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1. 发明公开

KR1020180107393A 고성능 저전력 전계효과 트랜지스터 소자 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020180107393A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020170034484
申请日：2017-03-20
申请人： 전남대학교산학협력단
发明人： 류상완 , 강진호
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/3063 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/30612 , H01L21/3063 , H01L29/7783
摘要： 본발명은고성능저전력전계효과트랜지스터소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명이일실시예에따른고성능저전력전계효과트랜지스터소자의제조방법은준비된기판상에유전체를증착및 패터닝하여유전층을형성하는단계; 상기유전층의상부에 u-GaN, n-GaN 및 u-GaN이순차적으로증착된 GaN 구조층을형성하는단계; 상기 GaN 구조층을식각하여선택된칩 형상으로패터닝하는단계; 상기유전층을식각하여제거하는단계; 상기유전층의상부 u-GaN를식각하여 n-GaN를노출시키는단계; 상기 n-GaN를식각하여박막의 GaN층을형성하는단계; 및상기 GaN층에게이트유전체증착및 전극을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.

2. 发明授权

KR101725633B1 원자적으로 평평한 다결정 STO 기판 제조방법 有权
标题翻译：原子级多晶STO基板的制造方法
公开(公告)号：KR101725633B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020150072666
申请日：2015-05-26
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 최우석 , 김윤석 , 서호성 , 우성민 , 이상아
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3063 , H01L21/324
摘要： 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법이개시된다. 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법은다결정(polycrystalline) STO(SrTiO) 기판을에칭하는단계; 및상기다결정 STO 기판을어닐링하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种制造原子级平坦的多晶STO衬底的方法。原子平面多晶STO衬底制造方法包括：蚀刻多晶STO（SrTiO）衬底; 并退火多晶STO基板。

3. 发明授权

KR101722371B1 전해연마법을 이용한 공정챔버의 세정방법 有权
公开(公告)号：KR101722371B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020160100247
申请日：2016-08-05
申请人： 피에스테크놀러지(주)
发明人： 지정훈 , 한태희
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/304
摘要： 본발명은공정챔버의내벽을전해연마법으로세정하여공정챔버내에침착된반응부산물을제거할뿐만아니라상기공정챔버내벽의균일한비표면적을제공할수 있는공정챔버의세정방법에관한것이다. 본발명에따르면, 대용량공정챔버를분해, 이동및 재조립없이그 자체로전해연마함으로써, 분진발생이나환경오염을야기함이없이, 공정챔버의내벽에서공정부산물및 공정침착물을제거할수 있으며, 공정챔버의내벽에균일한비표면적을제공할수 있다.

4. 发明授权

KR101699984B1 액 처리 장치 및 액 처리 방법 有权
标题翻译：液体加工设备和液体加工方法
公开(公告)号：KR101699984B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020110126664
申请日：2011-11-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 히가시지마지로
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3063 , H01L21/288 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 본발명은처리실내로복수의노즐지지아암을진출시킬수 있는액 처리장치및 액처리방법을제공한다. 본발명의액 처리장치(10)는, 처리실(20)과, 기판유지부(21)에유지된기판(W)에대하여유체를공급하기위한노즐(82a)과, 노즐(82a)을지지하는노즐지지아암(82)과, 처리실(20)에인접하여설치되고, 이처리실(20)로부터후퇴한노즐지지아암(82)이대기하기위한아암대기부(80)를구비하고있다. 액처리장치(10)에있어서, 노즐지지아암(82p 내지 82u)은복수설치되어있고, 노즐지지아암(82p, 82r, 82t)은노즐지지아암(82q, 82s, 82u)과높이레벨이다르게되어있다.
摘要翻译：公开了一种可以将多个喷嘴支撑臂推进到处理室中的液体处理装置和液体处理方法。液体处理装置包括处理室，被配置为将流体供给到由基板保持单元保持的基板的喷嘴，被配置为支撑喷嘴的喷嘴支撑臂以及邻近处理室安装的臂备用单元，喷嘴支撑臂从处理室退回到待机位置。在液体处理装置中，安装有多个喷嘴支撑臂，一个喷嘴支撑臂与另一个喷嘴支撑臂具有不同的高度水平。

5. 发明公开

KR1020170011959A 반도체소자 세정방법 审中-实审
标题翻译：清洁半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020170011959A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150181156
申请日：2015-12-17
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 조현동 , 전성훈 , 송기창
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3063 , H01L21/465 , B08B3/08 , B08B11/00
摘要： 본발명은, 불화암모늄(Ammonium Fluoride)과헥실황산암모늄(Ammonium Hexyl Sulfate)을전해질로하여이온수를생성하고, 생성된이온수를반도체소자에가하여잔류물을제거하는반도체소자세정방법을제공한다. 여기서전해질에첨가물로서아스크로브산(ascorbic acid)를첨가하여, 반도체소자에형성된금속패턴을효과적으로보호할수 있다.

6. 发明公开

KR1020160134532A 공간적으로 맞춰진 저항률을 갖는 이온 저항성 이온 투과성 엘리먼트의 사용을 통한 금속들의 전착을 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：使用具有空间定位电阻的离子电离透性元素的金属选择的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160134532A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160057962
申请日：2016-05-12
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 카가즈왈라부르하누딘 , 버칼루브라이언엘. , 추아리펭 , 베르케아론 , 래쉬로버트 , 메이어스티븐티.
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/67 , H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/02002 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , H01L21/2885
摘要： 개선된도금균일성을갖는반도체기판상에금속을전기도금하기위한장치는, 일양태에서, 전해질및 애노드를담도록구성된도금챔버; 반도체기판을홀딩하도록구성된기판홀더; 및실질적으로평탄한기판을마주보는표면및 반대되는표면을포함하는이온저항성이온투과성엘리먼트를포함하고, 이온저항성이온투과성엘리먼트는전기도금동안이온전류로하여금기판을향해흐르게하고, 이온저항성이온투과성엘리먼트는변동된국부적저항률을갖는영역을포함한다. 일예에서이온저항성이온투과성엘리먼트의저항률은이온저항성이온투과성엘리먼트의두께가변동함에따라변동된다. 일부실시예들에서, 이온저항성이온투과성엘리먼트의두께는이온저항성이온투과성엘리먼트의에지로부터중심으로방사상방향으로점진적으로감소된다. 제공된장치및 방법들은 WLP 리세스된피처들내에금속을전기도금하기위해특히유용하다.
摘要翻译：一种用于在具有改进的电镀均匀性的半导体衬底上电镀金属的装置包括在一个方面：电镀室，被配置为容纳电解质和阳极; 衬底保持器，其构造成保持所述半导体衬底; 以及包括基本上平面的面向对面的表面和相对表面的离子电阻性离子可渗透元件，其中所述元件允许在电镀期间离子电流流向基底，并且其中所述元件包括具有变化的局部电阻率的区域。在一个示例中，通过改变元件的厚度来改变元件的电阻率。在一些实施例中，元件的厚度在从元件的边缘到元件的中心的径向方向上逐渐减小。所提供的装置和方法对于在WLP凹陷特征中的电镀金属是特别有用的。

7. 发明公开

KR1020160119808A 반도체의 선택적 전기화학적 에칭 审中-实审
标题翻译：半导体的选择性电化学蚀刻
公开(公告)号：KR1020160119808A
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020167024310
申请日：2015-02-10
申请人： 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
发明人： 다할,라젠드라피. , 바트,이슈와라비. , 차우,태트-싱
IPC分类号： H01L21/465 , H01L21/3063 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/30635 , H01L21/3063 , H01L21/3228 , H01L21/465 , H01L29/00 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66204 , H01L29/66212 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 반도체층을포함하는다층구조물을제공하고, 상기반도체층은도판트를포함하며증가된전도도를갖고; 전기화학적가공을사용하여상기반도체층의다공도를선택적으로증가시키고, 적어도부분적으로, 상기다공도를선택적으로증가시킴은상기반도체층의증가된전도도를이용하며; 적어도부분적으로, 상기다층구조물로부터상기선택적으로증가된다공도를갖는반도체층을제거함을포함하는반도체구조물의제작을용이하게하는방법을제공한다. 예로서, 상기다공도를선택적으로증가시킴은, 적어도부분적으로, 상기다층구조물의반도체층을선택적으로양극산화시킴을포함할수 있다.

8. 发明公开

KR1020160114924A 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020160114924A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150041418
申请日：2015-03-25
申请人： 경북대학교 산학협력단
发明人： 이정희 , 이동기 , 김도균 , 조영우 , 손동혁
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L29/66
摘要： 반도체소자제조방법이개시된다. 본방법은, 기판상에제1 반도체층을마련하는단계, 제1 반도체층상에기 설정된폭을갖는마스크층을형성하여제1 반도체층을건식식각하는단계, 제1 반도체층의폭이마스크층의폭보다작은폭을갖도록건식식각된제1 반도체층의측면을습식식각하는단계, 마스크층을제거하는단계, 건식식각및 습식식각에의해제1 반도체층이제거된부분에절연층을형성하는단계, 제1 반도체층과절연층상에게이트절연막을형성하는단계및 게이트절연막상에게이트전극을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件制造方法。该方法包括以下步骤：在衬底上提供第一半导体层;在第一半导体层上形成具有预定宽度的掩模层，以干法刻蚀第一半导体层; 湿蚀刻已干蚀刻的第一半导体层的侧表面，使其宽度小于第一半导体层的宽度，去除掩模层，释放干蚀刻和湿蚀刻，在第一半导体层和绝缘层上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。

9. 发明公开

KR1020160114922A 반도체 소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020160114922A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150041413
申请日：2015-03-25
申请人： 경북대학교 산학협력단
发明人： 이정희 , 강희성 , 김륜휘 , 조영우 , 손동혁
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L21/3065 , H01L21/3063 , H01L29/778
摘要： 반도체소자제조방법이개시된다. 본방법은, 제1 반도체층을마련하는단계, 제1 반도체층상에기 설정된폭을갖는마스크층을형성하여제1 반도체층을건식식각하는단계, 제1 반도체층의폭이마스크층의폭보다작은폭을갖도록건식식각된제1 반도체층의측면을습식식각하는단계, 마스크층을제거하는단계, 건식식각및 습식식각에의해제1 반도체층이제거된부분에기 설정된높이의절연층을형성하는단계, 제1 반도체층을식각하여트렌치를형성하는단계및 트렌치를메꾸고, 트렌치의폭보다넓은컨텍영역을갖는게이트전극을형성하는단계를포함한다.

10. 发明公开

KR1020150138071A 에칭 프로세스에서의 감소된 티타늄 언더컷 审中-实审
标题翻译：在蚀刻过程中减少的钛白粉
公开(公告)号：KR1020150138071A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020150075124
申请日：2015-05-28
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 수르독크,데이비드피. , 베른트,마르빈엘.
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/306 , H01L21/027
CPC分类号： H01L24/13 , C23F1/26 , C23F1/38 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/02311 , H01L2224/02321 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/03831 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05609 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/11005 , H01L2224/11013 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11831 , H01L2224/13006 , H01L2224/13018 , H01L2224/13027 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13563 , H01L2224/1357 , H01L2224/13666 , H01L2224/94 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2224/0231 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/00012
摘要： 본개시의일 실시예에따르면, 금속피쳐(feature)를형성하는방법은, 제 1 에칭케미스트리(chemistry)를사용하여, 제 1 금속층의부분을에칭하는단계, 및배리어층의두께의 2배미만이거나또는배리어층의두께의 2배와동등한배리어층 언더컷(undercut)을달성하기위해, 제 2 에칭케미스트리를사용하여, 배리어층의부분을에칭하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本公开的一个实施例，形成金属特征的方法包括以下步骤：使用第一蚀刻化学法蚀刻第一金属层的一部分; 以及使用第二蚀刻化学法蚀刻阻挡层的一部分以实现小于或等于阻挡层厚度的2倍的阻挡层底切。

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