거울면, 크랙(crack), 반도체 레이저 다이오드

5. 发明授权

KR100769399B1 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조 失效
标题翻译：用于涂覆激光二极管的切割面的夹具装置及其间隔结构
公开(公告)号：KR100769399B1
公开(公告)日：2007-10-22
申请号：KR1020060015690
申请日：2006-02-17
申请人： 주식회사 엘에스
发明人： 김용관 , 송한욱 , 허광수 , 구본조
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/02
摘要： 본 발명은 레이저 다이오드 칩 바의 벽개면 코팅공정에 사용되는 지그장치에 관한 것으로서, 벽개면 코팅 대상이 되는 레이저 다이오드 칩 바가 탑재되는 홀더; 레이저 다이오드 칩 바가 그 일측 벽개면이 상부로 노출된 상태로 세워질 수 있는 안착공간을 제공하고, 상기 레이저 다이오드 칩 바의 타측 벽개면에 대응되는 그 바닥부에는 상기 타측 벽개면이 바닥면에 비접촉되도록 요입홈이 형성된 스페이서 블록; 및 상기 홀더에 탑재된 레이저 다이오드 칩 바를 집어서 상기 스페이서 블록의 안착공간으로 이동시키는 이송수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 지그장치가 개시된다.
본 발명에 의하면 레이저 다이오드 칩 바의 벽개면을 노출시키는 작업효율을 높일 수 있고, 벽개면에 대한 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
레이저 다이오드 칩 바, 벽개면, 지그장치, 스페이서, 스텝모터

6. 发明公开

KR1020070082712A 레이저 다이오드의 벽개면 코팅을 위한 지그장치 및 그스페이서 구조 失效
标题翻译：用于涂覆激光二极管的清洁表面及其间隔结构的JIG装置
公开(公告)号：KR1020070082712A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：KR1020060015690
申请日：2006-02-17
申请人： 주식회사 엘에스
发明人： 김용관 , 송한욱 , 허광수 , 구본조
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/0286 , H01S5/34333 , H01S5/4025
摘要： A jig apparatus for coating a cleaved facet of a laser diode and a spacer structure thereof are provided to prevent the cleaved facet of the laser diode from being physically contacted to a supporting bottom by forming the spacer structure with a depressed groove in a bottom unit. A jig apparatus for coating a cleaved facet of a laser diode includes a holder(100) where a laser diode chip bar(1) is mounted, a plurality of spacer blocks(106) providing a receiving space(107) for standing the laser diode chip bar(1), and a transferring device(113) reciprocating between the holder(100) and the spacer blocks(106) to supply the laser diode chip bar(1) mounted on the holder(100) to the spacer blocks(106). The holder(100) having the laser diode chip bar(1) for coating the cleaved facet includes an inclined unit(101) for obliquely supporting one surface of the laser diode chip bar(1) and a trench(102) having an edge for hanging a lower end of the laser diode chip bar(1).
摘要翻译：提供了用于涂覆激光二极管的切割小面的夹具装置及其间隔结构，以通过在底部单元中形成具有凹槽的间隔结构来防止激光二极管的切割面与支撑底部物理接触。用于涂覆激光二极管的切割面的夹具装置包括安装有激光二极管芯片条（1）的保持器（100），多个间隔块（106），其设置用于使激光二极管以及在保持器（100）和间隔块（106）之间往复运动的传送装置（113），以将安装在保持器（100）上的激光二极管芯片条（1）提供给间隔块（106））。具有用于涂覆切割小面的激光二极管芯棒（1）的保持器（100）包括用于倾斜地支撑激光二极管芯片条（1）的一个表面的倾斜单元（101）和具有边缘的沟槽悬挂激光二极管芯片条的下端（1）。

7. 发明公开

KR1020070082174A 레이저 다이오드 有权
标题翻译：激光二极管
公开(公告)号：KR1020070082174A
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：KR1020060014649
申请日：2006-02-15
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 장영학 , 송희석
IPC分类号： H01S5/028 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/0287 , H01S3/09415 , H01S5/0042 , H01S5/0286
摘要： A laser diode is provided to improve thermal and electrical stability by including a transparent electrode at a part of upper portion adjacent to front and rear mirror surface. An laser diode includes a conductive substrate, an N-electrode pad(10), a thin film structure, a p-clad layer, a p-ohmic metal layer, a transparent electrode(60), a first p-electrode pad(40), and a second p-electrode pad(50). The conductive substrate is a gallium nitride substrate doped with n-type impurity. The N-electrode pad(10) is formed at a lower side of the conductive substrate. The thin film structure is a nitride semiconductor structure formed by sequentially laminating an n-clad layer, an n-waveguide layer, an active layer(20), an electron blocking layer, and a p-waveguide layer, and is formed on the conductive substrate. The p-clad layer is formed on the p-waveguide layer which forms the uppermost layer of the thin film structure, and has a linearly protruded ridge. The p-ohmic metal layer is formed only at an upper side of the ridge linearly protruded from the p-clad layer.
摘要翻译：提供激光二极管以通过在与前后表面相邻的上部的一部分处包括透明电极来改善热和电稳定性。激光二极管包括导电衬底，N电极焊盘（10），薄膜结构，p覆盖层，p欧姆金属层，透明电极（60），第一p电极焊盘（40））和第二p电极焊盘（50）。导电衬底是掺杂有n型杂质的氮化镓衬底。 N电极焊盘（10）形成在导电性基板的下侧。薄膜结构是通过依次层叠n包覆层，n波导层，有源层（20），电子阻挡层和p型波导层而形成的氮化物半导体结构，并且形成在导电基质。 p型覆盖层形成在形成薄膜结构的最上层的p型波导层上，具有线状突出的脊。 p欧姆金属层仅形成在从p包覆层线性突出的脊的上侧。

8. 发明授权

KR100663588B1 레이저 다이오드 失效
标题翻译：激光二极管
公开(公告)号：KR100663588B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050000578
申请日：2005-01-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인 , 김영현
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 본 발명은 레이저 다이오드에 있어서, 광신호가 출사되는 환경이 공기인 상태에서 그 출력단의 반사율을 27 ~ 32% 범위 이내로 설정하는 3 층 코팅(coating)을 실시함으로써, 인덱스 매칭 젤(index matching gel) 도포 전후의 반사율 차가 5% 이내로 설정되는 레이저 다이오드를 개시한다. 상기와 같이 구성된 레이저 다이오드는 광신호 출력단에 3개 층의 코팅막을 형성하여 인덱스 매칭 젤 도포 전후의 출력단 반사율 변화를 억제함으로써, 인덱스 매칭 젤 도포 전 진행되는 동작 특성 측정에 대한 신뢰성을 향상시키게 되었다. 또한, 레이저 다이오드의 동작 특성 측정에 대한 신뢰도가 향상되므로, 최종적으로 제작하고자 하는 광소자 모듈 팩키지의 설계가 용이하고 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
레이저, 다이오드, 무반사, 반사율, 인덱스 매칭 젤
摘要翻译：本发明涉及到，通过进行三层涂层（涂层），它在所述光信号发射的空气状态设定27-32％范围内的输出级的反射率，和折射率匹配凝胶（折射率匹配凝胶）的环境中施加到激光二极管前后反射率的差异设定在5％以内。如以上那样构成的激光二极管是由此通过抑制三层折射率匹配输出反射率的变化之前和凝胶涂层后以形成输出光信号的涂膜，提高了操作特性测量的可靠性被施加的折射率匹配凝胶之前进行。此外，由于激光二极管的测量的操作特性的改进的可靠性，这样的优点，可以容易地设计并提高光学装置模块封装最终要制造的产率。

9. 发明授权

KR100587320B1 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 有权
标题翻译：半导体激光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR100587320B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020030101334
申请日：2003-12-31
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 임원택
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조공정에서 레이저 다이오드 칩바의 양측 벽개면에 플루오르화(fluorination)에 의한 저온도 페시베이션 공정을 행함으로써, 페시베이션 이전공정에서 만들어진 소자의 고온처리에 의한 열화를 방지할 수 있고 안정하고 에너지밴드갭이 큰 페시베이션층이 형성되어서 소자의 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있다.
반도체 레이저 다이오드, 페시베이션, 플루오르화

10. 发明公开

KR1020060046800A 산화 차단층들을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법 有权
标题翻译：具有氧化阻挡层的激光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR1020060046800A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040091243
申请日：2004-11-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방영철
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/20
摘要： 알루미늄을 함유하는 반도체 재질의 활성층을 갖는 레이저 다이오드의 제작 방법은,(a) 기판 상에 서로 이격된 제1 및 제2 슬릿들을 갖는 제1 마스크를 형성하는 과정과; (b) 상기 제1 마스크를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 제1 및 제2 슬릿들에 의해 한정되는 제1 및 제2 산화 차단층들을 선택 영역 성장시키는 과정과; (d) 상기 제1 및 제2 산화 차단층들 사이에 알루미늄을 함유하는 활성층을 포함한 복수의 층들을 상기 기판 상에 형성하는 과정을 포함한다.
산화 차단층, 레이저 다이오드, 알루미늄 산화, 활성층
摘要翻译：具有含铝的半导体材料，其包括以下步骤的有源层的激光二极管的制造方法：形成具有所述的（a）基板上的彼此间隔开的第一和第二缝隙的第一掩模; （b）使用第一掩模从衬底选择性地生长由第一和第二狭缝限定的第一和第二氧化阻挡层; （d）在所述衬底上形成多个层，所述多个层包括在所述第一和第二氧化阻挡层之间的包含铝的活性层。

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