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1. 发明授权

KR101872053B1 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101872053B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020137033375
申请日：2012-06-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이와사키마사히데
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32201 , H01J37/32211 , H01J37/3222
摘要： RF 바이어스용고주파를인가하기위한급전봉과, 상기급전봉의상단에서셉터를접속하고, 하단에매칭유닛내의정합기의고주파출력단자를접속하며, 급전봉을내부도체로하여그 주위를둘러싸는원통형의외부도체를설치하고, 동축선로를형성한마이크로파플라즈마처리장치에있어서, 상기동축선로에는, 챔버내의플라즈마생성공간으로부터선로내에들어간원하지않는마이크로파의공간전파를차단하기위한쵸크기구를설치하고, 마이크로파의 RF 급전라인에대한누설을라인도중에서차단하여마이크로파누설장애를방지한다.

2. 发明授权

KR101837884B1 전력 균일성이 개선된 마이크로파 플라즈마 인가기 有权
标题翻译：微波等离子体涂药器具有改进的功率均匀
公开(公告)号：KR101837884B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020167029541
申请日：2015-03-19
申请人： 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드
发明人： 첸,싱 , 지,쳉시앙 , 매든,에린 , 포키도브,일리아 , 웬젤,케빈,더블유.
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H05H2001/4622
摘要： 플라즈마발생장치는, 플라즈마방전관, 및플라즈마방전관의외면둘레에나선형으로권취된전도성코일을포함한다. 도파관은, 플라즈마가플라즈마방전관에서발생하게끔마이크로파에너지를플라즈마방전관내로유도하도록플라즈마방전관을둘러싸는마이크로파캐비티에결합된다. 도파관은, 마이크로파에너지의전계가플라즈마방전관의길이방향축선에대하여소정의각도로배향되도록위치한다. 그결과, 전도성코일에유도되는전류는플라즈마방전관에서의전력흡수에영향을끼치고, 소정의각도는, 플라즈마방전관에서의전력흡수가플라즈마방전관의길이방향축선에대한소정의프로파일에따르도록선택가능하다.
摘要翻译：等离子体产生装置包括等离子体放电管和螺旋缠绕在等离子体放电管的外表面上的导电线圈。波导耦合到围绕等离子体放电管的微波腔，以将微波能量引导到等离子体放电管中，使得等离子体在等离子体放电管中产生。波导被定位成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵向轴线以预定角度定向。其结果是，在所述导电线圈中感应的电流是影响功率吸收eseoui等离子体放电管，以预定的角度是，功率吸收eseoui等离子体放电管可以选择遵循预定轮廓的等离子体放电管的纵向轴线。

3. 发明授权

KR101826642B1 드라이 에칭 방법 有权
标题翻译：干法蚀刻法
公开(公告)号：KR101826642B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR1020160102185
申请日：2016-08-11
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 션제 , 오노데츠오 , 야스나미히사오
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01L21/02532
摘要： 본발명은, Si층과 SiGe층이번갈아적층된적층막의상기 SiGe층을상기 Si층에대하여선택적으로등방성의에칭을하는드라이에칭방법에있어서, NF가스와 N가스의혼합가스에의해생성되어펄스변조된고주파전력에의해생성된플라즈마를이용함과함께상기적층막이배치된시료가재치된시료대에 0W의고주파바이어스를인가하면서상기 SiGe층을플라즈마에칭하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于选择性各向同性蚀刻的干蚀刻方法相对于该Si层的SiGe层和SiGe层交替层叠的多层膜的Si层是由NF气体和N 2气体脉冲的混合气体产生的并用利用由施加到0W的高频偏压上设置层叠膜被安装以上的样品的阶段调制的高频功率产生等离子体的特征在于，所提到的SiGe层，以形成等离子体。

4. 发明公开

KR1020140117630A 마이크로파 방사 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 표면파 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：微波排放机理，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020140117630A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020147023798
申请日：2012-12-14
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이케다다로 , 미야시타히로유키 , 오사다유키 , 후지노유타카 , 고마츠도모히토
IPC分类号： H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463 , H01J37/3244
摘要： 마이크로파 방사 기구(43)는, 마이크로파를 전송하는 전송로(44)와, 마이크로파 전송로(44)를 통해 전송되어 온 마이크로파를 챔버(1) 내에 방사하는 안테나부(45)를 갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를 방사하는 슬롯(131)이 형성된 안테나(81)와, 안테나(81)로부터 방사된 마이크로파를 투과시키고, 그 표면에 표면파가 형성되는 유전체 부재(110b)를 갖고, 또한, 적어도 슬롯(131) 내벽 및 유전체 부재(110b)의 표면 및 내부를 포함하는, 표면 전류 및 변위 전류가 흐르는 폐회로(C)를 갖고, 폐회로(C)의 길이가, 마이크로파의 파장을 λ
0 으로 한 경우에, nλ
0 ±δ(n은 양의 정수, δ는 미세 조정 성분(0을 포함한다)이다)가 되도록 한다.
摘要翻译：微波发射机构包括：传输微波的传输路径; 以及天线部分，其将通过传输路径传输的微波发射到室中。天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线，从天线发射的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。表面波形成在电介质构件的表面中。闭路至少具有：槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。当微波的波长为λ0时，闭路电路的长度为nλ0±δ，其中n为正整数，δ为包括0的微调组件。

5. 发明公开

KR1020140092609A 마이크로파 플라즈마 반응기 有权
标题翻译：微波等离子体反应器
公开(公告)号：KR1020140092609A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020130004865
申请日：2013-01-16
申请人： 주식회사 아이브이웍스
发明人： 오재응
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32311 , H05H1/46 , H05H2001/4622
摘要： Disclosed is a microwave plasma reactor including: a microwave generation unit which generates microwaves; a wave guide pipe which receives and outputs the generated microwaves by being connected to the microwave generation unit; and a reaction unit in which plasma is generated from reaction gas by the outputted microwaves.
摘要翻译：公开了一种微波等离子体反应器，包括：产生微波的微波产生单元; 波导管，其通过连接到所述微波产生单元接收并输出所产生的微波; 以及其中由输出的微波从反应气体产生等离子体的反应单元。

6. 发明公开

KR1020110088021A 상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관 有权
标题翻译：大气等离子体设备和波导相同
公开(公告)号：KR1020110088021A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020100007725
申请日：2010-01-28
申请人： (주)트리플코어스코리아
发明人： 김익년 , 장홍기 , 지영연
IPC分类号： H05H1/24 , C23C16/50
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32201 , H05H1/46 , H05H2001/4622
摘要： PURPOSE: An atmospheric pressure plasma apparatus and a waveguide therefor are provided to achieve an effect which stably maintains generated plasma and a convergence effect which is applied through a waveguide having a height difference of more than 2. CONSTITUTION: An oscillator supplies electro-magnetic waves to a first high height part(210). A first tapered part(220) is connected with the end part of the first high height part. A second high height part(230) is connected with the end part of the first tapered part. A second tapered part(240) is connected with the end part of the second high height part. A low height part(250) is connected with the end part of the second tapered part.
摘要翻译：目的：提供一种大气压等离子体装置及其波导，以实现稳定地维持产生的等离子体的效果和通过高度差大于2的波导应用的会聚效应。构成：振荡器提供电磁波到第一高高度部分（210）。第一锥形部分（220）与第一高高度部分的端部连接。第二高高度部分（230）与第一锥形部分的端部连接。第二锥形部分（240）与第二高高度部分的端部连接。低高度部分（250）与第二锥形部分的端部连接。

7. 发明公开

KR1020100133056A 빔 플럭스 및 수송효율이 향상된 중성입자빔 생성장치 및 생성 방법 有权
标题翻译：中性粒子束生成装置和具有增加的中性粒子通量和运输的方法
公开(公告)号：KR1020100133056A
公开(公告)日：2010-12-21
申请号：KR1020090051750
申请日：2009-06-11
申请人： 한국기초과학지원연구원
发明人： 유석재 , 김성봉 , 김대철
IPC分类号： H05H3/00 , H05H3/06
CPC分类号： H05H3/06 , C23C16/50 , H01J37/32201 , H01J37/32532 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32678 , H01J2237/332 , H05H1/46 , H05H2001/4607
摘要： PURPOSE: A beam flux, a neutral particle beam generation device thereof, and a method thereof are provided to obtain a high flux neutral particle beam by generating high density plasma. CONSTITUTION: A plasma chamber(100) offers a plasma discharge space which generates plasma. A neutralizing reflecting plate(110) converts plasma ion to a neutral particle. A limiter(300) restricts the plasma ion and electrons except for the neutral particles in the plasma discharge space. A magnetic structure forms a racetrack structure magnetic field inside the plasma discharge space. A magnet cover(220) improve the intensity of the magnetic field by covering the magnetic structure. A microwave irradiation device(120) irradiates a microwave to the plasma discharge space. A processing chamber(400) comprises a substrate mounting table in order to execute a deposition process.
摘要翻译：目的：提供一种束通量，中性粒子束产生装置及其方法，以通过产生高密度等离子体获得高通量中性粒子束。构成：等离子体室（100）提供产生等离子体的等离子体放电空间。中和反射板（110）将等离子体离子转换成中性粒子。限制器（300）限制等离子体离子和电子，除了等离子体放电空间中的中性粒子。磁性结构在等离子体放电空间内形成跑道结构磁场。磁体盖（220）通过覆盖磁结构来改善磁场的强度。微波照射装置（120）向等离子体放电空间照射微波。处理室（400）包括用于执行沉积工艺的衬底安装台。

8. 发明公开

KR1020050115954A 마이크로웨이브를 이용한 기판 표면처리 및 박막형성장치 失效
标题翻译：使用微波形成薄膜和处理基板表面的设备
公开(公告)号：KR1020050115954A
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：KR1020040040697
申请日：2004-06-04
申请人： 박상원 , 정윤식 , 박장식
发明人： 박상원 , 박장식 , 정윤식 , 안원술 , 김성국 , 이용길 , 김태우 , 정원상
IPC分类号： H01L21/363
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32201
摘要： 본 발명은 마그네트론의 안테너 주위와 기판 주위에 유도코일을 형성함으로써, 낮은 압력상태에서도 기판의 표면처리가 이루어질 수 있도록 하고, 타켓트 입자가 기판 주위의 플라즈마에 의해 이온화되어 기판에 입사되게 하되, 상기 표면처리과정과 박막성막과정이 연속하여 이루어질 수 있도록 한다.
진공 챔버 내부에 진공상태를 유지하여 기판을 밀폐된 상태에서 마이크로웨이브에 노출시켜 표면처리하고, 성막공정을 수행하는 장치에 있어서, 마이크로웨이브를 방사하는 마그네트론과 마그네트론 안테너 주위에, RF 전원을 인가하여 기판의 표면처리를 할 수 있도록 유도코일을 형성하는 수단; 마이너스 바이어스가 인가된 기판 홀더에 기판을 형성하고, 상기 기판 주위에는 유도코일을 형성하는 수단; 타켓트가 부착된 백킹플레이트 하단에 자기회로를 형성하여 상기 타켓트에 인가된 전원에 의해 발생되는 플라즈마 상태를 형성하는 수단; 진공 배기를 하는 로터리펌프와 터보 펌프를 구성하고, 진공 챔버 내에 알곤가스, 산소가스 및 X가스를 공급하는 알곤가스봄베, 산소가스봄베 및 X가스봄베를 구성하는 수단;으로 이루어지는 마이크로웨이브를 이용한 기판 표면처리 및 박막형성장치에 관한 것이다.

9. 发明公开

KR20180045819A 플라즈마 처리 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20180045819A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：KR20170138099
申请日：2017-10-24
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32201 , H01J37/32192 , H01J37/32302 , H01J37/3244
摘要： (과제) 처리가스를가스의특성에따른적절한해리상태에서해리시킬수 있고, 또한, 플라즈마밀도를유지하면서, 처리가스의도입균일성및 소망하는플라즈마균일성을양립시킬수 있는플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치는, 챔버와, 웨이퍼를탑재하는탑재대와, 챔버의천벽(10a)을사이에두고챔버내에마이크로파를도입하고, 챔버내에표면파플라즈마를생성하는플라즈마원과, 천벽(10a)으로부터제 1 가스를챔버내에공급하는제 1 가스샤워부(21)와, 천벽(10a)과탑재대의사이로부터제 2 가스를챔버내에도입하는제 2 가스샤워부(22)를구비하고, 제 2 가스샤워부(22)는, 천벽(10a)으로부터탑재대의방향으로연장되고, 동일원주상에등간격으로배치된복수의노즐(110)을갖고, 복수의노즐(110)은각각, 인접하는노즐(110)을향해서제 2 가스를토출한다.

10. 发明公开

KR1020170026384A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020170026384A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020167036263
申请日：2015-06-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 구보타신지 , 이치카와유스케
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01J37/32247 , H01L21/02315 , H01L21/31
摘要： 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 배치대와, 가스공급기구와, 플라즈마생성기구와, 조정부를구비한다. 배치대는, 처리용기의내부에마련되고, 피처리체가배치된다. 가스공급기구는, 플라즈마반응에이용되는처리가스를처리용기의내부에공급한다. 플라즈마생성기구는, 마이크로파발진기를포함하고, 그마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파를이용하여, 처리용기의내부에공급된처리가스를플라즈마화한다. 조정부는, 피처리체를플라즈마처리하기위한복수의단계의각각이실행되는경우에, 복수의단계의각각이전환되는타이밍에, 마이크로파발진기에의해발진되는마이크로파의주파수를단계마다미리정해진목표주파수로조정한다.
摘要翻译：该等离子体处理装置设置有处理容器，放置台，气体供给机构，等离子体生成机构和调整单元。放置台设置在处理容器中，待处理对象放置在放置台上。气体供给机构向处理容器的内部供给处理气体，所述处理气体用于等离子体反应的目的。等离子体产生机构包括微波振荡器，并且使用通过微波振荡器振荡的微波将提供给处理容器内部的处理气体带入等离子体状态。在进行用于等离子体处理对象的多个步骤的情况下，调整单元在通过微波振荡器将要振荡的微波的频率切换到各步骤的预定频率的同时，调整步骤的定时。

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