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1. 发明授权

KR101782329B1 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101782329B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020110106461
申请日：2011-10-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 홍영택 , 임정훈 , 이진욱 , 정찬진 , 한훈 , 박재완 , 박성환 , 이양화 , 윤병문 , 엄대홍 , 배상원 , 정지훈 , 김경현 , 김경환 , 문창섭 , 차세호 , 고용선
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02658 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： 식각용조성물이제공된다. 본발명에따른식각용조성물은인산, 암모늄이온및 실리콘원자, 상기실리콘원자에직접적으로결합하는아미노기를포함하는원자단및 상기실리콘원자에결합된적어도 2개이상의산소원자들을포함하는실리콘화합물을포함할수 있다.

2. 发明公开

KR1020160099525A 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 审中-实审
标题翻译：用于包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物
公开(公告)号：KR1020160099525A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020160101925
申请日：2016-08-10
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 임민기 , 권오병 , 유인호 , 이유진
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/30 , H01L21/306 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , H01L21/205
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/30 , H01L21/205 , H01L21/306
摘要： 본발명은조성물총 중량에대하여, 과황산염 5~20중량%; 함불소화합물 0.01~2중량%; 무기산, 무기산염및 이들의혼합물중에서선택되는 1종이상 1~10중량%; 고리형아민화합물 0.3~5중량%; 유기산, 유기산염및 이들의혼합물중에서선택되는 1종이상 1~10중량%; 및물 잔량을포함하는것을특징으로하는구리와티타늄을포함하는금속막용식각액조성물을제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种包含铜和钛的金属层的蚀刻溶液组合物，其包含基于以下组成的总量：5-20重量％的过硫酸盐; 0.01〜2重量％的氟化合物; 1-10重量％的选自无机酸，无机酸盐及其混合物中的一种或多种; 剩下的是水。

3. 发明授权

KR101587758B1 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 有权
标题翻译：用于陶瓷层的蚀刻组合物及其形成金属线的方法
公开(公告)号：KR101587758B1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020150030893
申请日：2015-03-05
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 홍형표 , 양진석 , 홍헌표 , 김상태 , 이경호
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/306 , C23F1/16
CPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , C23F1/16 , H01L21/30604
摘要： 본발명은 (A) 황산및 알킬설포닉산중에서선택되는 1종이상 75~95 중량%, (B) 과산화물 0.3~10 중량%, (C) 무기암모늄염 1~30,000 ppm, 및 (D) 잔량의물을포함하는 TiN막식각액조성물및 그식각용조성물을이용하는금속배선의형성방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种氮化钛（TiN）膜的蚀刻剂组合物，其包含：（A）75至95重量％的选自硫酸和烷基磺酸的一种或多种; （B）0.3〜10重量％的过氧化物; （C）1〜30,000ppm无机铵盐; 和（D）剩余的水，以及使用该蚀刻用组合物的金属线的形成方法。

4. 发明授权

KR101555753B1 단일 공정의 부식 방지된 구리 페이스트 제조와 다이폴 태그 안테나로의 응용 有权
标题翻译：防腐铜膏的制备及其柔性偶极标签天线应用的一步法
公开(公告)号：KR101555753B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020130139672
申请日：2013-11-18
申请人： 서울대학교산학협력단
发明人： 장정식 , 신근영
IPC分类号： H01B1/02 , H01B1/16 , H01Q9/26
CPC分类号： C23F1/16 , B22F1/004 , B22F1/0048 , B22F1/0055 , B22F1/0062 , B22F1/0074 , B22F1/0088 , C09D11/52 , H01B1/22 , H01Q9/26
摘要： 본발명은단일공정의부식방지된구리페이스트제조와다이폴태그안테나에의응용에관한것으로, 비활성기체분위기하 염산에의해구리분말표면을식각하고, 인산수용액을첨가하여상기식각된구리분말표면에구리인산염을형성한후, 비닐이미다졸-실란공중합체와폴리스타이렌술포네이트를도입하여상기구리인산염이형성된구리분말표면에부식방지용코팅층을형성하며, 원심분리기와마노유발기을이용하여고점도의분산성이우수한구리페이스트를제조하는방법을제공하며, 스크린프린팅을이용하여유연성필름위에구리페이스트박막을제조시고효율의다이폴태그안테나특성을갖음을제시한다. 본발명에따르면, 구리분말에일련의부식방지공정을통해열 경화공정없이내열성및 전기전도도가우수한구리페이스트를단일공정하에손쉽게제조할수 있는장점을가진다. 더욱이, 본발명에서제조될수 있는구리페이스트박막은크기와형태에구애되지않을뿐만아니라, 상대적으로가격경쟁력이우수한구리분말을활용함으로써, 저가로대량생산하는데유리함을제공하였다. 전기적응용측면에서본다면, 상기제조된구리페이스트박막은균일한전기전도도특성을갖으며, 외부힘에의한접힘시, 높은유연성특성을유지할수 있어고효율다이폴태그안테나특성을갖는구리페이스트제조가가능하다.

5. 发明公开

KR1020150106049A 동과 니켈이 혼재하는 폐 스크랩으로부터 효과적으로 유가금속을 회수하기 위한 동의 선택적 에칭제 无效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020150106049A
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020140028029
申请日：2014-03-11
申请人： 한닢테크(주)
发明人： 장시성 , 황운석 , 신지웅
IPC分类号： C23F1/46 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/16
摘要： 동(합금) 및 니켈(합금)이 도금된 ABS 등의 폐 수지 및 주형이나 스트립캐스팅 롤을 보수함에 있어서 필연적으로 발생하게 되는 동(합금)과 니켈(합금)이 혼재된 가공 폐 스크랩으로부터, 동과 니켈(합금)을 효과적으로 회수하여 리사이클링하기 위해서 동만을 선택적으로 용해할 수 있는 동의 선택적 에칭제로서, 과황산암모늄과 과황산나트륨을 물에 단독 또는 혼합하여 사용을 하거나 또는 여기에 과산화수소를 더 첨가하여 구성하는 것으로, 이때 과황산암모늄의 농도은 50~350g/L이고, 과황산나트륨의 농도은 50g/L 이상이며, 여기에 더 첨가하는 과산화수소는 적어도 10ml/L 이상을 필요로 하고, 이들 용액을 사용할 때의 온도는 경제성과 효율성을 고려하여서 60℃ 이하에서 사용하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种选择性蚀刻剂，其选择性地仅溶解铜，以有效地回收和再循环铜（镍）（合金），其中铜（合金）和镍（合金）共存时，必须在条带铸造辊或模具或诸如ABS（其中铜（合金）和镍（合金））被镀覆的废树脂。过硫酸铵和过硫酸铵分别独立地放入水中或合并投入到水中，或者本发明独立地将过硫酸铵和过硫酸铵分别放入水中或将过硫酸铵与过硫酸铵结合，将其放入水中或加入过氧化氢到水里本发明需要浓度为50-350g / L的过硫酸铵和至少50g / L的过硫酸钠和至少10m / L的过氧化氢浓度。考虑到经济效率和效率，得到的解决方案不超过60°C。

6. 发明公开

KR1020150067385A 에칭액 및 그것을 이용한 에칭 방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻解决方案和使用它的蚀刻过程
公开(公告)号：KR1020150067385A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020157013804
申请日：2012-06-27
申请人： 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤
发明人： 나카타다쿠토 , 나카가와노리키요
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/18 , G03F7/0043 , G03F7/32 , H01L21/0337 , H01L21/32134
摘要： 열반응형레지스트재료로서구리의산화물을이용하여레이저광으로노광한경우에, 노광·미노광부를선택적으로에칭할수 있는산화구리용의에칭액및 에칭속도의제어및 그것을이용한에칭방법을제공하는것. 본발명의에칭액은, 가수가다른산화구리를함유하는산화구리함유층으로부터특정가수의산화구리를선택적으로제거하기위한산화구리의에칭액으로서, 적어도아미노산과킬레이트제와물을포함하고, 아미노산의중량비율이킬레이트제보다많으며, 또한그 pH가 3.5 이상인것을특징으로한다.

7. 发明公开

KR1020140082419A 박막 트랜지스터의 어레이 형성 방법 审中-实审
标题翻译：制备薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020140082419A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120152361
申请日：2012-12-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김동기 , 이지연 , 정경섭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L27/1259 , C23F1/16 , H01L21/3063 , H01L21/32134
摘要： The present invention relates to a method of preparing the array of a thin film transistor. More particularly, the present invention includes a step of etching an active layer and an n+ doping layer, a source/drain electrode layer as an etchant composite, which includes hydrogen peroxide of 5 to 25 wt%, a F-containing compound of 5 to 20 wt%, an azol compound of 0.1 to 15 wt%, a mineral acid or its salt of 1 to 15 wt%, and residual water at once. The present invention relates to a method of preparing the array of a thin film transistor which etches an active layer, an n+ doping layer, a source/drain layer together in an etching process at one time.
摘要翻译：本发明涉及制备薄膜晶体管阵列的方法。更具体地说，本发明包括蚀刻有源层和n +掺杂层的步骤，作为蚀刻剂复合材料的源极/漏极电极层，其包括5至25重量％的过氧化氢，含F的化合物5至 20重量％，0.1〜15重量％的唑类化合物，1〜15重量％的无机酸或其盐，以及一次残留的水。本发明涉及一种制备薄膜晶体管阵列的方法，该薄膜晶体管在蚀刻过程中一次蚀刻有源层，n +掺杂层，源极/漏极层。

8. 发明授权

KR101374628B1 2중 금속층을 이용한 부분 열처리 방법 有权
标题翻译：使用双金属层的非氧化部分热处理方法
公开(公告)号：KR101374628B1
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020130125864
申请日：2013-10-22
申请人： 디케이락 주식회사 , 정삼례
发明人： 노은식 , 정삼례
IPC分类号： C21D1/06 , C21D1/46 , C25D5/10 , C25D5/02
CPC分类号： C21D1/68 , C21D1/06 , C21D1/46 , C21D9/40 , C21D2211/004 , C21D2251/00 , C23C8/02 , C23C8/04 , C23C8/44 , C23C8/48 , C23C8/54 , C23C8/80 , C23F1/16 , C23F1/44 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D5/48 , C25D5/50 , F16L19/103
摘要： The present invention provides a partial heat treatment method for hardening the surface of a workpiece through heat treatment by using a double metal layer, comprising a first step to plate a first metal layer on the surface of a workpiece; a second step to plate a second metal layer on the surface of the first metal layer; a third step to expose a part of the surface of the workpiece by stripping a part of the first metal layer and the second metal layer; a fourth step to harden the exposed surface of the workpiece by performing heat treatment to harden the surface of the workpiece; and a fifth step to remove the first metal layer and the second metal layer remaining on the surface of the workpiece. Through such treatment, a phenomenon of torque being increased by hardening of a front area excluding a part to be heat-treated due to heat treatment can be prevented in a partial heat treatment. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S210) First plating step; (S220) Second plating step; (S230) Partial stripping step; (S240) Heat treatment step; (S250) Whole stripping step
摘要翻译：本发明提供一种通过使用双金属层进行热处理来硬化工件的表面的部分热处理方法，包括：第一步骤，在工件的表面上平板化第一金属层; 第二步骤，在第一金属层的表面上平版第二金属层; 第三步骤，通过剥离第一金属层和第二金属层的一部分来暴露工件表面的一部分; 第四步骤，通过进行热处理来硬化工件的表面来硬化工件的暴露表面; 以及第五步骤，去除残留在工件表面上的第一金属层和第二金属层。通过这样的处理，可以在部分热处理中防止由于热处理导致的除热处理部分之外的正面区域的硬化而增加扭矩现象。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S210）第一电镀步骤; （S220）第二电镀步骤; （S230）部分剥离步骤; （S240）热处理工序; （S250）全剥离步骤

9. 发明公开

KR1020110105148A 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 有权
标题翻译：用于金属线的蚀刻和使用该金属线制造金属线的方法
公开(公告)号：KR1020110105148A
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020100024250
申请日：2010-03-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 서남석 , 홍선영 , 정종현 , 김봉균 , 박홍식 , 송진호 , 이왕우 , 김도원 , 김상우 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/02 , H05K3/06
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067 , C23F1/34 , C23F1/02 , C23F1/10 , C23F1/16 , C23F1/30 , H05K3/06
摘要： 금속 배선 식각액을 제공한다. 본 발명의 한 실시예에 따른 금속 배선 식각액은 과산화이황산암모늄, 유기산, 암모늄염, 불소 함유 화합물, 글리콜계 화합물 및 아졸계 화합물을 포함한다.

10. 发明公开

KR1020110047130A 식각액 조성물 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020110047130A
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：KR1020100098368
申请日：2010-10-08
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이석준 , 신혜라 , 권오병 , 이유진
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/20 , C23F1/30 , H01L21/306
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/08 , C23F1/20 , C23F1/30 , H01L21/30604
摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to ensure excellent etching property to an indium-based metal layer, aluminum-lanthanum-based alloy film, and titanium-based metal film, and excellent etching profile, and to prevent underlayer damage and residue generation. CONSTITUTION: An etchant composition of a trilayer consisting of an indium-based metal layer, aluminum-lanthanum-based alloy film, and titanium-based metal film includes, based on the total weight of the composition, 1-15 weight% of hydrogen peroxide, 0.1-10 weight% of inorganic acid, 1-15 weight% of hydrogen peroxide, 0.1-10 weight% of fluorine-containing compound, and the remaining amount of water.
摘要翻译：目的：提供蚀刻剂组合物以确保对铟基金属层，铝 - 镧基合金膜和钛基金属膜的优异的蚀刻性能，优异的蚀刻轮廓，并且防止底层损伤和残留物产生。构成：由铟基金属层，铝 - 镧基合金膜和钛基金属膜构成的三层的蚀刻剂组成基于组合物的总重量，包括1-15重量％的过氧化氢，无机酸0.1-10重量％，过氧化氢1-15重量％，含氟化合物0.1-10重量％，剩余量的水。

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