专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160090528A 단결정 성장용 히터 및 이를 이용한 단결정 성장장치 및 성장방법. 有权
标题翻译：用于生长单晶和单晶水晶的加热器及其用于生长单晶的方法
公开(公告)号：KR1020160090528A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020150010420
申请日：2015-01-22
申请人： 주식회사 사파이어테크놀로지
发明人： 이희춘 , 최이식 , 문성환 , 장계원 , 나복기 , 배영숙
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/20
CPC分类号： C30B11/00 , C30B29/20 , C30B11/006
摘要： 본발명은단결정을성장시키기위해원료를용융시키는히터및 용융된원료로부터시드결정을중심으로단결정을성장시키는단결정성장장치및 성장방법에관한것이다. 단결정성장용히터는, 도가니둘레의측부에수직방향으로 2단이상분리된복수의히터부를구비한다. 이에의해, 도가니상, 하부의온도구배를크게하면서도안정적으로제어할수 있어대구경단결정을성장시킬수 있으며, 복수의히터부각각이위치에따라폭과두께를달리하는발열체로구성됨으로써수직, 수평방향으로온도구배를크게할 수있다.
摘要翻译：本发明涉及用于熔化原料以生长单晶的加热器，以及用于生长单晶以从熔融原料在晶种周围生长单晶的装置和方法。用于生长单晶的加热器设置有在炉的圆周的侧部处在垂直方向上分离两个或多个步骤的多个加热单元。由此，本发明能够在扩大炉内上下部的温度梯度的同时稳定地进行炉的控制，能够使大直径的单晶生长，并且能够将具有加热体的加热体构成为具有根据位置不同的宽度和厚度，以在垂直和水平方向上扩大温度梯度。

2. 发明公开

KR1020150064359A 단결정 성장 장치 有权
标题翻译：一种用于磨合单晶的装置
公开(公告)号：KR1020150064359A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130148977
申请日：2013-12-03
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 방인식 , 김철환
IPC分类号： C30B15/24 , C30B15/20 , C30B29/20
CPC分类号： C30B17/00 , C30B11/006 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/20 , C30B35/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 실시예는챔버, 상기챔버내부에마련되고, 단결정성장원료인용융액을수용하는도가니, 상기도가니상단에배치되는도가니스크린, 및상기도가니스크린을상승또는하강시키는이송수단을포함하며, 상기도가니스크린과상기제1 상부단열부를상승함으로써행정거리를조절할수 있고, 행정거리부족에기인하는리프트오프공정불가능, 및단결정의크랙발생을방지할수 있다.
摘要翻译：根据实施例，用于生长单晶的装置包括：腔室; 坩埚，其形成在所述室内并容纳作为用于生长所述单晶的原料的熔融液体; 布置在所述坩埚的上端的坩埚筛; 以及使坩埚屏幕升降的运送装置。因此，可以通过增加坩埚筛和第一上绝缘单元来调节行程。此外，可以防止由于冲程不足引起的脱离过程的不可能性和单晶的裂纹的产生。

3. 发明公开

KR1020140136659A 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼 有权
标题翻译：硅半导体单晶硅和晶体管
公开(公告)号：KR1020140136659A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130056958
申请日：2013-05-21
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호 , 박현우
IPC分类号： C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B15/203 , C30B30/04 , H01L29/30
摘要： 실시 예의 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 및 웨이퍼는 인터스티셜 우세 무결함 영역에 포함된 결정 결함 중 10 ㎚ 내지 30 ㎚ 크기의 결정 결함을 우세하게 갖는 전이 영역을 포함하고, 잉곳 및 웨이퍼에 대해 적어도 한 번의 열처리를 수행하기 이전의 초기 산소 농도와 적어도 한 번의 열처리를 수행한 이후의 최종 산소 농도 차가 0.5 ppma 이하이다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，用于半导体的单晶硅锭和晶片包括主要具有尺寸为10-30nm的晶体缺陷的过渡区域，其包括在间隙主要的无缺陷区域中的晶体缺陷中。在至少一个热处理工艺之后的初始氧浓度与在至少一个热处理工艺之后的最终氧浓度之间的差异相对于锭和晶片为0.5ppma或更小。

4. 发明公开

KR1020140059803A 이동식 열교환기를 구비한 방향성 응고로 无效
标题翻译：具有可移动热交换器的方向性固化炉
公开(公告)号：KR1020140059803A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020147006433
申请日：2012-09-13
申请人： 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
发明人： 메이어벤자민마이클 , 페리리윌리암
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , C01B33/037 , C30B28/06
CPC分类号： F27D9/00 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27B14/20
摘要： 도가니 아래에 배치된 하나 이상의 이동식 냉각판들을 포함한 방향성 응고로가 개시되어 있다. 제 1 위치에서는, 냉각판들은 도가니에 인접 배치된 도가니 지지부와 접촉하지 않는다. 제 2 위치에서는, 냉각판들은 도가니 지지부와 접촉하게 된다. 도가니에 대해 냉각판들에 의해 가해지는 힘의 양을 제어하기 위해 제어 시스템이 사용된다.
摘要翻译：定向凝固炉包括设置在坩埚下方的一个或多个可移动冷却板。在第一位置，冷却板与邻近坩埚定位的坩埚支架不接触。在第二位置，冷却板与坩埚支架接触。控制系统用于控制冷却板对坩埚施加的力的量。

5. 发明授权

KR101216523B1 Multi-crucible silicon ingot grower 有权
标题翻译：多层硅芯片
公开(公告)号：KR101216523B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR20120028288
申请日：2012-03-20
申请人： YOU HO JUNG , SEMIMATERIALS CO LTD
发明人： PARK KUN , YOU HO JUNG , LEE GUN TEK
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/00 , H01L21/02
CPC分类号： C30B28/06 , C30B11/006 , C30B11/14 , C30B15/005 , C30B29/06
摘要： PURPOSE: A multi crucible type silicon ingot growing apparatus is provided to improve photoelectric conversion efficiency by synchronizing the time when an ingot is created inside a plurality of crucibles. CONSTITUTION: A furnace provides an internal space for growing an ingot. A center heater(13) is positioned in the internal space of the furnace. A plurality of crucibles accepts supplying material(23). Single crystal seeds are closely fixed to an inner wall of the plurality of crucibles. A plurality of side heaters(14) surrounds the plurality of crucibles with the center heater.
摘要翻译：目的：提供一种多坩埚型硅锭生长装置，通过使在多个坩埚内产生锭的时间同步来提高光电转换效率。构成：炉子为生长锭提供了一个内部空间。中心加热器（13）位于炉的内部空间中。多个坩埚接受供给材料（23）。单晶种子紧密地固定在多个坩埚的内壁上。多个侧加热器（14）围绕着具有中心加热器的多个坩埚。

6. 发明公开

KR1020110032739A 회전형 도어 개폐장치가 구비된 다결정 실리콘 주괴 제조장치 失效
标题翻译：用于制造具有可旋转的门开关/关闭装置的聚晶硅硅胶的装置
公开(公告)号：KR1020110032739A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：KR1020090090382
申请日：2009-09-24
申请人： 주식회사 글로실
发明人： 김한성
IPC分类号： C30B21/02 , C30B35/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B35/00
摘要： PURPOSE: An apparatus for manufacturing poly crystalline silicon ingot for a rotatable door open/close device is provided to efficiently solidify a silicon by increasing the size of a door while lowering the whole size of the device. CONSTITUTION: In an apparatus for manufacturing poly crystalline silicon ingot for a rotatable door open/close device, a crucible(200) is included inside a vacuum chamber(100) and accommodates a silicon source material. A heater(220) applies heat to melt the silicon source material inside the crucible. A suceptor(210) is included in the lower part of the crucible. A cooling plate(400) discharges heat to grow the melted silicon inside the crucible. A temperature sensor measures the temperature of the crucible.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于可旋转门打开/关闭装置的多晶硅锭的装置，以通过增加门的尺寸来有效地固化硅，同时降低装置的整体尺寸。构成：在用于制造用于可旋转门打开/关闭装置的多晶硅锭的装置中，坩埚（200）包括在真空室（100）内并容纳硅源材料。加热器（220）施加热量以熔化坩埚内的硅源材料。坩埚（210）包括在坩埚的下部。冷却板（400）放出热量以使坩埚内的熔融硅生长。温度传感器测量坩埚的温度。

7. 发明授权

KR100868726B1 갈륨비소 잉곳 생산을 위한 수직 브리지만 장치 및 방법 有权
标题翻译：合成VB设备和方法
公开(公告)号：KR100868726B1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：KR1020070045911
申请日：2007-05-11
申请人： 엑스탈테크놀로지 주식회사
发明人： 김광호 , 김덕준
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/003
摘要： The crystal growing process by the vertical Bridgman method of the GaAs is progressed as only one process. The good ingot can be produced by using a conventional GaAs apparatus for single crystal growth without additional equipment or cost. A step is for applying pressure on the upper and lower chamber using the inert gas by setting the gallium(Ga) in the lower chamber(20) and the arsenic(As) in the upper chamber(10). A first and second temperature increasing step is for melting the gallium and boron oxide in the crucible(70) within the chamber. A step is for synthesizing gasified arsenic in the arsenic input container(11) by operating the upper chamber. A stabilization step is for elevating the arsenic input container after completing the synthesis and rotating the operation aperture(60) within the lower chamber. A step is for melting seed(71). A step is for crystallization while decreasing the temperature after melting the seed.
摘要翻译：通过GaAs的垂直Bridgman方法的晶体生长过程仅作为一个过程进行。可以通过使用用于单晶生长的常规GaAs器件而不需要额外的设备或成本来生产良好的晶锭。步骤是通过设置下室（20）中的镓（Ga）和上室（10）中的砷（As），使用惰性气体在上室和下室上施加压力。第一和第二升温步骤用于熔化室内的坩埚（70）中的镓和氧化硼。一个步骤是通过操作上部室来合成砷输入容器（11）中的气化砷。稳定步骤用于在完成合成之后升高砷输入容器并使下腔室内的操作孔（60）旋转。种子融化的步骤（71）。一步是在熔化种子后降低温度的同时进行结晶。

8. 发明公开

KR1020170110588A 금속 도가니에 담겨진 용융물로부터 베타 상의 산화 갈륨 단결정을 성장시키는 방법 审中-实审
标题翻译：由金属坩埚中所含的熔体生长β相氧化镓单晶的方法
公开(公告)号：KR1020170110588A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020177019011
申请日：2015-12-16
申请人： 포슝스베르분드 베를린 에.베.
发明人： 갈라즈카,즈비그뉴 , 우에커,레인하드 , 클림,데트레프 , 비커만,매시아스
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/08 , C30B15/34 , C30B17/00 , C30B11/00 , C30B19/12 , C30B29/16 , C30B15/10
CPC分类号： C30B29/16 , C30B11/005 , C30B11/006 , C30B15/08 , C30B15/20 , C30B15/34 , C30B17/00
摘要： 단열재로둘러싸인금속도가니내에담겨진용융물로부터가열기에의해가열된베타상의산화갈륨 (β-GaO) 단결정을성장시키는방법이제공된다. GaO의용융온도 (MT) 아래에서, 또는용융온도 (MT)에서, 또는상기 GaO출발물질의용융의완료후에, 산소농도가 5 내지 100 체적 % 의산소농도범위 (SC)에서성장산소농도값 (C2, C2', C2'')에도달하도록, 성장로에공급되는성장분위기는가변산소농도또는분압을갖으며, 이로써금속갈륨량의생성과금속도가니와의공융체형성을최소화하도록적응된다. 성장온도 (GT)에서용융물로부터의상기β-GaO단결정의결정성장단계동안에, 상기성장산소농도값 (C2, C2', C2'')는산소농도범위 (SC) 내에유지된다.
摘要翻译：提供了一种生长由包含在由绝热材料包围的金属坩埚中的熔体的热量加热的β-氧化镓（β-GaO）单晶的方法。其中，氧浓度在氧浓度（SC）5〜100体积％，GaO的熔解温度（MT），熔解温度（MT）以达到甚至C2，C2“ C2”），生长气氛供给至生长适于具有可变的是氧浓度或分压，从而最小化所述低共熔材料与金属镓和金属坩埚体积的产生而形成。在过程中β-高单晶的熔体robuteoui晶体生长步骤的生长温度（GT），氧浓度值（C2，C2“ C2' ”）的生长被保持在氧浓度范围（SC）。

9. 发明授权

KR101656596B1 다결정 실리콘 잉곳, 이의 제조 방법 및 다결정 실리콘 웨이퍼 有权
标题翻译：聚硅氧烷多晶硅制备方法及其多晶硅膜
公开(公告)号：KR101656596B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020147030926
申请日：2013-03-28
申请人： 장 시 사이 웨이 엘디케이 솔라 하이-테크 컴퍼니 리미티드
发明人： 후동리 , 헤리앙 , 완유펭 , 레이키 , 첸홍롱 , 장타오 , 종데징
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/14 , H01L21/02
CPC分类号： C30B28/06 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B11/04 , C30B11/14 , C30B29/06 , H01L29/04 , H01L29/16 , H01L31/03682
摘要： 본원은다결정실리콘잉곳의제조방법에관한것이다. 상기제조방법은도가니저부에실리콘물질핵 형성층을공급하고, 실리콘물질핵 형성층상에실리콘재료를충전하는단계; 실리콘재료를가열하여용융시키고, 도가니내부의핫존을조절하여, 용융된실리콘재료로부터실리콘물질핵 형성층을기초로결정화를시작하는단계; 및모든결정화가완료된후에, 어닐링및 냉각을수행하여다결정실리콘잉곳을수득하는단계를포함한다. 본제조방법을이용함으로써, 다결정실리콘잉곳이양호한초기핵 형성을갖도록하고, 다결정실리콘잉곳이성장하는동안전위가증가하는것을감소시킨다. 또한, 본원은상기제조방법을통해수득되는다결정실리콘잉곳및 다결정실리콘잉곳을원료로하여수득되는다결정실리콘웨이퍼에관한것이다.

10. 发明公开

KR1020140145379A 측정대상물의 성장길이 측정장치 有权
标题翻译：测量装置长度测量对象的测量装置
公开(公告)号：KR1020140145379A
公开(公告)日：2014-12-23
申请号：KR1020130067755
申请日：2013-06-13
申请人： 포토멕 주식회사
发明人： 지봉선 , 정현석 , 소재성
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/20 , G01B5/02
CPC分类号： C30B11/006
摘要： 본 발명은 측정대상물의 성장길이 측정장치에 관한 것으로서 성장챔버 내부에 수용된 측정대상물의 성장길이 측정장치에 있어서, 상하방향으로 길게 연통되며 상기 성장챔버 상부에 배치되는 승하강가이드 및 소정의 길이를 가지며 일측에 제1자성체가 구비되고 상하방향으로 배치되어 상기 승하강가이드 내부에서 승하강하는 탐침봉을 포함하는 탐침유닛, 상기 승하강가이드의 외면 일부를 감싸며 상기 제1자성체에 대응하여 배치되는 제2자성체가 구비되고, 외력에 의해서 선택적으로 상기 승하강가이드를 따라 상기 탐침봉과 함께 승하강하는 승하강부 및 상기 승하강부의 승하강에 따른 이동거리를 측정하는 측정부를 포함하는 측정유닛 및 상기 승하강부상에 구비되며 상기 탐침봉의 일측 끝단부를 감지하는 위치감지센서를 포함하며, 상기 위치감지센서의 감지 여부에 따라 승하강부의 구동이 조절되는 감지유닛을 포함하는 측정대상물의 성장길이 측정장치가 개시된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于增长测量对象的长度的测量装置，具体涉及一种用于增长容纳在生长室中的测量对象的长度的测量装置，该测量装置包括上下连接的上升/下降引导件，并布置在生长室的上部; 具有预定长度的检测单元和在一侧上的第一磁体，并且垂直布置，并且包括在升降导向器内上升/下降的检测探头; 围绕上升/下降引导件的外侧的一部分的上升/下降单元，具有布置成对应于第一磁体单元的第二磁体单元，并且沿着上升/下降引导件沿检测探头沿着上/下引导件选择性地上升/下降外力; 测量单元，包括用于通过升/降单元的升/降来测量移动距离的测量部件; 安装在上升/下降单元处的位置检测传感器，并检测检测探头的一端; 以及检测单元，用于根据位置检测传感器的检测来控制上升/下降单元的操作。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式