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1. 发明授权

KR101113878B1 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101113878B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020087030045
申请日：2007-01-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 최재완 , 배덕규 , 조현경 , 박종국 , 김선정 , 이정수
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은수직형발광소자에관한것으로특히, 발광소자의발광효율과신뢰성을향상시키고, 양산성을향상시킬수 있는수직형발광소자및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 기판상에반도체층형성하는단계와; 상기반도체층상에제1전극을형성하는단계와; 상기제1전극상에지지층을형성하는단계와; 상기기판과상기반도체층사이의계면에스트레스성음파의발생시킴으로써상기기판을상기반도체층으로부터분리하는단계와; 상기기판이분리되어드러난반도체층상에제2전극을형성하는단계를포함하여구성되는것이바람직하다.
摘要翻译：这里公开了具有垂直拓扑结构的LED。特别地，提供了具有能够提高发光效率和可靠性的垂直拓扑结构的LED并且还能够实现批量生产率的方法及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层; 在所述半导体层上形成第一电极; 在所述第一电极上形成支撑层; 在衬底和半导体层之间的界面处产生声应力波，从而将衬底与半导体层分离; 以及在通过所述衬底的分离而暴露的所述半导体层上形成第二电极。

2. 发明公开

KR1020070122120A 수직형 발광 다이오드의 제조방법 无效
标题翻译：用于制造垂直型发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020070122120A
公开(公告)日：2007-12-28
申请号：KR1020060093465
申请日：2006-09-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 이정수 , 박종국
IPC分类号： H01L33/12
摘要： A method of manufacturing a vertical light emitting diode is provided to remarkably increase a separation speed of a sapphire substrate by generating an acoustic stress wave between the substrate and a GaN-based layer. A sapphire substrate is separated from GaN-based layers after a conductive support layer is formed. The separation process of the substrate from GaN-based layers is carried out by attaching a vacuum chuck onto the substrate and the conductive support layer and then generating an acoustic stress wave between the sapphire substrate and the GaN-based layers. A contact layer(600) is formed on the GaN-based layers which are physically separated from by the conductive support layer filling a trench. The contact layer has an interface layer(610) directly contacting the GaN-based layers, and a contact pad(620) formed on the interface layer.
摘要翻译：提供一种制造垂直发光二极管的方法，通过在衬底和GaN基层之间产生声应力波来显着增加蓝宝石衬底的分离速度。在形成导电支撑层之后，蓝宝石衬底与GaN基层分离。通过将真空卡盘附着到基板和导电支撑层上，然后在蓝宝石基板和GaN基层之间产生声应力波来进行基板与GaN基层的分离处理。在GaN基层上形成接触层（600），其与填充沟槽的导电支撑层物理分离。接触层具有直接接触GaN基层的界面层（610）和形成在界面层上的接触焊盘（620）。

3. 发明公开

KR1020090012268A 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090012268A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020087030045
申请日：2007-01-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 최재완 , 배덕규 , 조현경 , 박종국 , 김선정 , 이정수
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： A vertical type emitting device and the manufacturing method thereof are provided to improve the productivity and the separation yield by performing efficiently the process of separating the semiconductor layer of the vertical type emitting device. The semiconductor layer is formed in the top of the substrate. The first electrode(410) is formed on the semiconductor layer. The support layer is formed on the first electrode. The substrate is separated from the semiconductor layer by generating the stress sound wave in the interface between the semiconductor layer and the substrate. The second electrode is formed on the semiconductor layer. The chip separation region of the semiconductor layer is etched to form a trench between the process of forming the semiconductor layer and the process of forming the first electrode and the process.
摘要翻译：提供了一种垂直型发射器件及其制造方法，其通过有效地执行垂直型发射器件的半导体层的分离工艺来提高生产率和分离产率。半导体层形成在基板的顶部。第一电极（410）形成在半导体层上。支撑层形成在第一电极上。通过在半导体层和衬底之间的界面中产生应力声波，将衬底与半导体层分离。第二电极形成在半导体层上。蚀刻半导体层的芯片分离区域，以在形成半导体层的工艺和形成第一电极的工艺和工艺之间形成沟槽。

4. 发明公开

KR1020180082893A 윈도우 블라인드 有权
公开(公告)号：KR1020180082893A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：KR1020170004346
申请日：2017-01-11
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 천현석 , 윤원기 , 김정식 , 신준오 , 이정수
IPC分类号： E06B9/28 , E06B9/386 , E06B9/24 , H01L31/042 , H02S20/00
CPC分类号： F24S20/63 , E06B9/264 , E06B2009/2476 , F24S2020/11 , F24S2020/14 , F24S2020/183 , H02S20/26 , H02S30/20 , H02S40/34 , H02S40/36 , Y02B10/14
摘要： 본발명의윈도우블라인드는, 볼록한곡면을구비하는슬랫; 및태양전지들을구비하고, 상기슬랫의볼록한곡면에부착되는태양전지모듈을포함하고, 상기태양전지들이상기볼록한곡면에부착가능하도록, 상기태양전지들의캐리어생성부는휘어짐가능한박막 -Ⅴ족화합물반도체로이루어지며, 상기태양전지모듈의세로방향곡면길이는상기슬랫의세로방향곡면길이의절반이상이고, 상기태양전지모듈은상기슬랫의가로방향중심선을기준으로일측으로편심되게배치된다.

5. 发明公开

KR1020170067137A 암 진단용 miRNA 바이오마커 발굴 방법 및 그 이용 审中-实审
标题翻译：如何找到用于癌症诊断及其应用的miRNA生物标志物
公开(公告)号：KR1020170067137A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020160140322
申请日：2016-10-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 이재훈 , 이창희 , 이정수 , 허지연 , 송시영 , 정다운
IPC分类号： G06F19/18 , G06F19/24 , C12Q1/68
摘要： 본발명은신규한암 진단용 miRNA 바이오마커발굴방법, 상기바이오마커발굴방법을통하여발굴된담도암또는췌장암진단용바이오마커, 상기암 진단용 miRNA 바이오마커발굴방법을통하여발굴된 miRNA 바이오마커의시료중 발현량을신규한 SVM 분류기함수에대입하여 f(x)>0인경우를암으로진단하는단계를포함하는암 진단방법, 상기담도암또는췌장암진단용바이오마커를포함하는담도암또는췌장암진단용키트및 상기암 진단용 miRNA 바이오마커발굴방법을통하여발굴된 miRNA 바이오마커발현량을신규한 SVM 분류기함수에대입하여연산한결과 f(x)>0인경우를암으로진단하는프로세스를수행하는것인컴퓨팅장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明的新的诊断河南miRNA的生物标志物发现方法的样品的表达水平，通过生物标志物发现方法或胰腺癌的诊断生物标志物，所述癌症诊断生物标志物的miRNA胆管癌挖掘与miRNA生物标志物发现通过挖掘方法通过替换新的SVM分类器函数f（x）> 0 ANN用于右癌症诊断方法包括诊断癌症，胆管癌或胆道癌或含有胰腺癌诊断试剂盒的胰腺癌诊断的生物标志物和癌症诊断的步骤代所述miRNA生物标志物发现的方法通过新颖的分类功能操作所挖掘的miRNA生物标志物表达水平SVM涉及F（X）> 0之后，安进行诊断癌症haneungeot计算装置的权限的处理过程。

6. 发明授权

KR101306736B1 엘이디 조명 장치 有权
标题翻译： LED照明灯
公开(公告)号：KR101306736B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020090024772
申请日：2009-03-24
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 문준권 , 이정수
IPC分类号： F21S2/00 , F21V8/00
摘要： 본 발명은 엘이디 조명 장치에 관한 것이다.
즉, 본 발명의 엘이디 조명 장치는 복수개의 발광 다이오드들이 배열되어 있는 베이스 기판과; 상기 복수개의 발광 다이오드들 중 적어도 하나의 발광 다이오드를 감싸서 광을 스팟(Spot)으로 출사시키는 광가이드부를 포함하여 구성된다.
스팟, 광가이드, 칼라, 백색, 평판, 조명, 반사, 흡수

7. 发明授权

KR101295268B1 조명 장치 有权
标题翻译：照明设备
公开(公告)号：KR101295268B1
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：KR1020110005415
申请日：2011-01-19
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 정연홍 , 이정수 , 유세준 , 김시영
IPC分类号： H05B37/02 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B37/0272 , H05B37/029
摘要： 본 발명은 조명 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 시각적 밝기 지각을 기초로 시각적 명시효과를 높이고, 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 조명 장치에 관한 것이다.

8. 发明公开

KR1020130066657A 이동 단말기 및 그 동작 제어 방법 有权
标题翻译：移动终端和控制其操作的方法
公开(公告)号：KR1020130066657A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020137000617
申请日：2010-09-13
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 이정수 , 최진욱 , 이성원 , 백승천
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H04W12/08 , G06F1/1694 , G06F1/3231 , G06F3/005 , G06F3/013 , H04M1/67 , H04M2250/12 , H04M2250/22 , H04M2250/52 , H04W4/025 , H04W4/50 , H04W4/80 , H04W52/0254 , H04W52/027 , H04W88/02 , Y02D10/173 , Y02D70/1244 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/146 , Y02D70/162 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/168 , Y02D70/20
摘要： PURPOSE: A portable terminal and an operation control method thereof are provided to offer user friendly interface environment by dynamically controlling the interrupt of display or input generated in an interface by recognizing the operation or state of a user. CONSTITUTION: An input unit receives a user input. A screen locking module(200) of a control unit includes an execution control unit(210) and a conversion control unit(220). When the user input is not received, the execution control unit locks a screen. The conversion control unit converts the set time based on an application. [Reference numerals] (200) Screen locking module; (210) Execution control unit; (220) Conversion control unit
摘要翻译：目的：提供便携式终端及其操作控制方法，通过动态地控制在接口中产生的显示或输入的中断，通过识别用户的操作或状态来提供用户友好的界面环境。构成：输入单元接收用户输入。控制单元的屏幕锁定模块（200）包括执行控制单元（210）和转换控制单元（220）。当没有接收到用户输入时，执行控制单元锁定屏幕。转换控制单元基于应用转换设定时间。（附图标记）（200）屏幕锁定模块; （210）执行控制单元; （220）转换控制单元

9. 发明授权

KR101216084B1 조명장치 및 모듈식 조명장치 有权
标题翻译：照明装置和模块式照明装置
公开(公告)号：KR101216084B1
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020100059560
申请日：2010-06-23
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 전용석 , 김용진 , 이정수 , 조영재 , 조문성
IPC分类号： F21V17/12 , F21V29/71 , F21V23/00 , F21V29/74 , F21V29/83 , F21Y105/00
CPC分类号： F21V29/74 , F21S2/005 , F21V15/01 , F21V21/005 , F21V29/51 , F21V29/71 , F21V29/75 , F21V29/763 , F21V29/83 , F21V31/03 , F21W2131/103 , F21Y2115/10
摘要： 본발명은조명장치에관한것이다. 본발명에의한조명장치의일실시예는방열을위해수평방향및 상하방향의에어통로를포함할수 있다. 수평방향뿐만아니라상하방향에대해서도에어통로를구비함으로서방열성능을높일수 있다.
摘要翻译：可以提供一种照明装置，其包括具有发光二极管（LED）的发光二极管（LED），沿着第一轴沿第一方向发光，以及壳体，具有用于支撑该轻构件的基座，并且具有多个散热片其在远离基座的第二方向上延伸。多个孔可以提供空气流。每个孔可以从基座的第一侧到底座的第二侧穿过壳体。每个孔可以对应于两个分开的散热片之间的区域。

10. 发明授权

KR101142228B1 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造高质量GaN衬底的装置和方法
公开(公告)号：KR101142228B1
公开(公告)日：2012-05-07
申请号：KR1020050113075
申请日：2005-11-24
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 박규호 , 권현자 , 이정수
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 질화갈륨(GaN) 기판의 제조에 관한 것으로, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장치에서 질화갈륨 기판을 제조할 때, 직류 전원을 통해 국부적인 온도를 제어할 수 있는 펠티어 소자(Peltier Device)를 이용하여, 챔버 내부를 고온으로 가열시 사파이어 기판을 냉각시키고, 챔버 내부를 상온으로 냉각시 사파이어 기판을 가열시킴으로써, 사파이어(Al
2 O
3 ) 기판과 질화갈륨 기판의 열적 변형력(Thermal Stress)을 줄이고, 휨(Bending) 및 균열(Crack)과 같은 결함 현상을 최소화시키는 효과가 있는 고품질 질화갈륨 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
질화갈륨, 열팽창, 휨, 균열, 고품질, 펠티어소자, 열전소자

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