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1. 发明授权

KR101579988B1 반도체 레이저 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：KR101579988B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020107013173
申请日：2008-10-17
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 노마츠구키 , 무라야마미노루 , 우치다사토시 , 이시카와츠토무
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/34326
摘要： 동작전류가낮고, 고온출력시에있어서도안정하게발진하는반도체레이저를제공한다. 기판(10)과, 기판(10) 상에마련된 n형클래드층(12)과, n형클래드층(12) 상에마련된활성층(13)과, 활성층(13) 상에마련된 Al을함유하는화합물이고, 전류통로로되는스트라이프형상의리지구조를갖는 p형클래드층(14)과, 리지구조의상면을제외한 p형클래드층(14)의표면에마련된 Al을함유하는화합물이고, Al의조성비가 p형클래드층(14)의 Al의조성비이하인전류블럭층(16)과, 전류블럭층(16) 상에마련되고, 레이저발진파장에대해광을흡수하는광흡수층(17)을구비한다.

2. 发明授权

KR100845682B1 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100845682B1
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：KR1020067018977
申请日：2005-03-16
申请人： 산요덴키가부시키가이샤 , 산요덴키 컨슈머 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 사오모또,히또시 , 이와모또,마나부
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要： 복수의 릿지(16·36)를 병설한 소자에서, 각 릿지(16·36)를 사이에 두도록 서포트(17·37)를 형성한다. 보다 구체적으로는, 릿지(16)의 소자 외측에 제1 서포트(17a)를 형성하고, 소자 내측에 제2 서포트(17b)를 형성한다. 또한, 릿지(36)의 소자 외측에 제1 서포트(37a)를 형성하고, 소자 내측에 제2 서포트(37b)를 형성한다. 이에 의해, 소자 제조 시에 소자 표면에 레지스트를 도포하여 스핀 코트를 행해도, 릿지(16·36)보다 소자 내측의 레지스트가 릿지 사이의 홈에 흐르는 것을, 이 제2 서포트(17b·37b)로 어느 정도 억제할 수 있어, 릿지(16·36)에 대하여 소자 내측의 레지스트 막 두께가 소자 외측에 비해 큰 폭으로 얇아지는 것을 회피할 수 있다.
릿지, 서포트, 레지스트, 분리홈, 칩 폭, 서포트 폭, 폭 비

3. 发明授权

KR100803477B1 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR100803477B1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020010061109
申请日：2001-10-04
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사몬지가츠야 , 다카야마도루 , 이마후지오사무 , 유리마사아키
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
摘要： 열포화현상이 억제된 광출력이 높은 반도체 레이저장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반도체 레이저장치는 활성층(4)의 아래쪽에 Al
x1 Ga
1-x1 As로 이루어진 n형 클래드층(2)을, 활성층(4)의 위쪽에 (Al
x Ga
1-x )
y In
1-y P로 이루어진 장벽높이 규정용 p형 클래드층(6)을 각각 구비하고 있다. 장벽높이 규정용 p형 클래드층(6)은 n형 클래드층(2)보다도 많은 구성원소를 포함하고, 장벽높이 규정용 p형 클래드층(6)과 활성층(4)과의 전도대단의 포텐셜차는 n형 클래드층(2)과 활성층(4)과의 전도대단의 포텐셜차보다도 크다. 활성층(4)에서 p형 클래드층(6)으로의 캐리어의 오버플로를 억제하는 동시에, n형 클래드층(2)에 열전도율이 높은 재료를 이용하여 열포화현상을 억제함으로써, 광출력을 향상시킨다.
반도체 레이저장치, 클래드층, 활성층
摘要翻译：本发明的目的在于提供抑制了热饱和现象的光输出高的半导体激光装置。

4. 发明公开

KR1020010070459A ＩＩＩ-Ｖ 구조에 사용하기 위한 불순물 확산 장벽층 无效
标题翻译：用于III-V结构的DOPANT扩散障碍层
公开(公告)号：KR1020010070459A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：KR1020010000910
申请日：2001-01-08
申请人： 알카텔-루센트 유에스에이 인코포레이티드
发明人： 게바마이클 , 아큘로바율리야아나톨리예브나 , 오우가자덴압달라
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01S5/227 , H01L21/2205 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2209 , H01S5/221 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2227 , H01S5/2272 , H01S5/3072
摘要： PURPOSE: A dopant diffusion barrier layer for a III-V structure is provided to effectively prevent diffusion of the dopant without contributing to a parasitic p-n junction or parasitic capacity. CONSTITUTION: A multilayer film dopant diffusion barrier is disposed between a dopping layer and another layer and efficiently blocks internal diffusion of dopant but does not contribute to a parasitic p-n junction or parasitic capacity.
摘要翻译：目的：提供用于III-V结构的掺杂剂扩散阻挡层，以有效地防止掺杂剂的扩散，而不会有助于寄生p-n结或寄生电容。构成：多层膜掺杂剂扩散阻挡层设置在掺杂层和另一层之间，并且有效地阻止掺杂剂的内部扩散，但不影响寄生p-n结或寄生电容。

5. 发明授权

KR100153585B1 메사 스트라이프 구조를 가진 반도체 레이저 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光器及其制造
公开(公告)号：KR100153585B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950001481
申请日：1995-01-24
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 고바야시류지 , 호따히또시 , 고바야시겐이찌
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/2209 , H01S5/221 , H01S5/222 , H01S5/32325 , H01S2304/04
摘要： 향상된 신뢰성을 가진 반도체 레이저, 반도체 레이저는 제1 도전형의 제1의 AlGaInP 크래딩층, 메사 스트라이프를 형성하는 제2 도전형의 제2의 AlGaInP 크래딩층, 도핑되지 않은 GaInP 층으로 만들어진 활성층, 도핑되지 않은 AlGaInP 층, 또는 도핑되지 않은 GaInP 서브층 및 도핑되지 않은 AlGaInP 서브층의 양자 우물층을 포함하고 있다. 반도체 레이저는 메사 스트라이프를 매립하도록 메사 스트라이프의 양측에 놓여지는 Al
x In
1-x P 또는 (Al
y Ga
1-y )
x In
1-x P 층으로 만들어지는 매립층을 추가로 포함하고 있다. 매립층은 제2 크래딩층보다 큰 에너지 대역 갭과 작은 굴절율을 가진다. 매립층은 메사 스트라이프의 양측과 접촉하여 메사 스트라이프의 측면을 따라 연장하는 제1층을 가지며, 제1영역의 Al 조성비 x 는 제1영역이 GaAs 에 격자 정합되도록 설정된다. 매립층은 제1영역의 하부 단부와 접촉하여 활성층을 따라 연장하는 제2영역을 가진다. 제2영역의 Al 조성비는 제2영역이 GaAs 격자 정합되거나 격자 정합되지 않게 설정된다.

6. 发明授权

KR100678555B1 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100678555B1
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020000014701
申请日：2000-03-23
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 고또다께노리 , 하야시노부히꼬
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0658 , H01S5/2205 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： 사파이어 기판 상에 n-컨택트층, n-클래드층, MQW 활성층 및 p-제1 클래드층이 순서대로 형성된다. p-제1 클래드층 상에는 스트라이프 형상의 개구부를 갖는 n-전류 블록층이 형성된다. 스트라이프 형상의 개구부의 폭은, 전류 블록층의 하층으로부터 상층에 걸쳐 W2로부터 W1로 단계적으로 넓어진다. n-전류 블록층 상 및 스트라이프 형상의 개구부 내의 p-제1 클래드층 상에는 p-제2 클래드층이 형성된다. p-제2 클래드층은 폭 W2의 하단을 갖는 하층 및 폭 W2보다도 큰 폭 W1을 갖는 상층으로 구성된다.
사파이어 기판, 스트라이프 형상의 개구, 전류 블록층, 동작 전류, 발광 스폿, 애스팩트비

7. 发明授权

KR100648392B1 인듐인-계 구조들에서 아연 확산을 차단하기 위한 장벽으로서 인듐인-계 층에서의 알루미늄 스파이크들을 포함하는 전자 디바이스 및 광전자 디바이스 有权
标题翻译： Al基于InP的层中的Al尖峰作为阻挡基于InP的结构中的锌扩散的屏障
公开(公告)号：KR100648392B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020010000931
申请日：2001-01-08
申请人： 알카텔-루센트 유에스에이 인코포레이티드
发明人： 게바마이클 , 오우가자덴아브달라 , 스미스로렌스에드윈
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F2202/102 , H01L33/305 , H01S5/221 , H01S5/2224 , H01S5/2227 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3072
摘要： 확산 방지 장벽 스파이크가 개시된다. 스파이크는 층에서 pn 접합을 형성하지 않고 다른 층으로의 불순물들 확산을 방지한다. 스파이크들은, 예를 들어 Al 또는 AlAs와 같은 알루미늄 함유 재료이고 대략 1nm 정도의 두께를 갖는다. 본 발명의 스파이크들은 InP-계 PIN 디바이스들과 같은 다양한 Ⅲ-V 반도체 구조들에서 도핑된층 외부로의 불순물 확산을 정지시키는데 이용될 수 있다.
스파이크, 장벽, 도핑, 불순물, 확산

8. 发明授权

KR100539289B1 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR100539289B1
公开(公告)日：2005-12-27
申请号：KR1020000017507
申请日：2000-04-04
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 구보따신이찌 , 호리노가즈히꼬 , 구라마따아끼또
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0213 , H01S5/0655 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/223 , H01S5/32341 , H01S5/34333
摘要： 본 발명은 III-V족 화합물 반도체 레이저의 횡모드 제어를 용이하게 하여, 빔 형상의 종횡비를 개선하고, 또한 AlN층의 성장이나 패터닝에 의한 대미지대미지를 줄이는 것을 목적으로 한다.
n형 클래드층 또는 p형 클래드층 중 적어도 한쪽 클래드층 내 혹은 상기 적어도 한쪽 클래드층과 활성층 사이에, 두께 1~300nm의 AlN으로 되는 횡모드 제어층을 설치했다. 또, 기판 상에 마스크층을 형성하고, 이를 덮도록 AlN층을 형성한 후, 상기 마스크층을 에칭할 수 있는 용액을 사용하여 AlN층을 리프트 오프한다.

9. 发明公开

KR1020020027222A 반도체 레이저장치 失效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020020027222A
公开(公告)日：2002-04-13
申请号：KR1020010061109
申请日：2001-10-04
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사몬지가츠야 , 다카야마도루 , 이마후지오사무 , 유리마사아키
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/32308 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3213
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser device is provided to prevent the phenomenon of thermal saturation, thereby improving an optical efficiency. CONSTITUTION: A semiconductor laser device includes an active layer(4), an n-type cladding layer(2) of Alx1Ga1-x1As and a p-type cladding layer(6) of (AlxGa1-x)yIn1-yP for defining a barrier height. The p-type cladding layer(6) for defining a barrier height contains more component elements than the n-type cladding layer(2). The potential difference between the conduction band edges of the p-type cladding layer(6) for defining a barrier height and the active layer(4) is greater than the potential difference between the conduction band edges of the n-type cladding layer(2) and the active layer(4). The carriers in the active layer(4) are prevented from overflowing into the p-type cladding layer(6) and a material having a high thermal conductivity is used for the n-type cladding layer(2) to prevent the phenomenon of thermal saturation, thereby providing improved optical output.
摘要翻译：目的：提供半导体激光器件以防止热饱和现象，从而提高光学效率。构成：半导体激光器件包括有源层（4），Al x Ga 1-x AsAs的n型包层（2）和用于限定屏障的（Al x Ga 1-x）y In 1-y P的p型覆层（6）高度。用于限定势垒高度的p型覆层（6）包含比n型覆层（2）更多的构成要素。用于限定势垒高度的p型覆层（6）的导带边缘与有源层（4）之间的电位差大于n型覆层（2）的导带边缘之间的电位差）和有源层（4）。有源层（4）中的载流子被阻止溢出到p型覆层（6）中，并且n型覆层（2）使用具有高热导率的材料来防止热饱和现象，从而提供改进的光输出。

10. 发明公开

KR1020020000504A 반도체레이저의 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体激光的方法
公开(公告)号：KR1020020000504A
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1020010035261
申请日：2001-06-21
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 기무라다카시
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/221
摘要： PURPOSE: To grow a good light-confinement layer when forming a ridge semiconductor laser. CONSTITUTION: A ridge-shaped upper second clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by etching, using a mask 8 made of SiO2. Subsequently, a light- confinement layer 10 made of Aly2Ga(1-y2)As is selectively formed on both sides of a ridge part 12 by using the mask 8 according to MOCVD. At this moment, trimethylgallium is used as a gallium supply material, and trimethylaluminum is used as an aluminum supply material. A substrate temperature is set at 500 to 750°C.
摘要翻译：目的：在形成脊状半导体激光器时生长良好的光限制层。构成：使用由SiO 2制成的掩模8，通过蚀刻形成脊形的上部第二覆盖层6和接触层7。随后，通过使用根据MOCVD的掩模8，在脊部12的两侧选择性地形成由Aly2Ga（1-y2）As制成的光限制层10。此时，使用三甲基镓作为镓供给材料，使用三甲基铝作为铝供给材料。基板温度设定在500〜750℃。

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