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1. 发明公开

KR20180068591A 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180068591A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR20160170440
申请日：2016-12-14
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , SOULBRAIN CO LTD
发明人： KIM SOO JIN , LEE HYO SUN , BAE JIN HYE , LIM JUNG HUN , CHOI YONG JAE
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , H01L21/306 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/306 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要： 실리콘막및 실리콘-게르마늄막을포함하는적층구조에서, 실리콘-게르마늄막을높은선택비를가지고제거하기위한식각용조성물을제공하는것이다. 상기식각용조성물은실리콘-게르마늄(SiGe)을선택적으로식각하기위한식각용조성물에서, 상기식각용조성물은과초산(peracetic acid) 혼합물, 불소화합물, 아세테이트계열의유기용매및 물을포함한다.

2. 发明授权

KR101836548B1 고 효율 저 비용의 결정질 실리콘 태양 전지를 위한 방법, 공정 및 제조 기술 有权
标题翻译：高效率，低成本晶体硅太阳能电池的方法，工艺和制造技术
公开(公告)号：KR101836548B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020137009497
申请日：2011-03-11
申请人： 스펙맷, 인코포레이티드
发明人： 포호리아엠 , 포마리아 , 포미르세아
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/056 , C09K13/08 , C23F1/16 , C03C17/25
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/16 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본발명은솔라등급의단결정 Si(c-Si), 다결정 Si(mc-Si), 폴리-Si 및마이크로-Si 태양전지및 솔라모듈을비롯한(이에한정되지않음) 고효율저 비용의결정질규소(Si) 태양전지에대한방법, 공정, 태양전지설계및 제조기술에관한것이다. RTWCG 태양전지제조기술은등급별굴절율을갖는 RTWCG SiOx 박막반사방지코팅(ARC) 및선택적방출체(SE)를생성한다. SiOx 옥시드의생성된상부표면은성장공정에부수적으로또는추가의마일드습식화학적단계를통하여텍스쳐처리될수 있다(TO).
摘要翻译：本发明，包括单晶Si（C-Si）的太阳能级，多晶硅（MC-Si）的，聚-Si -Si和微太阳能电池和太阳能电池组件，包括但不限于高效率，低成本的多晶硅（的硅）涉及太阳能电池的方法，工艺和太阳能电池设计和制造技术。 RTWCG太阳能电池制造技术生产具有梯度折射率的RTWCG SiOx薄膜抗反射涂层（ARC）和选择性发射极（SE）。得到的SiO x氧化物的上表面可以附带地（TO）附着到生长过程或通过附加的温和的湿化学步骤。

3. 发明公开

KR1020170057323A 유리 기판에 사용하기 위한 에칭 절단 용액 审中-实审
标题翻译：蚀刻切割解决方案，用于玻璃基板
公开(公告)号：KR1020170057323A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020177009754
申请日：2015-09-14
申请人： 더 케무어스 컴퍼니 에프씨, 엘엘씨
发明人： 루,용준 , 리,하오-춘 , 두란테,로베르트제프리
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
CPC分类号： C09K13/08 , C03C15/00 , C03C17/28 , C03C2218/34
摘要： 유리기판을에칭절단하는데 적합한용액이개시된다. 이용액은 (a) 약 20.1 중량% 내지약 25 중량%의플루오르화수소산; (b) 약 7 중량% 내지약 10.5 중량%의유기카르복실산; (c) 0 내지약 10 중량%의질산; 및 (d) 약 54.5 중량% 내지약 72.9 중량%의물을포함할수 있으며, 여기서, 상기중량%는에칭절단용액의총 중량을기준으로한다.
摘要翻译：公开了适用于蚀刻玻璃基板的解决方案。该使用溶液包含（a）约20.1重量％至约25重量％的氢氟酸; （b）约7重量％至约10.5重量％的有机羧酸; （c）0至约10重量％的硝酸; 和（d）约54.5wt％至约72.9wt％的材料，其中wt％基于蚀刻切割溶液的总重量。

4. 发明公开

KR1020170027787A 텅스텐 및 코발트 상용성을 갖는 에치후 잔류물을 제거하기 위한 수성 및 반-수성 세정제 审中-实审
标题翻译： - 清洁和清洁清洁剂，用于去除具有金属和钴的兼容性的消除后残留物
公开(公告)号：KR1020170027787A
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020177002111
申请日：2015-06-24
申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.
发明人： 송링얀 , 리피스티븐 , 쿠퍼엠마누엘아이
IPC分类号： C11D11/00 , C11D1/66 , C11D3/00 , C11D3/43 , C09K13/08 , C23F11/14
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/08 , C11D1/008 , C11D1/667 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/245 , C11D3/30 , C11D3/361 , C11D3/3707 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/28 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , C09K13/08 , C11D1/662 , C11D3/0073 , C23F11/149 , H01L21/3065
摘要： 상부에플라즈마에치후잔류물을갖는마이크로전자장치로부터상기잔류물을세정하기위한세정조성물및 방법을제공한다. 조성물은마이크로전자장치상에또한존재하는레벨간유전체, 금속상호접속재료및/또는캡핑층을손상시키지않는동시에, 마이크로전자장치로부터티타늄-함유, 구리-함유, 텅스텐-함유, 및/또는코발트-함유에치후잔류물을비롯한잔류물재료를상당히효과적으로세정한다.
摘要翻译：用于从其上具有所述残余物的微电子器件清洁后等离子体蚀刻残留物的清洁组合物和方法。该组合物可实现对来自微电子器件的残余物质（包括含钛，含铜，含钨和/或含钴）蚀刻后残留物的高效清洁，同时不损坏层间电介质，金属互连材料，和/或也存在于其上的封盖层。

5. 发明授权

KR101696711B1 티타늄 니트라이드 하드 마스크 및 에칭 잔류물 제거를 위한 조성물 有权
标题翻译：氮化钛硬化掩模和蚀刻残留物去除组合物
公开(公告)号：KR101696711B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020140183441
申请日：2014-12-18
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 카스틸,주니어,윌리엄잭 , 이나오카,세이지 , 라오,마드우카르바스카라 , 로스,브렌다파이예 , 리,이-치아 , 리우,웬다르 , 첸,티아니우
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08 , C23F1/14 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144
摘要： 티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고에칭잔류물을제거하기위한본 발명의수성조성물은용매, 약하게배위된음이온, 아민, 및미량의둘 이상의비-산화성금속이온을포함하는낮은 pH의수성조성물이다. 본발명의수성조성물은비-대기산화제를함유하지않으며, 공기에노출된다. 바이플루오라이드, 또는금속부식억제제가수성조성물에첨가될수 있다. 본발명의시스템및 방법에는티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 하드마스크를스트립핑하고티타늄니트라이드(TiN 또는 TiNxOy) 에칭잔류물을제거하기위한수성조성물이사용된다.
摘要翻译：用于汽提氮化钛（TiN或TiN x O y）硬掩模和去除蚀刻残渣的水性组合物是包含溶剂，弱配位阴离子，胺和至少两种非氧化痕量金属离子的低pH水性组合物。含水组合物不含非环境氧化剂，并暴露于空气中。可以将氟化物或金属腐蚀抑制剂加入含水组合物中。系统和方法使用水性组合物来剥离氮化钛（TiN或TiN x O y）硬掩模并除去氮化钛（TiN或TiN x O y）蚀刻残余物。

6. 发明授权

KR101687767B1 폴리 실리콘 웨이퍼 텍스처링 첨가제 및 그 사용 방법 有权
标题翻译：用于制备多晶硅芯片的添加剂及其使用方法
公开(公告)号：KR101687767B1
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020147030500
申请日：2013-12-17
申请人： 창쩌우 스추앙 에너지 테크놀로지 리미티드 코포레이션
发明人： 후리밍 , 장유안유안
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , C09K13/08 , H01L21/30604 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
摘要： 본발명에서는폴리실리콘웨이퍼텍스처링첨가제를제공한다. 본발명에서는또한폴리실리콘웨이퍼텍스처링의텍스처링용액을제공하는바, 여기에는산성용액과상기폴리실리콘웨이퍼텍스처링첨가제가포함된다. 본발명에서는또한폴리실리콘웨이퍼의텍스처링방법을제공하는바, 상기텍스처링용액을이용하여폴리실리콘웨이퍼에대하여표면텍스처링을진행하는것이다. 상기폴리실리콘웨이퍼텍스처링첨가제는폴리실리콘웨이퍼의텍스처링면의제작에이용되는바, 균일성이좋고결정입자사이에선명한색상차이가존재하지않는미세피트형의미세구조텍스처링면을얻을수 있어반사율을낮출수 있고, 검은선의발생수량을효과적으로감소시킬수 있으며; 상기폴리실리콘웨이퍼텍스처링첨가제는반응매커니즘을개변시키고반응속도를제어하여, 텍스처링이실온에가까운조건하에서진행될수 있도록하여온도제어원가를크게낮추며; 또한롤러자욱을효과적으로제거할수 있어실리콘웨이퍼로하여금더욱깨끗하도록함으로써, 후속공정에더욱적합하도록하고전지의성능을더욱안정되도록한다.
摘要翻译：本发明公开了一种用于在多晶硅芯片上制备绒面革的添加剂。本发明还提供了一种用于在多晶硅芯片上制备绒面革的麂皮制备液，包括：酸溶液和上述用于在多晶硅芯片上制备绒面革的添加剂。本发明还提供了一种在多晶硅芯片上制备绒面革的方法，通过使用在上述绒面革制备液体的多晶硅片的表面上可以制备麂皮绒。通过在多晶硅芯片上制备麂皮的多晶硅芯片上制备麂皮的添加剂，可以获得具有优异的均匀性和晶粒之间明显的色差的微孔状微结构绒面革以降低反射率和有效减少黑线数量; 通过改变反应机理和控制反应速度，本文公开的多晶硅芯片上制备麂皮的添加剂能够在室温下制备麂皮绒，从而大大降低了温度控制成本，此外，辊印痕被有效地去除，因此，硅片更清晰，可以与后续工艺相匹配，以达到稳定的电池性能。

7. 发明公开

KR1020160117361A 질화티탄 하드 마스크의 선택적 제거 및 에치 잔류물 제거 无效
标题翻译：选择性地去除氮化钛硬掩模和去除残留物
公开(公告)号：KR1020160117361A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020160039195
申请日：2016-03-31
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 캐스틸,윌리엄잭,주니어 , 이나오카,세이지 , 리우,웬다르 , 첸,티안니우
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/311 , C09K13/06
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , C09K13/08 , C09K13/06 , H01L21/02041 , H01L21/0206
摘要： 질화티탄하드마스크를박리하고질화티탄에치잔류물을제거하기위한포뮬레이션은아민염 완충제, 비-주변산화제(non-ambient oxidizer)를포함하며, 잔부는물, 및디메틸설폰, 락트산, 글리콜, 및설폴란, 설폭사이드, 니트릴, 포름아미드및 피롤리돈을포함하지만이로제한되지않는극성비양성자성용매로이루어진군으로부터선택된비수액체담체(non-water liquid carrier)를포함한다. 포뮬레이션은 pH

8. 发明公开

KR1020160112473A 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示器阵列的组成和制造方法
公开(公告)号：KR1020160112473A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038248
申请日：2015-03-19
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 양규형 , 이현규 , 정성민
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/30604
摘要： 본발명은식각액조성물및 액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及具有增加铜的容量的蚀刻剂组合物以及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法。蚀刻剂组合物包含：5〜25重量％的过氧化氢; 0.01〜3.0重量％的含氟化合物; 0.1〜3.0重量％的唑类化合物; 0.5〜3.0重量％的氯盐; 1.0〜3.0重量％的螯合剂; 1.0〜3.0重量％的过氧化氢稳定剂; 和剩余的水，相对于组合物的总重量百分比。

9. 发明公开

KR1020160112472A 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示器阵列的组成和制造方法
公开(公告)号：KR1020160112472A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038247
申请日：2015-03-19
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 정성민 , 김련탁 , 양규형
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , G02F1/1333 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , G02F1/1333 , H01L21/30604
摘要： 본발명은식각액조성물및 액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及具有增加铜的容量的蚀刻剂组合物以及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法。蚀刻剂组合物包含：5〜25重量％的过氧化氢; 0.01〜3.0重量％的含氟化合物; 0.1〜3.0重量％的唑类化合物; 0.1〜3.0重量％的有机过氧化物; 1.0〜3.0重量％的螯合剂; 1.0〜3.0重量％的过氧化氢稳定剂; 和剩余的水，相对于组合物的总重量百分比。

10. 发明公开

KR1020160112470A 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：液晶显示器阵列的组成和制造方法
公开(公告)号：KR1020160112470A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150038245
申请日：2015-03-19
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 정경섭 , 박용운
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/30604
摘要： 본발명은식각액조성물및 액정표시장치용어레이기판의제조방법에관한것이다. 본발명의식각액조성물은액정표시장치용어레이기판의제조시, 구리계금속막을일괄적으로식각할수 있으며, 식각프로파일이우수하면서도테이퍼앵글변화량이 ±5°이내인것이특징이다.
摘要翻译：本发明涉及一种蚀刻剂组合物，以及一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法。根据本发明，蚀刻剂组合物仅在制造用于液晶显示装置的阵列基板时均匀地蚀刻铜基金属膜，并且在具有优异的蚀刻轮廓的同时具有5°以内的锥角变化。蚀刻剂组合物包含过氧化氢，氟化合物，唑化合物，分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物，酒石酸，磷酸酯化合物，多价醇型表面活性剂，硫酸盐化合物和水。

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