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1. 发明授权

KR101198763B1 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법 有权
标题翻译：后结构和LED使用的结构和方法相同
公开(公告)号：KR101198763B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020060026632
申请日：2006-03-23
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/302
CPC分类号： H01L33/20 , H01L27/1085 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2933/0083
摘要： 본 발명은 미세 기둥 구조 및 그 형성방법에 관한 것으로 특히, 식각을 이용하여 반복적인 구조를 갖는 미세 기둥 구조를 형성할 수 있는 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판 위에 제1물질을 이용하여 단위 패턴을 형성하는 단계와; 상기 단위 패턴이 형성된 기판 위에 습식 식각이 가능한 제2물질을 성장시키는 단계와; 상기 제2물질이 성장된 기판을 습식 식각하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
기둥, 패턴, 식각, 반도체, 메모리.

2. 发明授权

KR101107346B1 포토레지스트 형성방법 有权
标题翻译：制造光刻胶的方法
公开(公告)号：KR101107346B1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：KR1020050097107
申请日：2005-10-14
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 최재완
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 포토레지스트(Photoresist) 형성방법에 관한 것으로서, 최근, 수직형 발광소자 등의 발전으로 식각 공정의 깊이가 점차 깊어지는 추세와 더불어 식각을 위한 포토레지스트 마스크 층의 두께를 두껍게 형성하는 기술이 요구되고 있는데, 그러한 요구에 부응하기 위해, 포토리소그래피(Photolithography) 공정시 필수적으로 수행되는 베이킹 공정, 특히, 소프트 베이킹(Soft Baking) 시에 포토레지스트가 도포된 기판을 도립(倒立) 시켜두어, 열에 의해 유연해진 포토레지스트가 중력에 의해서 자연적으로 아래로 늘어나며 두께가 두꺼워지도록 하는 포토레지스트 형성방법에 관한 것이다.
포토레지스트, 포토리소그래피, 두께, 패턴, 도립

3. 发明公开

KR1020090012268A 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090012268A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020087030045
申请日：2007-01-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 최재완 , 배덕규 , 조현경 , 박종국 , 김선정 , 이정수
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： A vertical type emitting device and the manufacturing method thereof are provided to improve the productivity and the separation yield by performing efficiently the process of separating the semiconductor layer of the vertical type emitting device. The semiconductor layer is formed in the top of the substrate. The first electrode(410) is formed on the semiconductor layer. The support layer is formed on the first electrode. The substrate is separated from the semiconductor layer by generating the stress sound wave in the interface between the semiconductor layer and the substrate. The second electrode is formed on the semiconductor layer. The chip separation region of the semiconductor layer is etched to form a trench between the process of forming the semiconductor layer and the process of forming the first electrode and the process.
摘要翻译：提供了一种垂直型发射器件及其制造方法，其通过有效地执行垂直型发射器件的半导体层的分离工艺来提高生产率和分离产率。半导体层形成在基板的顶部。第一电极（410）形成在半导体层上。支撑层形成在第一电极上。通过在半导体层和衬底之间的界面中产生应力声波，将衬底与半导体层分离。第二电极形成在半导体层上。蚀刻半导体层的芯片分离区域，以在形成半导体层的工艺和形成第一电极的工艺和工艺之间形成沟槽。

4. 发明公开

KR1020070096359A 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법 有权
标题翻译：后结构和LED使用结构及其制作方法
公开(公告)号：KR1020070096359A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060026632
申请日：2006-03-23
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/302
CPC分类号： H01L33/20 , H01L27/1085 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L2933/0083
摘要： A method for forming a pillar structure is provided to obtain a pillar structure of various types by varying the interval and arrangement of a pattern. A first material is formed on a substrate(10) to form a unit pattern. A second material(30) capable of being wet-etched is grown on the substrate including the unit pattern. The substrate having the grown second material is wet-etched. The process for forming the unit pattern includes the following steps. A first material layer is formed on the substrate. The first material layer is etched to form the unit pattern. The first material can be the same material as that of the substrate.
摘要翻译：提供一种用于形成柱状结构的方法，通过改变图案的间隔和排列来获得各种类型的柱状结构。在基板（10）上形成第一材料以形成单位图案。在包括单元图案的基板上生长能够被湿蚀刻的第二材料（30）。具有生长的第二材料的衬底被湿蚀刻。形成单元图案的过程包括以下步骤。在基板上形成第一材料层。第一材料层被蚀刻以形成单元图案。第一种材料可以是与基材相同的材料。

5. 发明公开

KR1020070041208A 포토레지스트 형성방법 有权
标题翻译：制作光刻胶的方法
公开(公告)号：KR1020070041208A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050097107
申请日：2005-10-14
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 최재완
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명은 포토레지스트(Photoresist) 형성방법에 관한 것으로서, 최근, 수직형 발광소자 등의 발전으로 식각 공정의 깊이가 점차 깊어지는 추세와 더불어 식각을 위한 포토레지스트 마스크 층의 두께를 두껍게 형성하는 기술이 요구되고 있는데, 그러한 요구에 부응하기 위해, 포토리소그래피(Photolithography) 공정시 필수적으로 수행되는 베이킹 공정, 특히, 소프트 베이킹(Soft Baking) 시에 포토레지스트가 도포된 기판을 도립(倒立) 시켜두어, 열에 의해 유연해진 포토레지스트가 중력에 의해서 자연적으로 아래로 늘어나며 두께가 두꺼워지도록 하는 포토레지스트 형성방법에 관한 것이다.
포토레지스트, 포토리소그래피, 두께, 패턴, 도립

6. 发明授权

KR101371511B1 수직형 발광 소자 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光器件
公开(公告)号：KR101371511B1
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：KR1020070099909
申请日：2007-10-04
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 강봉철
IPC分类号： H01L33/44 , H01L51/50
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/465
摘要： 본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 구조적 안정성과 발광 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 발광 소자에 있어서, 다층 구조의 반도체층과; 적어도 상기 반도체층의 측면에 위치하며, 무기막으로 이루어지는 제1패시베이션층과; 상기 제1패시베이션층 상에 위치하며, 유기막으로 이루어지는 제2패시베이션층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
발광 소자, LED, 패시베이션, 유기막, 무기막.

7. 发明公开

KR1020090034590A 수직형 발광 소자 有权
标题翻译：具有垂直拓扑学的发光装置
公开(公告)号：KR1020090034590A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070099909
申请日：2007-10-04
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 강봉철
IPC分类号： H01L33/44 , H01L51/50
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/465
摘要： A vertical type emitting device has multi-layer structure including the organic film and inorganic film the passivation layer and improves the stability of the structure of the emitting device. The nitride light-emitting device comprises the semiconductor layer of multi-layer, and the first passivation layer(400) and the second passivation layer(500). The first passivation layer is positioned at the side of the semiconductor layer. The first passivation layer is made of the inorganic film. The second passivation layer is located on the surface of the first passivation layer. The metal layer is formed between the first passivation layer and the second passivation layer. The metal layer can be the bond metal layer(600) and/or the reflective electrode.
摘要翻译：垂直型发光器件具有包括有机膜和无机膜的钝化层的多层结构，并且提高了发光器件的结构的稳定性。氮化物发光器件包括多层半导体层和第一钝化层（400）和第二钝化层（500）。第一钝化层位于半导体层的侧面。第一钝化层由无机膜制成。第二钝化层位于第一钝化层的表面上。金属层形成在第一钝化层和第二钝化层之间。金属层可以是键合金属层（600）和/或反射电极。

8. 发明授权

KR100604562B1 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100604562B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020050059258
申请日：2005-07-01
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 배덕규 , 최재완
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광 다이오드의 측면이 일정 언더컷 각도를 가지며, 사파이어 기판이 레이저 리프트 오프 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 레이저 리프트 오프 공정에 의하여 사파이어 기판을 제거하였기 때문에, 활성층에서 발생한 광이 사파이어 기판 내부에서 전반사되거나 흡수될 염려가 없어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 발광 다이오드의 측면이 전반사 조건을 만족하는 언더컷 각도를 가지기 때문에 발광 다이오드의 활성층에서 생성되어 상기 발광 다이오드의 측면으로 입사하는 광이 전반사되어 발광 다이오드의 측면으로 누설되지 않는다.
발광 다이오드, 광 추출 효율, 언더컷 각도, 레이저 리프트 오프
摘要翻译：本发明是一种发光二极管，并且因为它涉及到制造方法中，所述发光二极管的侧表面具有底切的一定的角度，它是在发光二极管及其制造方法，在蓝宝石基板，其特征在于所述去除通过激光剥离工艺。

9. 发明授权

KR101427877B1 질화물계 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101427877B1
公开(公告)日：2014-08-08
申请号：KR1020080009507
申请日：2008-01-30
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 엘지전자 주식회사
发明人： 김선정 , 배덕규
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 발광 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 발광 소자에 있어서, 주 발광면을 가지는 다층 구조의 반도체층과; 상기 주 발광면 상에 위치하는 전극을 포함하여 구성되고, 상기 전극의 면적은 상기 주 발광면의 6.5 내지 9.5%인 것을 특징으로 한다.
발광 소자, 전극, 패드, 발광면, 반도체.

10. 发明授权

KR101113878B1 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101113878B1
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020087030045
申请日：2007-01-26
申请人： 엘지전자 주식회사 , 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장준호 , 최재완 , 배덕규 , 조현경 , 박종국 , 김선정 , 이정수
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0083
摘要： 본발명은수직형발광소자에관한것으로특히, 발광소자의발광효율과신뢰성을향상시키고, 양산성을향상시킬수 있는수직형발광소자및 그제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 기판상에반도체층형성하는단계와; 상기반도체층상에제1전극을형성하는단계와; 상기제1전극상에지지층을형성하는단계와; 상기기판과상기반도체층사이의계면에스트레스성음파의발생시킴으로써상기기판을상기반도체층으로부터분리하는단계와; 상기기판이분리되어드러난반도체층상에제2전극을형성하는단계를포함하여구성되는것이바람직하다.
摘要翻译：这里公开了具有垂直拓扑结构的LED。特别地，提供了具有能够提高发光效率和可靠性的垂直拓扑结构的LED并且还能够实现批量生产率的方法及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层; 在所述半导体层上形成第一电极; 在所述第一电极上形成支撑层; 在衬底和半导体层之间的界面处产生声应力波，从而将衬底与半导体层分离; 以及在通过所述衬底的分离而暴露的所述半导体层上形成第二电极。

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