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1. 发明公开

KR1020160094867A 3-5족-반도체 층을 증착하기 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于沉积III-V-半导体层的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160094867A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020160011264
申请日：2016-01-29
申请人： 아익스트론 에스이
发明人： 도이펠,마르쿠스 , 콜베르크,마르셀 , 루다와이비트,프란시스코
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/54 , H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/455 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 본발명은, 공정챔버(1), 공정챔버(1)의바닥을형성하고하나또는다수의코팅될기판을수용하기위한서셉터(2)(susceptor), 서셉터(2)를공정온도까지가열하기위한가열장치(3), 및수소화물및 MO-화합물을공정챔버(1) 내부로도입하기위한하나이상의제1 및제2 공정가스-유입구역(5, 6, 7)을구비하는가스유입기관(4)을갖춘, 3-5족-반도체층을증착하기위한장치에관한것이다. 에칭가스유입구(9)가수소화물및 MO-화합물의유동방향(23)으로볼 때공정가스-유입구역(5, 6, 7)의하류에서공정챔버(1) 내부와통하는것이제안되며, 이경우에는, 공정가스-유입구역(5, 6, 7)으로부터배출되는공정가스가반도체층을증착할때에에칭가스유입구(9)로유입될수 없도록그리고공정챔버를세척할때에에칭가스유입구(9)로부터배출되는에칭가스가공정가스-유입구역(5, 6, 7)으로유입될수 없도록제어장치(22)가설계되어있고, 공정가스-유입구역(5, 6, 7) 및에칭가스유입구(9)가또한이러한방식으로배치되어있다. 에칭가스유입구(9)는가스유입기관(4) 둘레를덮는공정챔버덮개의환상구역에의해서그리고덮개플레이트(25)를고정하기위한환상의고정요소(8)에의해서형성되어있다.
摘要翻译：本发明涉及沉积3-5组半导体层的器件，其包括：处理室（1）; 形成处理室的底板并存储一个或多个待涂覆的基板的感受器（2）加热装置（3）将基座（2）加热到加工温度; 以及包括第一和第二工艺气体流入区域（5,6,7）以将氢化物和MO化合物引入处理室（1）的气体流入管道（4）。蚀刻气体入口（9）在处理气体流入区域（5,6,7）的下游处在氢化物和MO-化合物的流动方向（23）处连接到处理室的内部。在这种情况下，控制装置（22）被设计成防止当沉积半导体层时从工艺气体流入区域（5,6,7）排出的处理气体流入蚀刻气体入口（9）以防止在处理室被清洁时从蚀刻气体入口（9）排出的蚀刻气体流入工艺气体流入区域（5,6,7）。工艺气体流入区域（5,6,7）和蚀刻气体入口（9）通过相同的方法布置。蚀刻气体入口（9）由覆盖气体流入发动机的边缘的处理室盖的环形区域和固定盖板（25）的环形固定部件（8）形成。

2. 发明授权

KR101770577B1 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ＣＶＤ 반응기 有权
标题翻译：一种CVD反应器，具有放置在包括多个区域的气垫上的衬底支架
公开(公告)号：KR101770577B1
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020127012630
申请日：2010-10-08
申请人： 아익스트론 에스이
发明人： 루다와이비트,프란시스코 , 캐펠러,요하네스
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/481
摘要： 본발명은프로세스챔버(23) 및상기프로세스챔버내에배치되고하나이상의베어링면(4)을포함하는기판홀더지지체(1)를구비한 CVD-반응기에관한것으로서, 이경우에는복수의가스유입라인(7, 8)이베어링면(4')으로통한다. 또한, 상기 CVD-반응기는그 후면이상기베어링면(4') 쪽을향하는기판홀더(2)를구비하며, 이경우상기가스유입라인들(7, 8)을통해베어링면(4')과후면사이에있는공간으로보내어진가스들은상기기판홀더(2)를지지하는가스쿠션(19)을형성한다. 본발명에따르면, 상기가스쿠션은각각할당된가스유입라인(7, 8)을통해개별적으로공급될수 있는복수의구역(A, C)을포함하고, 상기구역들은구역들(A, C) 간의가스교환을저지하는수단들(15)에의해서로분리되어있다. 하나이상의내부구역(C)에는가스배출라인(13, 14)이할당되어있고, 상기가스배출라인을통해서는상기유입라인(7, 8)을거쳐상기내부구역(C)으로공급된가스가배출될수 있다. 상기구역들에는상이한열 전도성을갖는가스들이공급된다.
摘要翻译：本发明涉及一种设置在处理室23配备有衬底保持器支撑体（1）一反应器的CVD和处理室包括至少一个支承表面4，在此情况下，多个气体入口管线（7 ，8连接到支承表面4'。另外，它的后轴承表面之间的移相器的CVD反应器（4“）通过气体入口管线面向基板保持架（2），并且具有，在这种情况下，支承面侧（7,8）（4-a”）和背面送到基板支架2内的空间的气体形成支撑基板支架2的气垫19。根据本发明，该气体缓冲，并包括多个可通过气体入口线分别供给区（A，C）的（7,8）分配给每个区域是之间的区域（A，C）用防止气体交换的手段（15）分开。至少一个内部区（C）中，气体排出管线（13，14）被分配，并且通过所述入口管的气体排气管线（7,8）穿过的内部区域供给的气体排出（C）它可以是。这些区域供应有不同导热率的气体。

3. 发明公开

KR1020120083470A 복수의 구역을 포함하는 가스 쿠션 상에 놓인 기판 홀더를 구비한 ＣＶＤ 반응기 有权
标题翻译：具有基于包含多个区域的气体填充物的基板保持器的CVD反应器
公开(公告)号：KR1020120083470A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：KR1020127012630
申请日：2010-10-08
申请人： 아익스트론 에스이
发明人： 루다와이비트,프란시스코 , 캐펠러,요하네스
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/481 , H01L21/205 , H01L21/0228
摘要： 본 발명은 프로세스 챔버(23) 및 상기 프로세스 챔버 내에 배치되고 하나 이상의 베어링 면(4)을 포함하는 기판 홀더 지지체(1)를 구비한 CVD-반응기에 관한 것으로서, 이 경우에는 복수의 가스 유입 라인(7, 8)이 베어링 면(4')으로 통한다. 또한, 상기 CVD-반응기는 그 후면이 상기 베어링 면(4') 쪽을 향하는 기판 홀더(2)를 구비하며, 이 경우 상기 가스 유입 라인들(7, 8)을 통해 베어링 면(4')과 후면 사이에 있는 공간으로 보내어진 가스들은 상기 기판 홀더(2)를 지지하는 가스 쿠션(19)을 형성한다. 본 발명에 따르면, 상기 가스 쿠션은 각각 할당된 가스 유입 라인(7, 8)을 통해 개별적으로 공급될 수 있는 복수의 구역(A, C)을 포함하고, 상기 구역들은 구역들(A, C) 간의 가스 교환을 저지하는 수단들(15)에 의해 서로 분리되어 있다. 하나 이상의 내부 구역(C)에는 가스 배출 라인(13, 14)이 할당되어 있고, 상기 가스 배출 라인을 통해서는 상기 유입 라인(7, 8)을 거쳐 상기 내부 구역(C)으로 공급된 가스가 배출될 수 있다. 상기 구역들에는 상이한 열 전도성을 갖는 가스들이 공급된다.

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