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1. 发明公开

KR1020140074722A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020140074722A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120142998
申请日：2012-12-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 강동훈 , 박병국 , 손중곤 , 김가람 , 김장현 , 박의환
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： The present invention relates to a semiconductor light emitting device, which comprises a first conductive semiconductor layer; an active layer formed on the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer formed on the active layer and having an upper surface on which at least one groove unit is formed; a transparent electrode layer formed on the second conductive semiconductor layer; and a first electrode and a second electrode electrically connected to the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, wherein the center of the groove unit intersects with a straight line which links the center of the first electrode and the center of the second electrode to improve the current distribution, thereby improving the internal light extraction efficiency.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，其包括第一导电半导体层; 形成在所述第一导电半导体层上的有源层; 形成在所述有源层上并具有上表面的第二导电半导体层，所述上表面上形成有至少一个沟槽单元; 形成在所述第二导电半导体层上的透明电极层; 以及电连接到第一导电半导体层和第二导电半导体层的第一电极和第二电极，其中，沟槽单元的中心与连接第一电极的中心和第二电极的中心的直线相交提高电流分布，从而提高内部光提取效率。

2. 发明公开

KR1020130106126A 금형장치 无效
标题翻译：成型设备
公开(公告)号：KR1020130106126A
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：KR1020120027785
申请日：2012-03-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동명 , 홍종파 , 손중곤
IPC分类号： B29C33/00 , F21V5/04
CPC分类号： B29D11/0048 , B29C43/10 , B29C43/18 , B29L2031/747
摘要： PURPOSE: A mold device is provided to prevent a leakage of forming resin forming a lens on a substrate by applying uniform pressure on a target, thereby improving a mold manufacturing quality. CONSTITUTION: A mold device includes a mold unit (1), a pressing unit (20), and a supporting unit. The mold unit includes a forming space receiving the inflow of forming resin forming a molded article on a target object. The pressing unit presses the mold unit. The supporting unit guides the installation position of the mold unit and elastically supports the target object.
摘要翻译：目的：提供一种模具装置，以通过对目标施加均匀的压力来防止在基板上形成透镜的成形树脂泄漏，从而提高模具制造质量。构成：模具装置包括模具单元（1），压制单元（20）和支撑单元。模具单元包括在目标物体上接收形成模制品的成形树脂的流入的成形空间。按压单元按压模具单元。支撑单元引导模具单元的安装位置并弹性地支撑目标物体。

3. 发明公开

KR1020120002708A 반도체 발광장치 有权
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020120002708A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100063352
申请日：2010-07-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오누쉬킨그리고리 , 레자예프,올레그 , 임종훈 , 손중곤 , 최번재
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to offer high electric current dispersion efficiency in a large area by decentralizing a plurality of contact holes into a proper location. CONSTITUTION: A semiconductor laminate(15) is divided into a first region and a second region by a separation groove. The semiconductor laminate comprises first and second major surfaces which face each other. The semiconductor laminate comprises first and second electrical conduction semiconductor layers(15a,15c) which provide the first and second major surfaces and an active layer(15b) which is formed between the first and second electrical conduction semiconductor layers. At least one or more contact holes(H) are connected to one region of the first electrical conduction semiconductor layer after passing through the active layer from the first and second major surfaces. A first electrode(12) is connected to the first electrical conduction semiconductor layer through the one or more contact holes. A second electrode(14) is connected to the second electrical conduction semiconductor layer. An electrode connecting part(17) interlinks the second electrode and the first electrical conduction semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体发光器件，通过将多个接触孔分散到适当的位置，在大面积上提供高电流色散效率。构成：通过分离槽将半导体层叠体（15）分割为第一区域和第二区域。半导体层叠体包括彼此面对的第一和第二主表面。半导体层叠体包括提供第一和第二主表面的第一和第二导电半导体层（15a，15c）和形成在第一和第二导电半导体层之间的有源层（15b）。在从第一和第二主表面穿过有源层之后，至少一个或多个接触孔（H）连接到第一导电半导体层的一个区域。第一电极（12）通过一个或多个接触孔与第一导电半导体层连接。第二电极（14）连接到第二导电半导体层。电极连接部分（17）将第二电极和第一导电半导体层互相连接。

4. 发明公开

KR1020110108002A 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：发光二极管装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110108002A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：KR1020100027247
申请日：2010-03-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이관수 , 손중곤
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0041
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 상에 형성되고 상면에 본딩패드가 구비된 LED 칩; 및 상기 LED 칩 상에 상기 본딩패드를 노출시키도록 형성된 형광체;를 포함하는 발광 다이오드 소자를 제공하며, 또한 본 발명은 상기 발광 다이오드 소자의 제조방법을 제공한다.

5. 发明授权

KR100773555B1 저결함 반도체 기판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有低缺陷的半导体衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR100773555B1
公开(公告)日：2007-11-06
申请号：KR1020060068410
申请日：2006-07-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 백호선 , 성연준 , 하경호 , 손중곤 , 이성남
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
摘要： A semiconductor substrate having low defects and a manufacturing method thereof are provided to improve a light output property of a light emitting device formed on a semiconductor device by lowering defect density. A first semiconductor layer(12) is made of Group III-V semiconductor material, of which an amorphous region(12b) and a crystalline region(12a) are formed on an upper surface. A second semiconductor layer(20) is formed on the first semiconductor layer, and is grown from the crystalline region. The second semiconductor layer has a vertical growth region(20a) grown from the crystalline region and a lateral growth region(20b) grown laterally from the vertical growth region.
摘要翻译：提供具有低缺陷的半导体衬底及其制造方法，以通过降低缺陷密度来改善形成在半导体器件上的发光器件的光输出特性。第一半导体层（12）由III-V族半导体材料制成，在上表面上形成非晶区域（12b）和结晶区域（12a）。第二半导体层（20）形成在第一半导体层上，并从结晶区域生长。第二半导体层具有从结晶区域生长的垂直生长区域（20a）和从垂直生长区域横向生长的横向生长区域（20b）。

6. 发明公开

KR1020060109112A 리지부를 구비하는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有沟槽部分的半导体激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060109112A
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：KR1020050031407
申请日：2005-04-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사공탄 , 장태훈 , 손중곤 , 유한열
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/024 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0422 , H01S5/221 , H01S5/2226 , H01S5/2227 , H01S5/32341 , H01S2304/04
摘要： A semiconductor laser diode having a ridge portion and a method of fabricating the same are provided to suppress multi transverse mode vibration by using an AlGaInN buried layer. In a semiconductor laser diode, a first clad layer is a first conductive type. An active layer(28) is placed on the first clad layer. A second clad layer is formed on the active layer(28) and has a stripe-shaped ridge unit at the upper part thereof. A buried layer(36) is made of AlGaInN, and is grown in a region except for the upper part of the second clad layer.
摘要翻译：提供具有脊部分的半导体激光二极管及其制造方法，以通过使用AlGaInN掩埋层来抑制多横模振动。在半导体激光二极管中，第一覆盖层是第一导电类型。有源层（28）被放置在第一覆层上。第二覆盖层形成在有源层（28）上，并且在其上部具有条状脊单元。掩埋层（36）由AlGaInN制成，并且在除了第二覆盖层的上部之外的区域中生长。

7. 发明公开

KR1020150017100A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020150017100A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092956
申请日：2013-08-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황경욱 , 허재혁 , 손중곤
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 기판; 기판 상에 교대로 배치되며 서로 다른 공극률을 가지는 적어도 2종의 다공층들을 포함하는 반사층; 및 반사층 상에 위치하며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的半导体发光器件包括基板，反射层，其包括交替布置在基板上并具有不同孔隙率的至少两种多孔层，以及发光结构，位于该反射层包括第一导电半导体，有源层和第二导电半导体层。

8. 发明授权

KR101221067B1 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드 有权
标题翻译：具有脊部的激光二极管
公开(公告)号：KR101221067B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020060012602
申请日：2006-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손중곤 , 장태훈 , 성연준 , 사공탄 , 백호선 , 이성남
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 전류의 주입구조가 개선된 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드가 개시되어 있다.
이 개시된 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드는 기판 위에 순차적으로 형성된 하부 멀티 반도체층, 활성층, 리지부를 구비한 상부 멀티 반도체층 및 상부 전극을 포함하는 것으로서, 상부 전극은 리지부의 적어도 일 측면부를 포함하는 영역을 덮는다.
이러한 구조에 의하면, 리지부의 측면을 통하여 전류가 주입되므로 주입저항이 낮아 동작 전압 및 동작전력에 유리하며, 리지부의 양 측면부에 금속이 접하므로 열방출에 유리하게 된다.

9. 发明公开

KR1020120074554A 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：发光二极管封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120074554A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020100136424
申请日：2010-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍종파 , 손중곤 , 권재욱
IPC分类号： H01L33/64
CPC分类号： H01L33/64 , H01L33/20 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0075
摘要： PURPOSE: A light emitting package and a manufacturing method thereof are provided to decrease a temperature of an encapsulating material by adding a wire forming an electrode to a lead frame. CONSTITUTION: A package mold(310) includes a cavity. A lead frame(320) is inserted into the package mold for being exposed to a bottom side of the cavity. A light emitting device chip(330) is mounted on the lead frame. A molding unit(350) absorbs the heat generated from the light emitting device chip.
摘要翻译：目的：提供发光封装及其制造方法，通过将形成电极的线添加到引线框架来降低封装材料的温度。构成：包装模具（310）包括空腔。引线框架（320）插入到封装模具中以暴露于空腔的底侧。发光器件芯片（330）安装在引线框架上。模制单元（350）吸收从发光器件芯片产生的热量。

10. 发明公开

KR1020110099200A 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법 有权
标题翻译： LED检查装置和使用该检测装置的检查方法
公开(公告)号：KR1020110099200A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：KR1020110074664
申请日：2011-07-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오누쉬킨그리고리 , 손중곤 , 임종훈 , 홍상수
IPC分类号： H01L21/66 , H01L33/00
摘要： 검사대상 발광소자에 대한 물리적 접촉 없이 누설전류유무와 같은 불량여부를 판단할 수 있는 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법이 제안된다. 본 발명의 발광소자 검사장치는 발광소자에 UV를 조사하는 UV조사부, UV가 조사된 발광소자의 이미지를 생성하는 이미지 생성부 및 발광소자의 이미지로부터 발광소자의 색상정보를 획득하고 색상정보에 기초하여 발광소자의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함한다.

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