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1. 发明授权

KR101874593B1 광 추출 구조체를 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 발광 장치 有权
公开(公告)号：KR101874593B1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：KR1020127021283
申请日：2010-12-29
申请人： 루미리즈 홀딩 비.브이.
发明人： 데이비드,아우렐리언제이.에프. , 크라메스,마이클알. , 맥로린,멜빈비.
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L2933/0083
摘要： 본발명의실시예는호스트및 호스트에접합된시드층을포함하는기판, 및시드층상에성장시킨 n-형영역및 p-형영역사이에배치된발광층을포함하는반도체구조체를포함한다. 반도체구조체의성장방향에대해수직방향인굴절률변경부가호스트및 발광층사이에배치된다.

2. 发明授权

KR101826325B1 확산렌즈 및 이를 채용한 발광장치 有权
标题翻译：扩散透镜和采用该扩散透镜的发光装置
公开(公告)号：KR101826325B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR1020170057626
申请日：2017-05-08
申请人： 주식회사 제이텍
发明人： 정해운 , 양근영
IPC分类号： G02B5/02
CPC分类号： G02B19/0028 , G02B19/0061 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F2001/133607 , H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , G02B5/021 , G02B5/0221
摘要： 입사광을균일하게확산할수 있도록된 확산렌즈와이를채용한발광장치가개시되어있다. 이개시된확산렌즈는렌즈본체의하면에오목하게인입형성되며, 그중앙에제1볼록부가형성된입사부와; 렌즈본체의상면중심부에오목하게형성된제1출사면과, 제1출사면주변에볼록하게형성된제2출사면를구비하며, 제1출사면의중앙에제2볼록부가형성된출사부와; 렌즈본체의하면에형성되며입사부주변에위치되어, 렌즈본체내부에서입사된광을반사시키는반사부를포함한다. 여기서, 제1출사면은광축과이 광축에서소정거리이격된위치까지형성된면으로두개의초점이존재하는타원형상으로형성되고, 제2출사면은광축에서소정거리이격된 위치에서제1출사면의외주에형성된면으로, 소정반경을갖는원 형상으로형성될수 있다.
摘要翻译：公开了一种能够均匀地漫射入射光的漫射透镜以及使用该漫射透镜的发光装置。所述漫射透镜包括在所述透镜体中凹入地形成并且在其中心处具有第一凸起部分的光入射部分; 在透镜框架和所述第一出射面的上表面中心，并具有围绕在所述第二凸部的中间有一个第一发光面凸起地形成的第二出口myeonreul形成发光单元凹入地形成的第一出射面; 以及反射体，其形成在透镜体中并且设置在入射部分周围并且反射从透镜体内部入射的光。在此，在形成于椭圆的两个焦点存在于形成为从光轴隔开的位置，并且该光轴线，并且所述第二出射面的表面的第一出射面的第一发射面从光轴位置隔开并且可以形成为具有预定半径的圆形，其外表面形成在外周上。

3. 发明公开

KR1020170099017A LED 구동 장치 및 발광 장치 审中-实审
标题翻译： LED驱动装置和发光装置
公开(公告)号：KR1020170099017A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：KR1020160020533
申请日：2016-02-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이봉진
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02 , G01R31/12 , F21V15/01 , F21V23/02 , G01R19/165 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0887 , B82Y20/00 , F21K9/235 , F21K9/237 , F21K9/238 , F21K9/272 , F21K9/278 , F21V15/015 , F21V19/006 , F21V23/005 , F21V25/10 , F21V29/74 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L2933/0083 , H02H1/04 , H02H7/1216 , H02H7/1252 , H02H7/261 , H02H9/04 , H05B33/0815 , H05B33/0845 , H05B33/0857 , H05B33/0866 , H05B33/0884 , H05B37/0272 , Y10S977/774 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10S977/95
摘要： 본발명의실시형태에따른 LED 구동장치는, 입력전원을공급받아복수의 LED를구동하기위한구동전원을생성하는컨버터모듈, 상기컨버터모듈과전기적으로연결되는서지보호모듈, 및상기컨버터모듈및 상기서지보호모듈을수납하는하나의케이스를포함한다.
摘要翻译：根据本发明，转换器模块，电连接到用于产生驱动电源，用于当随输入功率供给驱动多个LED的转换器模块的浪涌保护模块，和转换器模块和所述的实施例的LED驱动装置还有一个用于容纳浪涌保护模块的情况。

4. 发明授权

KR101712094B1 질화물갈륨계 수직 발광다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：立式氮化镓系发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101712094B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020090116122
申请日：2009-11-27
申请人： 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
发明人： 이종람
IPC分类号： H01L33/16
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/405 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은질화갈륨계 III-V족화합물반도체소자및 그제조방법을제공한다. 상기질화갈륨계 III-V족화합물반도체소자는기판; 상기기판상부에형성된 p형오믹전극층; 상기전극층상부에형성된 p형의 GaN계 III-V족화합물반도체층; 상기질화갈륨계 III-V족화합물반도체층상부에형성된 n형 GaN계 III-V족화합물반도체층; 및상기 n형질화갈륨계 III-V족화합물반도체층상부에형성된 n형오믹전극층으로구성되며, 상기 p형오믹전극층은 Ag를기반으로반사도가 70% 이상인고반사전극을포함한것이고상기 n형질화갈륨계 III-V족화합물반도체층은준광결정과표면조화를이용하여표면변환이이루어진층을포함한것이다. 본발명은고반사 p형전극, 준광결정및 표면조화가함께결합되어질화갈륨계수직발광다이오드제조공정에적용한경우, 그렇지않은경우에비하여발광다이오드의표면광출력이 9배이상증가한다는것을특징으로한다.
摘要翻译：本公开提供了一种垂直GaN基半导体二极管及其制造方法。 GaN基和半导体组件半导体器件包括衬底，衬底上的p型欧姆电极层，p型欧姆电极层上的p型GaN基和pV族化合物半导体层，n 在p型GaN基和iV族化合物半导体层上的n型GaN基和iV族化合物半导体层以及n型GaN基IE-V族化合物半导体上的n型欧姆电极层层。 p型欧姆电极层是高反射率为70％以上的Ag系高反射性电极，n型GaN系EV基化合物半导体层的表面经受以下工序中的至少一种：形成光子晶体和表面粗糙化的过程。

5. 发明授权

KR101649431B1 기판 쪽으로의 결합 손실이 감소된 광결정 도파관 有权
标题翻译：具有减少耦合损耗的光子晶体波导基片
公开(公告)号：KR101649431B1
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020147023118
申请日：2013-01-03
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 샌더,거티 , 미드,로이
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/12 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B6/1223 , G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B2006/121 , H01L2933/0083
摘要： 광소자및 기판과광소자의내측코어사이의감소된광학적결합을제공하는영역을제공하는형성방법이설명된다. 이영역은내측코어및 외측클래딩내의홀을이용하여형성된다. 홀은광결정을제공하는재료로채워질수 있다. 그러므로, 광소자는도파관으로서및 광결정으로서기능할수 있다.

6. 发明公开

KR1020150113183A 발광 모듈 无效
标题翻译：发光模块
公开(公告)号：KR1020150113183A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：KR1020157023829
申请日：2014-01-17
申请人： 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼
发明人： 츠츠미야스아키
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/44 , H01L33/60
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 발광모듈(10)은, 제1 색의광을발하는반도체발광소자(12)와, 제1 색의광 중적어도일부를파장변환하여, 제2 색의광을발하는파장변환층(14)과, 제1 색의광 및제2 색의광 중적어도한쪽의광을확산시키는확산층(16)을구비한다. 확산층(16)은, 매트릭스(16a)와이 매트릭스에분산되어있는확산재(16b)를갖는다. 파장변환층(14)은, 파장변환물질을포함한다. 파장변환층의굴절률과매트릭스의굴절률의차가 0.3 이하이며, 매트릭스의굴절률과확산재의굴절률의차가 0.05 이상이다.

7. 发明公开

KR1020150052205A 광학 기판, 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：光学基板，半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150052205A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020157008391
申请日：2013-09-25
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 고이케쥰 , 야마구치후지토 , 이노우에나오키 , 무로오히로유키
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L22/12 , H01L33/22 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
摘要： 광학기판 PP(10)는, 기판본체와, 기판본체의주면상에형성된복수의볼록부(20a)로구성되는요철구조(20)를구비하고, 주면상에광학현미경에의해관찰가능한모양(X)이그려지고, 모양(X)의간격은, 요철구조(20)의피치보다도크고, 모양(X)의광학현미경상에있어서, 명암의차에의해제1 영역(Xa) 및제2 영역(Xb)으로식별할수 있고, 제1 영역(Xa)은복수이면서, 상호간격을두고배치되고, 제2 영역(Xb)은제1 영역(Xa)의사이를잇고있다. 상호트레이드오프로여겨져왔던반도체발광소자의내부양자효율(IQE)의향상및 광추출효율(LEE)의개선을동시에해결한다.

8. 发明公开

KR1020150008369A 기능 전사체, 기능층의 전사 방법, 곤포물 및 기능 전사 필름 롤 审中-实审
标题翻译：功能转移体，转移功能层的方法，包装制品和功能转印膜卷
公开(公告)号：KR1020150008369A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020147006893
申请日：2013-06-10
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 고이케준 , 야마구치후지토
IPC分类号： B29C59/02 , B29C33/42
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： [과제] 캐리어의 요철구조의 형상이나 배열의 전사 가능한 다양성을 향상시켜, 기능의 다양성을 향상시키는 것.
[해결 수단] 기능 전사체(14)는, 표면에 요철 구조(11)를 구비하는 캐리어(10)와, 요철 구조(11) 상에 형성된 적어도 하나 이상의 기능층(12)을 구비하고, 기능층(12)은 수지를 포함하며, 또한, 요철 구조(11)의 평균 피치는 1 nm 이상 1500 nm 이하임과 동시에, 요철 구조(11)의 오목부(11a)에 공간이 존재한다.

9. 发明授权

KR101471621B1 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법 有权
标题翻译：使用湿蚀刻分离方法
公开(公告)号：KR101471621B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020130096288
申请日：2013-08-14
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이동선 , 공득조 , 이준엽 , 강창모
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L2933/0083
摘要： 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법을 제공한다. GaN 기판기술 중 화학적 방법(Chemical Lift-off)를 이용하는 형태로, 기판 상에 이격하여 위치하는 산화막과 상기 산화막 사이의 공간에 n-GaN 기둥을 형성하는 단계; 상기 산화막 및 상기 n-GaN 기둥의 상부공간을 덮는 n-GaN층을 형성하는 단계; 상기 n-GaN층 상부에 활성층, p-GaN, p형 전극을 차례로 형성하는 단계; 및 상기 산화막을 제거하고 상기 n-GaN기둥을 습식식각하여 기판을 분리하는 단계를 포함하는 습식식각을 통한 GaN 기판 분리 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, GaN 에피택셜 성장의 질적 향상 및 간단한 공정으로 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 발광면적 향상 및 광추출 효율이 증가될 수 있는 GaN 기판 분리 방법을 제공할 수 있다.
摘要翻译：提供了使用湿蚀刻分离GaN衬底的方法。使用湿蚀刻分离GaN衬底的方法包括：通过使用GaN中的化学剥离法在氧化物层之间的空间中在衬底上形成彼此分离的氧化物层和n-GaN柱的步骤底物技术; 形成覆盖n-GaN柱和氧化物层的上部空间的n-GaN层的工序; 在n-gan层的上部依次形成有源层，p-GaN和p型电极的工序; 以及通过对n-Gan柱进行湿蚀刻工艺来除去氧化物层并分离衬底的步骤。根据本发明，通过GaN外延生长的质量改进和简单的工艺可以节省制造成本。此外，可以提供一种分离改善发光面积和光提取效率的GaN衬底的方法。

10. 发明授权

KR101468348B1 광전자 반도체 칩 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：KR101468348B1
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：KR1020137013281
申请日：2011-11-02
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 사바틸매티아스 , 린코브알렉산더 , 코엘퍼크리스토퍼 , 슈트라스부르크마틴 , 본말름노윈
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/50 , H01L33/20 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2933/0041 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은반도체층 스택(2)과변환층(3)을포함하는광전자반도체칩에관한것이다. 반도체층 스택(2)은복사형성을위한활성층(2a)을포함한다. 변환층(3)은반도체층 스택(2)의복사출사면(21)에배치되고, 이경우변환층(3)은활성층(2a)에의해방사된복사의적어도일부를다른파장길이로변환하는데적합하다. 반도체층 스택(2)의복사출사면(21)은제 1 나노구조체를포함하고, 이경우변환층(3)은상기제 1 나노구조체(4) 내에배치된다. 또한, 이러한반도체칩(10)의제조방법이제안된다.

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