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1. 发明授权

KR102092914B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 有权
公开(公告)号：KR102092914B1
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：KR1020190065587
申请日：2019-06-03
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이지연 , 이은원 , 김동기 , 최용석
IPC分类号： C09K13/06 , C23F1/30 , C23F1/20 , H01L21/306

2. 发明授权

KR101933529B1 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101933529B1
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：KR1020120157397
申请日：2012-12-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권오병 , 김동기 , 이지연
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/02 , G02F1/1362

3. 发明授权

KR101924384B1 구리계 금속막의 식각액 조성물 有权
公开(公告)号：KR101924384B1
公开(公告)日：2018-12-03
申请号：KR1020120157413
申请日：2012-12-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권오병 , 이지연 , 전현수
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/42
摘要： 본 발명은 구리계 금속막의 식각액 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 과산화수소, 화학식 1로 표시되는 수용성 화합물 및 물을 포함함으로써, 식각 처리 가능한 기판의 매수를 증가시킴에 따라 공정 마진을 개선할 수 있는 구리계 금속막의 식각액 조성물에 관한 것이다.

4. 发明公开

KR1020150052396A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020150052396A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：KR1020130132820
申请日：2013-11-04
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권오병 , 이은원 , 이지연 , 조경화
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/00
摘要： a)기판상에게이트배선을형성하는단계; b)상기게이트배선을포함한기판상에게이트절연층을형성하는단계; c)상기게이트절연층상에반도체층을형성하는단계; d)상기반도체층상에소스및 드레인전극을형성하는단계; 및 e)상기드레인전극에연결된화소전극을형성하는단계를포함하는액정표시장치용어레이기판의제조방법에있어서, 상기 a) 또는 d)단계는기판또는반도체층 상에구리계금속막을형성하고, 상기구리계금속막을식각액조성물로식각하여게이트배선또는소스및 드레인전극을형성하는단계를포함하며; 상기식각액조성물은조성물총 중량에대하여과산화수소 5 내지 25 중량%, 아인산 0.1 내지 5 중량%, 불소화합물 0.01 내지 1.0 중량%, 아졸화합물 0.1 내지 5 중량%, 한분자내에질소원자와카르복실기를갖는수용성화합물 0.1 내지 5.0 중량%, 황산염화합물 0.1 내지 5.0 중량% 및조성물총 중량이 100 중량%가되도록잔량의물을포함하는구리계금속막식각액조성물인것을특징으로하는액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种液晶显示器用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）在基板上形成栅极配线; （b）在包括栅极布线的基板上形成栅极绝缘层; （c）在栅极绝缘层上形成半导体层; （d）在半导体层上形成源极和漏极; 和（e）形成连接到漏电极的像素电极，其中步骤（a）或步骤（d）包括在衬底或半导体层上形成铜基金属膜的步骤，蚀刻铜基具有蚀刻剂组成以形成栅极布线，源电极或漏电极的金属膜，其中所述蚀刻剂组合物是铜组合物，相对于组合物的总重量为5〜25重量/ 过氧化氢的百分比，0.1〜5重量％的磷，0.01〜1.0重量％的氟化合物，0.1〜5重量％的唑化合物，0.1〜5.0重量％的水溶性化合物，其具有一个分子中的氮原子和羧基，0.1〜5.0重量％的硫酸盐化合物和水的总量，其总重量为组合物的100重量％。

5. 发明公开

KR1020150024764A 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020150024764A
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020140080710
申请日：2014-06-30
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이은원 , 이지연 , 권오병 , 최용석
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/00
摘要： 본 발명은 a)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계; b)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e)상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a)단계 또는 d)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 구리계 금속막을 포함하는 막을 식각하여 각각의 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 몰리브덴합금막은 나이오븀(Nb) 또는 텅스텐(W) 중 하나 이상과 몰리브덴의 합금이며, 상기 식각에 사용되는 식각액 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여 A)과산화수소(H
2 O
2 ) 5.0 내지 25.0중량%, B)불소 화합물 0.01 내지 1.0 중량%, C)아졸 화합물 0.1 내지 5중량%, D)한 분자 내에 질소원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, E)인산염 화합물 0.1 내지 5.0 중량%, F)다가알코올형 계면활성제 0.001 내지 5.0 중량% 및 G)물 잔량을 포함하며, 상기 성분 외에는 유기산 또는 유기산염, 무기� � 또는 무기산염, 또는 지환족 아민을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 대한 것이다.
摘要翻译：本发明提供一种使用蚀刻剂一次蚀刻钼基金属膜或铜基金属膜的液晶显示器用阵列基板的制造方法。该方法包括以下步骤：（a）在衬底上形成栅极线; （b）在包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层; （c）在栅极绝缘层上形成半导体层; （d）在半导体层上形成源极和漏极; （e）形成连接到漏电极的像素电极，其中步骤（a）或步骤（b）包括通过蚀刻包括钼基金属膜或铜基金属膜的膜来形成每个电极，并且其中钼合金膜是钼和铌（Nb）或钨（W）中的至少一种的合金。蚀刻剂组合物包含：（A）5.0-25.0重量％的过氧化氢（H 2 O 2）; （B）0.01〜1.0重量％的氟化合物; （C）0.1-5.0重量％的唑类化合物; （D）0.1-5.0重量％的一分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物; （E）0.1-5.0重量％的磷酸盐化合物; （F）0.001-5.0重量％的多元醇型表面活性剂; 和（G）基于组合物的100重量％的剩余水，其中除了组分外，蚀刻剂组合物不包括有机酸或有机酸盐，无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

6. 发明公开

KR1020140118147A 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于液晶显示的阵列基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020140118147A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020130033574
申请日：2013-03-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 이지연 , 정경섭 , 김동기
IPC分类号： G02F1/136 , C09K13/00
CPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/00
摘要： The present invention relates to a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, including the steps of: sequentially stacking a pure amorphous silicon (a-Si:H) thin film on a substrate and an amorphous silicon (n+a-Si:H) thin film having impurities thereon; forming a mask pattern having an open etching area on the amorphous silicon (n+a-Si:H) thin film having impurities; and etching only the amorphous silicon (n+a-Si:H) thin film having impurities on the pure amorphous silicon (a-Si:H) thin film using an etchant composition. The etchant composition comprises based on the total weight of the composition: (A) 5.0 to 15.0 wt% of persulfate; (B) 1.0 to 20.0 wt% of Fe^3+ compounds; (C) 0.01 to 10.0 wt% of fluorine compounds; and (D) the remainder water.
摘要翻译：本发明涉及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上依次层叠纯非晶硅（a-Si：H）薄膜和非晶硅（n + a -Si：H）其上具有杂质的薄膜; 在具有杂质的非晶硅（n + a-Si：H）薄膜上形成具有开放蚀刻区域的掩模图案; 并且使用蚀刻剂组合物仅蚀刻在纯非晶硅（a-Si：H）薄膜上具有杂质的非晶硅（n + a-Si：H）薄膜。蚀刻剂组合物基于组合物的总重量：（A）5.0至15.0wt％的过硫酸盐; （B）1.0〜20.0重量％的Fe 3+化合物; （C）0.01〜10.0重量％的氟化合物; 和（D）剩余的水。

7. 发明公开

KR1020140082420A 박막 트랜지스터의 어레이 형성 방법 审中-实审
标题翻译：制备薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020140082420A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120152362
申请日：2012-12-24
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 권오병 , 이지연 , 전현수
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1259 , C23F1/16 , H01L21/3063 , H01L21/32134
摘要： The present invention relates to a method of preparing the array of a thin film transistor. More particularly, the present invention includes a step of etching an active layer and an n+ doping layer, a source/drain electrode layer as an etchant composite, which includes hydrogen peroxide of 5 to 25 wt%, a F-containing compound of 5 to 20 wt%, an azol compound of 0.1 to 15 wt%, an organic acid or its salt of 1 to 15 wt%, and residual water at once. The present invention relates to a method of preparing the array of a thin film transistor which etches an active layer, an n+ doping layer, a source/drain layer together in an etching process at one time.
摘要翻译：本发明涉及制备薄膜晶体管阵列的方法。更具体地说，本发明包括蚀刻有源层和n +掺杂层的步骤，作为蚀刻剂复合材料的源极/漏极电极层，其包括5至25重量％的过氧化氢，含F的化合物5至 20重量％，0.1〜15重量％的唑类化合物，1〜15重量％的有机酸或其盐，以及一次残留的水。本发明涉及一种制备薄膜晶体管阵列的方法，该薄膜晶体管在蚀刻过程中一次蚀刻有源层，n +掺杂层，源极/漏极层。

8. 发明授权

KR102131394B1 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102131394B1
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：KR1020140038998
申请日：2014-04-02
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김동기 , 이지연
IPC分类号： G02F1/1362 , C23F1/30 , H01L21/306 , G02F1/1343

9. 发明授权

KR102009529B1 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102009529B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：KR1020130033488
申请日：2013-03-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 정경섭 , 이지연 , 최용석
IPC分类号： G02F1/1362 , C09K13/00

10. 发明授权

KR101924213B1 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101924213B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020130033956
申请日：2013-03-28
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 김동기 , 권오병 , 이지연
IPC分类号： C23F1/18 , G02F1/1362
摘要： 본발명은구리계금속막의식각액조성물에관한것으로서, 보다상세하게는과산화수소 5 내지 25중량%, 한분자내에질소원자와카르복실기를갖는수용성화합물 0.1 내지 5중량%, 폴리인산염화합물 0.1 내지 5중량%, 아졸화합물 0.1 내지 5중량%, 함불소화합물 0.01 내지 0.1중량% 및잔량의물을포함함으로써미세패턴의구현이가능한구리계금속막의식각액조성물및 이를이용한액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다.

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