基本信息:
- 专利标题： 반도체 물질의 높은 쓰로우풋 재결정
- 专利标题（英）：High throughput recrystallization of semiconducting materials
- 专利标题（中）：半导体材料的高通量再结晶
- 申请号：KR1020127017695 申请日：2010-12-07
- 公开(公告)号：KR1020120104297A 公开(公告)日：2012-09-20
- 发明人： 마줌더,프랜틱 , 수만,발람 , 쿡,글렌,비. , 벤카타라만,네이트산
- 申请人： 코닝 인코포레이티드
- 申请人地址： One Riverfront Plaza, Corning, NY ***** U.S.A.
- 专利权人： 코닝 인코포레이티드
- 当前专利权人： 코닝 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： One Riverfront Plaza, Corning, NY ***** U.S.A.
- 代理人： 청운특허법인
- 优先权： US12/632,837 2009-12-08
- 国际申请： PCT/US2010/059201 2010-12-07
- 国际公布： WO2011071857 2011-06-16
- 主分类号： C30B11/00
- IPC分类号： C30B11/00 ; C30B29/64 ; H01L31/18 ; H01L21/02
摘要：
본 발명은 반도체 물질 제품의 제조 및/또는 처리 방법을 개시한다. 다양한 방법에서, 제 1 반도체 물질 제품을 제공하고, 상기 제 1 반도체 물질 제품을 충분히 가열하여 제 1 반도체 물질 제품을 용융시키고, 상기 용융된 제 1 반도체 물질 제품을 상기 용융된 제 1 반도체 물질 제품의 가장 작은 치수에 대해서 실질적으로 평행한 방향에서 고체화시킨다. 본 발명은 본원에 기재된 방법에 의해서 제조된 반도체 물질 제품을 개시한다.
摘要（英）：
The present invention relates to the manufacture and / or treatment of the semiconductor material products. In many ways, the first service of semiconductor material products, and sufficiently heating the first semiconductor material product and melting the first semiconductor material products, the melted first the semiconductor material product melted first semiconductor material product thereby it solidifies in a substantially parallel direction with respect to the smallest dimension. The present invention relates to a semiconductor material products produced by the methods described herein.