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1. 发明授权

KR101427875B1 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101427875B1
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020070124414
申请日：2007-12-03
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최정현 , 최재완 , 김두현 , 김재욱 , 강정모
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/02
摘要： 본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 발광 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 수직형 발광 소자의 제조방법에 있어서, 기판 상에 제1전도성 반도체층, 발광층, 및 제2전도성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제2전도성 반도체층 상측의 적어도 일부분에서 폭이 좁아지는 계단 형상을 형성하는 단계와; 상기 제2전도성 반도체층 상에 상기 계단 형상을 덮는 구조로 제1전극을 형성하는 단계와; 제1전극 상에 지지층을 형성하는 단계와; 상기 기판을 분리하는 단계와; 상기 기판을 분리하여 드러난 제1전도성 반도체층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
발광 소자, 수직형, 반도체층, 전극, LED.

2. 发明授权

KR101383358B1 수직형 발광 다이오드 제조방법 有权
标题翻译：用于垂直发光二极管的方法
公开(公告)号：KR101383358B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020070105622
申请日：2007-10-19
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 강정모 , 최재완 , 최정현 , 김두현 , 김재욱
IPC分类号： H01L33/12
摘要： 본 발명에 따른 수직형 발광 다이오드 제조방법은, 기판에 복수의 반도체층을 형성시키는 단계, 기판측으로부터 또는 복수의 반도체층으로부터, 기판과 복수의 반도체층 사이의 계면까지 홈을 형성시키는 단계 및 기판측으로부터 레이저를 조사하여 기판을 복수의 반도체층으로부터 분리하는 단계를 포함하며, 홈은 레이저의 조사 유효면적에 대응되는 영역에 적어도 하나 이상 형성된다.
수직형 발광 다이오드, 레이저 리프트 오프, 미세 홈

3. 发明授权

KR101189164B1 질화물계 발광 소자 및 그 질화물 반도체의 제조방법 有权
标题翻译：氮化物发光器件和氮化物半导体的方法
公开(公告)号：KR101189164B1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020070095287
申请日：2007-09-19
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최재완 , 문용태 , 김진교 , 오태건
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 질화물계 발광 소자 및 그 질화물 반도체의 제조방법에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 제작 공정과 그 특성을 개선할 수 있는 질화물계 발광 소자 및 그 질화물 반도체의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물 반도체의 제조방법에 있어서, 기판 상에 직접 800 내지 1100 ℃의 온도에서 제1전도성 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
LED, 질화물, HVPE, 발광 소자, 반도체.

4. 发明公开

KR1020090057713A 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有纵向拓扑学的发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090057713A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020070124414
申请日：2007-12-03
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최정현 , 최재완 , 김두현 , 김재욱 , 강정모
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/02
摘要： A vertical type light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve a contact characteristic between a semiconductor layer and the metal by increasing a contact area between a semiconductor layer and a support layer. A first conductive semiconductor layer(2), a light emitting layer(3), and a second conductive semiconductor layer(4) are successively formed on the substrate. The step with the width which becomes narrow is formed in at least part of the upper side of the second conductive semiconductor layer. The step is covered by forming a first electrode(5) on the second conducive semiconductor layer. A support layer is formed on the first electrode. The first conductive semiconductor layer is exposed by separating the substrate. A second electrode(9) is formed on the exposed first conductive semiconductor layer.
摘要翻译：提供了垂直型发光器件及其制造方法，以通过增加半导体层和支撑层之间的接触面积来改善半导体层与金属之间的接触特性。在衬底上依次形成第一导电半导体层（2），发光层（3）和第二导电半导体层（4）。在第二导电半导体层的上侧的至少一部分中形成宽度变窄的台阶。通过在第二导电半导体层上形成第一电极（5）来覆盖该步骤。在第一电极上形成支撑层。通过分离衬底来暴露第一导电半导体层。在暴露的第一导电半导体层上形成第二电极（9）。

5. 发明授权

KR100820836B1 발광 다이오드 제조방법 有权
标题翻译：制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR100820836B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020060087872
申请日：2006-09-12
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최재완 , 나종호
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 제 1 기판 상에, GaN이 선택적으로 성장된 제 1 층과 GaN 박막이 성장된 제 2 층을 포함한 제 2 기판을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 기판 상에 질화물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.
따라서, 본 발명에 의하면 발광 다이오드의 질화물 반도체층의 결정 내부에 형성되는 관통 전위가 감소되어 소자 특성이 향상된다.
MBE법, 나노 GaN 기둥, 보조 기판

6. 发明公开

KR1020060087171A 대면적 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：大面积发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060087171A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020050008068
申请日：2005-01-28
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 서정훈 , 최재완
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 본 발명은 대면적 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 복수개의 발광 영역 돌출부들 사이 또는 내부 영역에 있는 메사 식각된 N타입 반도체층의 일부 영역들에 사파이어 기판이 노출되도록 식각된 홈들을 형성하고, 상기 홈들 내부에 반사물질을 채워 광 격리(Optical isolation)부들을 형성함으로써, 광의 전반사로 인해 광이 소자 내부에 갇히는 현상을 줄일 수 있어 발광 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
대면적, 발광다이오드, 광격리, 측벽, 금속

7. 发明授权

KR100604562B1 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100604562B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020050059258
申请日：2005-07-01
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 최재완
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광 다이오드의 측면이 일정 언더컷 각도를 가지며, 사파이어 기판이 레이저 리프트 오프 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 레이저 리프트 오프 공정에 의하여 사파이어 기판을 제거하였기 때문에, 활성층에서 발생한 광이 사파이어 기판 내부에서 전반사되거나 흡수될 염려가 없어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 발광 다이오드의 측면이 전반사 조건을 만족하는 언더컷 각도를 가지기 때문에 발광 다이오드의 활성층에서 생성되어 상기 발광 다이오드의 측면으로 입사하는 광이 전반사되어 발광 다이오드의 측면으로 누설되지 않는다.
발광 다이오드, 광 추출 효율, 언더컷 각도, 레이저 리프트 오프
摘要翻译：本发明是一种发光二极管，并且因为它涉及到制造方法中，所述发光二极管的侧表面具有底切的一定的角度，它是在发光二极管及其制造方法，在蓝宝石基板，其特征在于所述去除通过激光剥离工艺。

8. 发明授权

KR100586609B1 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：制造氮化镓基发光器件的方法
公开(公告)号：KR100586609B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020050001415
申请日：2005-01-06
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 하준석 , 이현재 , 김종욱 , 최재완 , 서정훈
IPC分类号： H01L33/12 , H01L21/301 , H01L21/306
摘要： 본 발명은 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판 상부에 유전체막 패턴을 형성하고, 유전체막 패턴 상부에서 소자를 성장시켜 막질을 우수히 할 수 있고, 유전체막 패턴을 제거한 후, 자외선 조사 및 습식 식각공정을 동시에 수행하여 유전체막 패턴이 형성되지 않은 사파이어 기판과 질화갈륨층의 계면만 분리시키는 것이므로, 종래 기술보다 사파이어 기판을 질화갈륨층에서 보다 쉽게 이탈시킬 수 있는 우수한 효과가 있다.
유전체, 패턴, 질화갈륨, 사파이어, 기판
摘要翻译：本发明涉及一种制造基于氮化镓的发光器件，在蓝宝石基板，上上的介电薄膜图案的方法，并通过在介电层图案生长装置的上方可以woosuhi膜质量，去除所述介电层图案之后，UV 因为该研究和湿的同时进行蚀刻处理，只在电介质膜的蓝宝石衬底和氮化镓层图案的表面不单独形成，所以能够更容易地比在氮化镓层在现有技术退出蓝宝石基板的优异效果。

9. 发明授权

KR101128612B1 발광 소자 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR101128612B1
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020050043604
申请日：2005-05-24
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최재완 , 하준석
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 본 발명은 발광 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상부에 상호 이격되어 형성되며, 제 1 극성(Polarity)층, 활성층과 제 2 극성층으로 이루어진 복수개의 발광 구조물과; 상기 복수개의 발광 구조물 사이에 채워진 절연 물질과; 상기 복수개의 발광 구조물과 절연 물질 상부에 형성된 제 2 전극을 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 마스크 패턴을 이용하여 소자를 형성하고, 탑/다운(Top/down)형 소자를 제조함으로써, 결함밀도를 줄임과 동시에 정전기 방전(Electrostatic discharge) 결함을 줄일 수 있고, 레이저 리트트 오프공정을 수행하지 않고 기판을 제거하여 레이저에 의한 열적에너지 및 열진동으로 크랙과 같은 손상이 발생되지 않아, 소자의 특성을 우수히 할 수 있는 효과가 있다.
발광소자, 절연물질, 기판, 제거, 정전기

10. 发明授权

KR101107346B1 포토레지스트 형성방법 有权
标题翻译：制造光刻胶的方法
公开(公告)号：KR101107346B1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：KR1020050097107
申请日：2005-10-14
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 최재완
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 포토레지스트(Photoresist) 형성방법에 관한 것으로서, 최근, 수직형 발광소자 등의 발전으로 식각 공정의 깊이가 점차 깊어지는 추세와 더불어 식각을 위한 포토레지스트 마스크 층의 두께를 두껍게 형성하는 기술이 요구되고 있는데, 그러한 요구에 부응하기 위해, 포토리소그래피(Photolithography) 공정시 필수적으로 수행되는 베이킹 공정, 특히, 소프트 베이킹(Soft Baking) 시에 포토레지스트가 도포된 기판을 도립(倒立) 시켜두어, 열에 의해 유연해진 포토레지스트가 중력에 의해서 자연적으로 아래로 늘어나며 두께가 두꺼워지도록 하는 포토레지스트 형성방법에 관한 것이다.
포토레지스트, 포토리소그래피, 두께, 패턴, 도립

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