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1. 发明授权

KR101702756B1 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세스 有权
标题翻译：用于生产半导体材料晶体的装置和方法
公开(公告)号：KR101702756B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020150080062
申请日：2015-06-05
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거게오르그 , 라밍게오르그
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/67
CPC分类号： C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/108
摘要： 본발명은반도체물질의결정을제조하기위한장치및 프로세서에관한것이다. 이장치는도가니바닥및 도가니벽을포함하는도가니로서, 상기도가니바닥이상면, 이면및 상기도가니벽과상기도가니바닥의중앙사이에배치된복수의개구들을가지며, 상기도가니바닥의상기상면과상기이면에배치된상승부들이존재하는것인도가니와, 도가니아래에배치되며, 반도체물질을융용시키고반도체물질의성장결정을덮는반도체물질의용해물(melt)을안정화시키기위하여제공되는유도가열코일을포함한다. 프로세스는상기도가니바닥의상기상면에반도체물질원료(feed)의베드를생성하고, 상기유도가열코일을이용하여상기베드의반도체물질을용해시키는단계를포함한다.
摘要翻译：半导体材料的晶体在具有坩埚底部和坩埚壁的坩埚的装置中制造，坩埚底部具有设置在坩埚壁和坩埚底部的中心之间的顶表面，下侧和多个开口，并且设置在坩埚底部的顶表面和下侧上的高度; 以及设置在所述坩埚下方的用于熔融半导体材料并使覆盖半导体材料的生长晶体的半导体材料的熔体稳定化的感应加热线圈。生长过程包括在坩埚底部的顶表面上产生半导体材料床，并使用感应加热线圈熔化床上的半导体材料。

2. 发明授权

KR101743554B1 실리콘의 단결정을 생산하기 위한 장치 및 프로세스 有权
公开(公告)号：KR101743554B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020150051679
申请日：2015-04-13
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거,게오르그 , 쉬타인발데마르 , 해버렌,마이크
IPC分类号： C30B13/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/20 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06
摘要： 실리콘의단결정을생산하기위한장치및 프로세스. 이러한장치는플레이트로서, 외부에지및 내부에지를가지는상단측, 상기내부에지에인접한중앙개구, 및상기중앙개구로부터상기플레이트의하단측아래까지연장하는튜브를가지는, 플레이트; 입상실리콘을상기플레이트의상단측상에미터링하기위한디바이스; 상기플레이트상에배치되고퇴적된상기입상실리콘의용해를위하여제공되는제 1 유도가열코일; 상기플레이트아래에배치되고실리콘의용해물의안정화를위하여제공되는제 2 유도가열코일로서, 상기용해물은실리콘의성장중인단결정상에존재하는, 제 2 유도가열코일을포함한다. 플레이트의상단측은세라믹재료로이루어지고상승부들을가지며, 방사상방향에서인접한상승부들의중간부들(middles) 사이의거리는 2 mm 이상 15 mm 이하인것이이러한장치의특징적인피쳐이다.

3. 发明公开

KR1020150140589A 반도체 물질의 결정을 제조하기 위한 장치 및 프로세스 有权
标题翻译：用于生产半导体材料晶体的装置和方法
公开(公告)号：KR1020150140589A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020150080062
申请日：2015-06-05
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거게오르그 , 라밍게오르그
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/67
CPC分类号： C30B13/20 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/30 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06 , Y10T117/108
摘要： 본발명은반도체물질의결정을제조하기위한장치및 프로세서에관한것이다. 이장치는도가니바닥및 도가니벽을포함하는도가니로서, 상기도가니바닥이상면, 이면및 상기도가니벽과상기도가니바닥의중앙사이에배치된복수의개구들을가지며, 상기도가니바닥의상기상면과상기이면에배치된상승부들이존재하는것인도가니와, 도가니아래에배치되며, 반도체물질을융용시키고반도체물질의성장결정을덮는반도체물질의용해물(melt)을안정화시키기위하여제공되는유도가열코일을포함한다. 프로세스는상기도가니바닥의상기상면에반도체물질원료(feed)의베드를생성하고, 상기유도가열코일을이용하여상기베드의반도체물질을용해시키는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体材料的晶体的装置和处理器。该装置包括：包括坩埚底部和坩埚壁的坩埚，其中坩埚底部具有上表面，后表面和布置在坩埚壁的中心和坩埚底部之间的多个开口，并且具有高度布置在坩埚底部的上表面和后表面上; 以及设置在坩埚下方的感应加热线圈，用于溶解半导体材料并稳定覆盖半导体材料的生长晶体的半导体材料的熔融。该方法包括以下步骤：在坩埚底部的上表面上产生半导体材料床; 并通过使用感应加热线圈溶解床的半导体材料。

4. 发明公开

KR1020100020898A 단결정 반도체 재료 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产单晶半导体材料的方法
公开(公告)号：KR1020100020898A
公开(公告)日：2010-02-23
申请号：KR1020090067277
申请日：2009-07-23
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 암몬빌프리트폰 , 알트만쇼퍼루드비히 , 리만헬게 , 피셔죄르크
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： PURPOSE: A method for producing a single crystal of a semiconductor material is provided prevent the flow of a melt by a discharge tube by controlling the side direction of an interface more effectively. CONSTITUTION: A dish comprises a discharging tube(11) consisting of a semiconductor. A semiconductor granule is fused on a dish with the first induction heating coil. The fused granule melt is formed as a form of the melt neck(18) and a melt waist(16). The heat is transferred to the granule melt with the second induction heating coil(15). The second induction heating coil comprises an opening in which the melt neck passes through. The cooling gas is transferred to the discharging tube and the melt neck to control the lateral position of an interface between the discharging tube and the melt neck.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体材料的单晶的方法，其通过更有效地控制界面的侧面方向来防止由放电管流出的熔液。构成：盘包括由半导体组成的放电管（11）。将半导体颗粒与第一感应加热线圈熔合在盘上。熔融颗粒熔体形成为熔体颈部（18）和熔体腰部（16）的形式。用第二感应加热线圈（15）将热量转移到颗粒熔体中。第二感应加热线圈包括熔体颈部通过的开口。冷却气体被传送到排放管和熔融颈部以控制排出管和熔融颈部之间的界面的横向位置。

5. 发明公开

KR1020150118547A 실리콘의 단결정을 생산하기 위한 장치 및 프로세스 有权
标题翻译：生产单晶硅的装置和工艺
公开(公告)号：KR1020150118547A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020150051679
申请日：2015-04-13
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 브레닝거,게오르그 , 쉬타인발데마르 , 해버렌,마이크
IPC分类号： C30B13/08 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B13/08 , C30B13/14 , C30B13/20 , C30B15/02 , C30B15/12 , C30B29/06
摘要： 실리콘의단결정을생산하기위한장치및 프로세스. 이러한장치는플레이트로서, 외부에지및 내부에지를가지는상단측, 상기내부에지에인접한중앙개구, 및상기중앙개구로부터상기플레이트의하단측아래까지연장하는튜브를가지는, 플레이트; 입상실리콘을상기플레이트의상단측상에미터링하기위한디바이스; 상기플레이트상에배치되고퇴적된상기입상실리콘의용해를위하여제공되는제 1 유도가열코일; 상기플레이트아래에배치되고실리콘의용해물의안정화를위하여제공되는제 2 유도가열코일로서, 상기용해물은실리콘의성장중인단결정상에존재하는, 제 2 유도가열코일을포함한다. 플레이트의상단측은세라믹재료로이루어지고상승부들을가지며, 방사상방향에서인접한상승부들의중간부들(middles) 사이의거리는 2 mm 이상 15 mm 이하인것이이러한장치의특징적인피쳐이다.
摘要翻译：提供了一种用于制造单晶硅的装置和方法。该装置包括：板，其包括具有外边缘和内边缘的顶侧，与内边缘相邻的中心开口，以及从中心开口延伸到板的底侧下方的管; 用于将颗粒状硅计量到板上的装置; 位于板上方的第一感应加热线圈，用于熔化沉积的颗粒状硅; 以及位于所述板下方的第二感应加热线圈，用于使硅熔体稳定化，其中所述熔体存在于生长的单晶硅上。板的顶侧由陶瓷材料构成，具有高度，其中相邻立面的中间在径向上的距离不小于2mm且不大于15mm。

6. 发明授权

KR101132877B1 단결정 반도체 재료 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产单晶半导体材料的方法
公开(公告)号：KR101132877B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020090067277
申请日：2009-07-23
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 암몬빌프리트폰 , 알트만쇼퍼루드비히 , 리만헬게 , 피셔죄르크
IPC分类号： C30B13/20 , C30B13/28
CPC分类号： C30B11/006 , C30B11/001 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B13/08 , C30B13/20 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1088 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 반도체 재료로 이루어진 배출 튜브를 구비하는 디쉬(dish) 상에서 제1 유도 가열 코일에 의해 반도체 재료 과립을 용융시키는 것과, 용융물 네크(melt neck)와 용융물 웨이스트(melt waist) 형태로 배출 튜브에서 상 경계까지 연장되는 용융된 과립 용융물을 형성하는 것과, 용융물 네크가 통과하는 개구를 지닌 제2 유도 가열 코일에 의해 상기 용융물에 열을 전달하는 것과, 상 경계에서 과립 용융물을 결정화하는 것, 그리고 상기 배출 튜브와 용융물 네크 간의 인터페이스의 축방향 위치를 제어하기 위해서 배출 튜브와 용융물 네크에 냉각 가스를 전달하는 것을 포함하는 단결정 반도체 재료 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 단결정 반도체 재료 제조 방법을 실시하는 장치에 관한 것이다.

7. 发明授权

KR1019880001425B1 단결정의 제조방법 失效
标题翻译：制造单晶的方法
公开(公告)号：KR1019880001425B1
公开(公告)日：1988-08-08
申请号：KR1019810003563
申请日：1981-09-23
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 요하네스페.엠.다멘 , 테오도루스제이.베르벤
IPC分类号： C03B11/00
CPC分类号： C30B11/10 , C30B11/00 , C30B29/26
摘要： A single crystal of composite oxide is made by gradually solidifying a melt, by (a) providing a melt consisting of not over 25 wt.% of the single crystal; (b) starting solidification from a seed crystal initially contacting the melt; and (c) adding the balance of the composite oxide constituting the single crystal as molten material during solidification, at the same rate as the material solidifies from the melt, the added material having the same compsn. as the material solidifying from the melt. The single crystal is pref. Mn- Zn ferrite. The single crystal composite oxide so formed is claimed.
摘要翻译：通过（a）提供由不超过25重量％的单晶组成的熔体，通过逐渐固化熔体来制备复合氧化物的单晶; （b）从最初与熔体接触的晶种开始固化; 和（c）以与熔融物固化的材料相同的速度，在固化期间，将构成单晶的复合氧化物的复合氧化物作为熔融材料添加，添加的材料具有相同的组成。作为从熔体固化的材料。单晶是首选。 Mn-Zn铁氧体。要求保护这样形成的单晶复合氧化物。

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