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1. 发明授权

KR101336270B1 판정 방법, 제어 방법, 판정 장치, 패턴 형성 시스템 및 컴퓨터 판독가능 기억 매체 有权
标题翻译：确定方法，控制方法，确定装置，图案形成系统和计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR101336270B1
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120031686
申请日：2012-03-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다나카케이스케 , 사와이카즈오 , 나가하타히로시
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/3288 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065
摘要： 포커스 링의 교환 시기를 적확 또한 신속하게 판정할 수 있는 판정 방법, 제어 방법, 판정 장치, 패턴 형성 시스템 및 프로그램을 제공한다. 기판 상의 막을 에칭하여 패턴을 형성할 시, 상기 패턴의 면내 균일성을 높이기 위하여 상기 기판의 주위에 배치되는 포커스 링의 교환 시기를 판정하는 판정 방법에서, 상기 패턴의 형상 또는 치수를 측정하는 측정 공정과, 측정한 상기 패턴의 형상 또는 치수에 기초하여 상기 포커스 링의 교환 시기를 판정하는 판정 공정을 구비한다.

2. 发明授权

KR101319797B1 종점 검출이 가능한 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 有权
标题翻译：端点检测等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：KR101319797B1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020117027719
申请日：2007-07-27
申请人： 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
发明人： 야마모토다카시 , 다나카마사히코 , 노자와요시유키 , 무라카미쇼이치
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32935 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 종점 검출을 위한 특별한 영역을 실리콘 기판 상에 설정할 필요가 없는 플라즈마 에칭 방법 및 장치에 관한 것이다.
SF
6 가스를 플라즈마화하여 실리콘 기판에 형성된 하층막 상의 Si막을 에칭하는 에칭 공정에 있어서, 이것을, 다량의 SF
6 가스를 공급하는 다량 공급 공정과, 소량의 SF
6 가스를 공급하는 소량 공급 공정의 2개의 공정으로 구성한다. 엔드 포인트 검출 처리부(34)는, 소량 공급 공정에 있어서의 플라즈마 중의 Si 또는 SiFx의 발광 강도를 측정하여, 측정된 발광 강도가 미리 설정한 기준치 이하가 되었을 때, 에칭 종점이라고 판정한다.

3. 发明公开

KR1020130054099A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：用于血浆处理的装置和方法
公开(公告)号：KR1020130054099A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020120006929
申请日：2012-01-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가고시마아키라 , 시라이시다이스케 , 나가타니유지
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3299 , G05B13/00 , G05B13/021 , G05B13/042 , G05B19/4184 , H01J37/32449 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/3343 , H01L22/20 , H01L22/26
摘要： PURPOSE: A plasma treatment apparatus and a plasma treatment method are provided to improve an operation rate by using a process monitor and an actuator. CONSTITUTION: A plasma process is performed in a plasma process room(300). A process monitor(303) monitors the inner state of the plasma process room. An actuator(302) controls a parameter. A compensation calculation unit computes the compensation level of a manipulation variable. A manipulation variable addition unit adds a high priority manipulation variable. [Reference numerals] (302) Actuator; (303) Process monitor; (306) Target value; (308) Control device
摘要翻译：目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过使用过程监视器和致动器来提高操作速率。构成：在等离子体处理室（300）中进行等离子体处理。过程监视器（303）监视等离子体处理室的内部状态。致动器（302）控制参数。补偿计算单元计算操纵变量的补偿水平。操纵变量加法单元添加高优先级操纵变量。（302）致动器; （303）过程监控; （306）目标值; （308）控制装置

4. 发明公开

KR1020090092250A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 失效
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020090092250A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020090016156
申请日：2009-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 마츠모토나오키 , 요시카와쥰 , 니시즈카테츠야 , 사사키마사루
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32568 , H01J2237/3343 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： A plasma processing apparatus and a method thereof are provided to improve plasma ignition by selecting a gap between a holder and a dielectric plate as a first gap. A plasma process about a semiconductor substrate is performed inside a processing vessel(12). A reaction gas supply part supplies a reaction gas for the plasma process to an inner part of the processing vessel. A holder(14) of a disc shape is arranged inside the process vessel. The semiconductor substrate is held on the holder. A microwave generator(15) generates a microwave for exciting plasma. A dielectric plate(16) is faced with the holder, and introduces the microwave to an inner part of the process vessel. A control part(20) changes a gap between the holder and the dielectric plate into a first gap, and operates a plasma ignition unit.
摘要翻译：提供了一种等离子体处理装置及其方法，用于通过选择保持器和电介质板之间的间隙作为第一间隙来改善等离子体点火。在处理容器（12）内执行关于半导体衬底的等离子体工艺。反应气体供给部将等离子体处理用反应气体供给到处理容器的内部。盘形的保持器（14）布置在处理容器内。半导体衬底保持在保持器上。微波发生器（15）产生用于激发等离子体的微波。电介质板（16）面对保持器，并将微波引入到处理容器的内部。控制部件（20）将保持器和电介质板之间的间隙改变为第一间隙，并操作等离子体点火单元。

5. 发明授权

KR100595862B1 전이금속 함유층 에칭방법 有权
标题翻译：用于蚀刻过渡金属含量层的技术
公开(公告)号：KR100595862B1
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020007006465
申请日：1998-12-11
申请人： 램 리서치 코포레이션
发明人： 오도넬,로버트제이. , 골드스프링,그레고리제이.
IPC分类号： C23F4/00
CPC分类号： H01J37/321 , C23F4/00 , H01J2237/3343 , H01L21/32136
摘要： 기질위에 배치된 전이금속 함유층 에칭 방법이 발표된다. 전이금속 함유층은 에칭 마스크 아래에 배치된다. 본 방법은 플라즈마 처리 챔버를 갖는 플라즈마 처리 장치를 제공하고 전이금속 함유층을 에칭하도록 플라즈마 처리 챔버를 구성하는 단계를 포함한다. 플라즈마 처리 챔버 구성공정은 HCl 및 Ar로 구성된 소스가스를 받아들이도록 플라즈마 처리 챔버를 구성하고 에너지를 공급하여 소스가스에서 나온 플라즈마를 강타하도록 플라즈마 처리 챔버와 조합된 전원을 구성하는 단계를 포함한다. 플라즈마 처리 챔버 구성공정은 플라즈마로 전이금속 함유층을 에칭하도록 플라즈마 처리 챔버를 구성하는 단계를 더욱 포함한다.

6. 发明授权

KR101859555B1 플라즈마 처리 장치 및 그 처리 가스 공급 구조 有权
标题翻译：等离子处理装置及其处理气体供应结构
公开(公告)号：KR101859555B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：KR1020110049762
申请日：2011-05-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이이즈카하치시로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J2237/3343 , Y10T137/8593
摘要： 종래에비해처리의면 내균일성의향상을도모할수 있는플라즈마처리장치및 그처리가스공급구조를제공한다. 처리챔버내에유도결합플라즈마를발생시켜처리챔버내에수용된기판의처리를행하는플라즈마처리장치로서, 처리챔버의상부개구를덮도록설치되며유전체창을구비한상덮개와, 처리챔버외측의유전체창의상부에배설된고주파코일과, 유전체창의내측에위치하도록상덮개에지지되며관통홀을가지는복수의판체를적층시킨적층체로이루어지고, 판체끼리의사이또는판체와유전체창과의사이에설치되며단부가관통홀의가장자리부에개구되는복수의홈 형상의가스유로를거쳐처리챔버내로복수의부위로부터수평방향을향해처리가스를공급하는가스공급기구를구비하고있다.

7. 发明公开

KR1020170052505A 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 보유 지지 부재 审中-实审
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法和基板保持部件
公开(公告)号：KR1020170052505A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020160145665
申请日：2016-11-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사토준 , 미우라시게히로
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/687 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/30655 , C23C16/45551 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32899 , H01J2237/3343 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 기판처리장치는, 처리실과, 당해처리실내에설치되며, 기판을보유지지가능한오목부형상의기판보유지지영역이주위방향을따라표면에복수형성된회전테이블을갖는다. 요철패턴의형성에의해상기표면의표면적을평탄면보다도증가시킨표면적증가영역이, 상기기판보유지지영역주위의상기표면에형성된다. 상기회전테이블의상기표면에처리가스를공급가능한처리가스공급수단이설치된다.
摘要翻译：基板处理装置具有处理室和设置在处理室内的旋转台，该旋转台具有能够沿着周向保持基板的多个凹状的基板保持区域。在衬底保持区域周围的表面上形成通过形成不平坦图案而使表面的表面积比平坦表面的表面积大的表面积增大区域。并且提供能够向旋转台的表面供应处理气体的处理气体供应装置。

8. 发明公开

KR1020140135254A 플라즈마 프로세싱 시스템에서 ＲＦ 전류 경로들을 선택적으로 수정하는 방법들 및 장치 审中-实审
标题翻译：在等离子体处理系统中选择性地修改射频电流的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140135254A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020147029138
申请日：2013-03-13
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 남상기 , 딘드사라진더 , 마라크타노브알렉세이
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/4585 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3299 , H01J2237/327 , H01J2237/3343
摘要： RF 전류 경로 길이를 수정하기 위한 방법들 및 장치가 개시된다. 장치는 RF 전력 공급부 및 도전성 부분을 갖는 하부 전극을 갖는 플라즈마 프로세싱 시스템을 포함한다. 이 장치에는 RF 전력 공급부와 도전성 부분 사이의 RF 전류 경로에 배치된 절연성 컴포넌트가 포함된다. 절연성 컴포넌트 내에 복수의 RF 경로 수정기들이 포함되고, 복수의 RF 경로 수정기들은 절연성 컴포넌트의 중심으로부터 그려진 기준 각도에 대해 상이한 각도 위치들로 배치되어, 복수의 RF 경로 수정기들 중 적어도 제 1 경로 수정기는 도전성 부분에 전기적으로 접속되고, 복수의 RF 경로 수정기들 중 적어도 제 2 경로 수정기는 도전성 부분에 전기적으로 접속되지 않는다.

9. 发明公开

KR1020140046468A 유전체 에칭에 대한 음이온 제어 审中-实审
标题翻译：用于电介质蚀刻的负离子控制
公开(公告)号：KR1020140046468A
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020147004321
申请日：2012-07-09
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 마라크타노브알렉세이 , 아바체프미르자페르케이. , 딘드사라진더 , 허드슨에릭 , 베일리앤드류디.
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C14/345 , C23C16/505 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01J2237/3348 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L22/20 , H05H2001/4675
摘要： 용량성 커플링된 플라즈마 챔버에서 반도체 프로세싱에 대한 장치들, 방법들, 및 컴퓨터 프로그램들이 제공된다. 챔버는 하부 무선 주파수 (RF) 신호 생성기, 상부 RF 신호 생성기, 및 RF 페이즈 제어기를 포함한다. 하부 RF 신호 생성기는 챔버 내의 하부 전극에 커플링되고, 상부 RF 신호 생성기는 상부 전극에 커플링된다. 게다가, 하부 RF 신호는 제1 페이즈로 설정되고, 상부 RF 신호는 제2 페이즈로 설정된다. RF 페이즈 제어기는 하부 RF 신호를 수신하도록 동작가능하고 제2 페이즈의 값을 설정하도록 동작가능하다. 게다가, RF 페이즈 제어기는, 대략 미리 결정된 상수 값으로 상부 RF 신호의 최대값과 하부 RF 신호의 최소값 사이의 시간 차이를 유지하도록 제1 페이즈와 제2 페이즈를 추적하도록 동작가능하고, 웨이퍼의 표면에 음이온 플럭스의 증가를 발생시킨다.

10. 发明公开

KR1020130086177A 에칭 방법 및 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：蚀刻方法和蚀刻装置
公开(公告)号：KR1020130086177A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：KR1020130006800
申请日：2013-01-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 니시무라에이치 , 코츠기타다시 , 야마시타후미코
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32155 , H01J37/32706 , H01J2237/3343 , H01J2237/3348 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/31138
摘要： PURPOSE: An etching method and an etching apparatus are provided to be able to rationalize the etching condition of a periodical pattern formed by the self-organization of block copolymer. CONSTITUTION: A high frequency power is lower than the ion energy distribution generating an etching yield of a first polymer, sets frequency so that the ion energy is highly spread in the range higher than the ion energy distribution generating an etching yield of a second polymer, and supplies a high frequency power to a process chamber (10). A gas source (60) supplies gas to the process chamber. A control unit (88) produces plasma from the gas introduced into the process room by the high frequency power, and controls the periodic pattern on a subject held on a holding support by using the generated plasma. [Reference numerals] (60) Processing gas supply source; (68,40,42) Matching unit; (76) Exhaust device; (83) DC controller; (86) Filter circuit; (88) Control unit
摘要翻译：目的：提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，以使得通过嵌段共聚物的自组织形成的周期性图案的蚀刻条件合理化。构成：高频功率低于产生第一聚合物的蚀刻产率的离子能量分布，设定频率使得离子能量在高于产生第二聚合物的蚀刻产率的离子能量分布的范围内高度扩散，并向处理室（10）提供高频功率。气体源（60）向处理室供应气体。控制单元（88）通过高频功率从引入到处理室的气体产生等离子体，并且通过使用产生的等离子体来控制保持在保持支架上的被检体上的周期性图案。（附图标记）（60）加工气体供给源; （68,40,42）配套单位; （76）排气装置; （83）直流控制器; （86）滤波电路; （88）控制单元

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