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1. 发明授权

KR101782329B1 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101782329B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020110106461
申请日：2011-10-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 홍영택 , 임정훈 , 이진욱 , 정찬진 , 한훈 , 박재완 , 박성환 , 이양화 , 윤병문 , 엄대홍 , 배상원 , 정지훈 , 김경현 , 김경환 , 문창섭 , 차세호 , 고용선
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02658 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： 식각용조성물이제공된다. 본발명에따른식각용조성물은인산, 암모늄이온및 실리콘원자, 상기실리콘원자에직접적으로결합하는아미노기를포함하는원자단및 상기실리콘원자에결합된적어도 2개이상의산소원자들을포함하는실리콘화합물을포함할수 있다.

2. 发明公开

KR1020130042273A 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 有权
标题翻译：用于蚀刻的组合物和使用其形成半导体存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020130042273A
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110106461
申请日：2011-10-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 홍영택 , 임정훈 , 이진욱 , 정찬진 , 한훈 , 박재완 , 박성환 , 이양화 , 윤병문 , 엄대홍 , 배상원 , 정지훈 , 김경현 , 김경환 , 문창섭 , 차세호 , 고용선
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02658 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/16 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： PURPOSE: An etching composition is provided to have high selectivity to a nitrogen membrane, to minimize the generation of a particle in an etching process, and to minimize precipitation of a reaction side product. CONSTITUTION: An etching composition contains phosphor, ammonium ion, silicon atom, an atomic group which contains an amino group directly coupled to the silicon atom, and a silicon compound with two or more oxygen atoms coupled to the silicon atom. The atomic group is an amino alkoxy group or amino alkyl group. The silicon compound is represented by chemical formula 1: R^1-Si-(-O-H)3. In chemical formula 1, R^1 contains an amino alkoxy group or amino alkyl group. [Reference numerals] (AA) Etching selection ratio; (BB) Comparative example 1; (CC) Comparative example 2; (DD) Comparative example 3; (EE) Example 1; (FF) Example 2; (GG) Example 3; (HH) Example 4; (II) Example 5;
摘要翻译：目的：提供蚀刻组合物以对氮膜具有高选择性，以最小化蚀刻工艺中的颗粒的产生，并使反应副产物的沉淀最小化。构成：蚀刻组合物含有荧光体，铵离子，硅原子，含有与硅原子直接连接的氨基的原子团，以及具有与硅原子连接的两个以上氧原子的硅化合物。原子团是氨基烷氧基或氨基烷基。硅化合物由化学式1表示：R 1-Si - （ - O-H）3。在化学式1中，R 1含有氨基烷氧基或氨基烷基。（附图标记）（AA）蚀刻选择比; （BB）比较例1; （CC）比较例2; （DD）比较例3; （EE）实施例1; （FF）实施例2; （GG）实施例3; （HH）实施例4; （II）实施例5

3. 发明授权

KR101391605B1 실리콘 질화막 식각액 조성물 有权
标题翻译：氮化硅或氧化硅湿法蚀刻的组合物
公开(公告)号：KR101391605B1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：KR1020100139731
申请日：2010-12-31
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이양화 , 이진욱 , 박재완
IPC分类号： C23F1/24 , C09K13/04
摘要： 본발명은실리콘질화막의습식식각용조성물에관한것으로자세하게는반도체공정에서실리콘질화막또는실리콘산화막을식각함에있어서, 장기간사용시에도실리콘질화막과실리콘산화막의선택비에영향을주지않고식각속도를일정하게유지할수 있는습식식각용조성물이며, 인화합물과암모늄계화합물을포함하는습식식각용조성물에관한것이다.

4. 发明公开

KR1020120136977A 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액 有权
标题翻译：用于水溶性ITO的湿蚀刻的组合物
公开(公告)号：KR1020120136977A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056232
申请日：2011-06-10
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이양화
IPC分类号： C23F1/30 , C09K13/04 , C23F1/02
CPC分类号： C23F1/30 , C09K13/04 , C23F1/02 , G03F7/00 , H01L21/306
摘要： PURPOSE: An etching solution for a crystallized ITO(Indium-Tin Oxide) film is provided to is provided to prevent corrosion of equipment and damage to a photoresist and to effectively remove residues. CONSTITUTION: An etching solution for a crystallized ITO film comprises 10-20wt.% of hydrochloric acid, 1-20wt.% of a salt compound, and 100wt.% of deionized water. The salt compound is metallic halogen compound excluding ferric chloride. The etching solution is used for etching a transparent conductive film including ITO.
摘要翻译：目的：提供一种用于结晶化的ITO（氧化铟锡）膜的蚀刻溶液，以防止设备的腐蚀和光致抗蚀剂的损坏并有效去除残留物。构成：用于结晶的ITO膜的蚀刻溶液包括10-20重量％的盐酸，1-20重量％的盐化合物和100重量％的去离子水。盐化合物是不含氯化铁的金属卤化物。蚀刻溶液用于蚀刻包括ITO的透明导电膜。

5. 发明授权

KR101293628B1 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액 有权
标题翻译：结晶ITO湿法蚀刻的组成
公开(公告)号：KR101293628B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020110056232
申请日：2011-06-10
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이양화
IPC分类号： C23F1/30 , C09K13/04 , C23F1/02
摘要： 본 발명은 투명도전막에 사용되는 결정질 산화 인듐 주석막 식각용액에 관한 것으로서, 결정질 산화인듐 주석막에 대해 우수한 식각능력을 갖고, 식각용액 조성이 안정적이며, 식각 공정시 포토레지스트(Photo Resist)와 같은 광반응 물질에 대한 손상(Damage)이 없으며, 잔사를 남기지 않는 우수한 특성을 가지는 식각용액에 관한 것이다.

6. 发明公开

KR1020120077676A 실리콘 질화막 식각액 조성물 有权
标题翻译：硅氧化物或氧化硅浸渍的组合物
公开(公告)号：KR1020120077676A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100139731
申请日：2010-12-31
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 임정훈 , 이양화 , 이진욱 , 박재완
IPC分类号： C23F1/24 , C09K13/04
CPC分类号： C23F1/30 , C09K13/04
摘要： PURPOSE: An etchant composition for a silicon nitride film is provided to prevent the reduction of etching speed and the variation of selection ratio and maintain a constant etching speed even in a long-time use. CONSTITUTION: An etchant composition for a silicon nitride film comprises 60-95wt.% of phosphoric acid, 0.01-20wt.% of ammonium based compound, 0.01-1wt.% of fluorinated compound, and the remaining amount of water. The ammonium based compound is a mixture of one or more selected from the group consisting of ammonia, ammonium chloride, ammonium acetic acid, ammonium phosphate, ammonium peroxysulfate, and ammonium sulfate.
摘要翻译：目的：提供氮化硅膜的蚀刻剂组合物，以防止蚀刻速度的降低和选择比的变化，并且即使长时间使用也能保持恒定的蚀刻速度。构成：用于氮化硅膜的蚀刻剂组合物包含60-95重量％的磷酸，0.01-20重量％的铵基化合物，0.01-1重量％的氟化合物和剩余的水量。铵基化合物是选自氨，氯化铵，乙酸铵，磷酸铵，过硫酸铵和硫酸铵中的一种或多种的混合物。

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