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1. 发明授权

KR102051627B1 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102051627B1
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：KR1020130001790
申请日：2013-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고차원 , 블라디미르우라자에브 , 이전일 , 김현우 , 김인성
IPC分类号： H01L21/027

2. 发明公开

KR1020160058511A 극자외선 광원 장치 및 극자외선 광 발생 방법 审中-实审
标题翻译：极光紫外光源和产生EUV光的方法
公开(公告)号：KR1020160058511A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020140160099
申请日：2014-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승구 , 김인성 , 박진홍
IPC分类号： H05G2/00 , G21K5/00 , H01L21/027
CPC分类号： H05G2/006 , B05B17/06 , B05B17/0607 , G01V8/12 , G03F7/70033 , G21K1/067 , H05G2/003 , H05G2/008 , G01J1/429 , G03F1/22
摘要： 극자외선광원장치는극자외선광을생성하기위해소스방울을생성하여콜렉터내로주입하는소스방울생성기, 상기소스방울의주입경로에검출광을주사하는광 주사부, 상기소스방울에의해차단되는광을검출하는광 검출부, 및상기광 검출부및 상기소스방울생성기에연결되고, 상기검출된광을분석하여상기소스방울의위성(satellite) 발생유무또는크기를판단하고판단결과에따라상기소스방울을제어하는소스방울제어부를포함한다.
摘要翻译：一种极紫外光源装置，包括：源极发生器，其产生源极滴并将源极注入到集电极中以产生极紫外光;将光检测光照射到源极的注入路径的光照射单元，光检测连接到光检测单元和源液滴发生器的源液滴控制单元，分析检测到的光，以确定是否产生源液滴的卫星或产生的卫星的尺寸，并根据确定结果控制源降。因此，由于由卫星引起的源集中的不均匀性，可以防止所收集的内部被污染。

3. 发明公开

KR1020110132127A 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 无效
标题翻译：曝光装置和使用该曝光装置的曝光方法
公开(公告)号：KR1020110132127A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100051965
申请日：2010-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이지은 , 김인성 , 여정호 , 박창민 , 윤제범
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76898 , G03F7/70391 , H01L21/0275 , G03F7/2022
摘要： PURPOSE: An exposure apparatus and an exposure method using the same are provided to arrange various shapes of patterns on a wafer with a low cost, thereby providing an advantageous method for mass production. CONSTITUTION: A photo mask(40) comprises a substrate(41) and a plurality of light sources(42) attached on the substrate. The substrate is comprised of a glass substrates including quartz. The multiple light sources respectively include a light emitting diode or laser diode. The laser diode uses stimulated emission and constructive interference phenomena. The size of the substrate in which the multiple light sources are arranged is determined according to a condition of an exposure system.
摘要翻译：目的：提供一种曝光装置和使用该曝光装置的曝光方法，以便以低成本在晶圆上布置各种形状的图案，从而提供有利的批量生产方法。构成：光掩模（40）包括衬底（41）和附着在衬底上的多个光源（42）。基板由包括石英的玻璃基板组成。多个光源分别包括发光二极管或激光二极管。激光二极管使用受激发射和建设性干扰现象。根据曝光系统的条件确定布置多个光源的基板的尺寸。

4. 发明公开

KR1020100091061A 패턴의 이동을 모니터링하는 반사형 포토마스크 无效
标题翻译：用于监控图案移位的反射光电
公开(公告)号：KR1020100091061A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020090010344
申请日：2009-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동근 , 김성수 , 서환석 , 김인성
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/26 , G03F1/44 , G03F1/52 , G03F1/54
摘要： PURPOSE: A reflective photo-mask for monitoring the shift of a pattern is provided to improve the productivity by monitoring the shift of the pattern according to the focus change of light. CONSTITUTION: An object to be phase-shifted is formed on a substrate. A reflective layer(30) is stacked on the substrate and the object to be phase-shifted. Light absorbing patterns are formed on the reflective layer. The Light absorbing patterns include a center light absorbing pattern(50c) and peripheral light absorbing patterns(50p), and slits which are formed between the center light absorbing pattern and the peripheral light absorbing patterns. The slits expose the surface of the reflective layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于监测图案移动的反射式光罩，通过根据光的焦点变化监测图案的移动来提高生产率。构成：在基板上形成要移相的物体。反射层（30）堆叠在基板上并且要相移的物体。在反射层上形成光吸收图案。光吸收图案包括中心光吸收图案（50c）和周边光吸收图案（50p），以及形成在中心光吸收图案和周边光吸收图案之间的狭缝。狭缝暴露反射层的表面。

5. 发明授权

KR100564563B1 다층 구조의 오버레이 키를 갖춘 반도체 소자 失效
标题翻译：具有多层覆盖键结构的半导体器件
公开(公告)号：KR100564563B1
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1020000007124
申请日：2000-02-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 박준수
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 기판상에 형성된 복수의 층들 상호간의 미스얼라인을 측정하고 보정할 수 있는 다층 구조의 오버레이 키를 갖춘 반도체 소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 반도체 기판상의 제1층에 그 정상면보다 낮은 요부를 포함하여 형성된 제1층 오버레이 키 어미자와, 상기 제1층 위에 형성된 제2층으로 이루어지고 상기 요부 내에 형성된 제2층 오버레이 키 어미자를 포함하는 다층 구조의 오버레이 키를 갖춘다.

6. 发明公开

KR1020050003917A 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 失效
标题翻译：形成二维光栅图案的照片及其制作方法，通过防止光电图案的失真和增加屏蔽图案的图像锐度来获得所需的关键尺寸
公开(公告)号：KR1020050003917A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：KR1020030045446
申请日：2003-07-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황찬 , 김인성 , 강영석
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/36
摘要： PURPOSE: A photo-mask of forming repetitive two-dimensional photoresist patterns and a method of fabricating the same are provided to obtain a desired critical dimension by preventing distortion of photoresist patterns and increasing image sharpness of shielding patterns. CONSTITUTION: A plurality of two-dimensional shielding patterns(200) are formed on an upper surface of a transparent substrate(100). Each of the two-dimensional shielding patterns has a different length and a different width. At least one through-hole(250) is formed through a predetermined region of each of the two-dimensional shielding patterns in order to expose the transparent substrate.
摘要翻译：目的：提供形成重复的二维光致抗蚀剂图案的光掩模及其制造方法，以通过防止光致抗蚀剂图案的变形和增加屏蔽图案的图像清晰度来获得期望的临界尺寸。构成：在透明基板（100）的上表面上形成有多个二维屏蔽图案（200）。每个二维屏蔽图案具有不同的长度和不同的宽度。至少一个通孔（250）通过每个二维屏蔽图案的预定区域形成，以便露出透明基板。

7. 发明授权

KR100269330B1 반사 방지 캡 및 스페이서를 구비하는 반도체장치, 이의 제조방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조방법 失效
标题翻译：具有抗反射帽和间隔器的装置及其制造方法和光电子图案方法
公开(公告)号：KR100269330B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019980024994
申请日：1998-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 이중현 , 조한구
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0276 , H01L21/28044 , H01L21/28061 , H01L21/76802
摘要： 반사 방지 캡 및 스페이서를 구비하는 반도체 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는 반도체 기판상에 형성된 반사성 패턴의 상면과 측벽에 각각 반사 방지 캡과 반사 방지 스페이서를 구비한다. 따라서 사진 식각 공정시 반사성 패턴으로부터 반사된 반사광에 의한 포토레지스트 패턴의 변형이 최소화된다.

8. 发明公开

KR1020170044443A 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：反射型光掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170044443A
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150144152
申请日：2015-10-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김인성 , 김성수
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/039 , H01L21/033 , H01L21/306
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/54
摘要： 반사형포토마스크는기판, 반사층, 흡수층을갖는다. 반사층은기판상에형성되고, 함몰부를갖는다. 흡수층은함몰부에형성되고흡수체와폴리머를갖는다.
摘要翻译：反射型光掩模具有基板，反射层和吸收层。反射层形成在基板上并具有凹陷。吸收层形成在凹陷中并具有吸收体和聚合物。

9. 发明公开

KR1020170026829A 극자외선 발생 장치 및 노광 장치 审中-实审
标题翻译：用于光刻和超极紫外光源装置的装置
公开(公告)号：KR1020170026829A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020150122022
申请日：2015-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김호연 , 허진석 , 김인성
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/22 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70033 , G02B19/0095 , G03F7/70916 , H05G2/001
摘要： 본발명의일 실시예에따른극자외선발생장치는, 내부공간을포함하는챔버, 상기내부공간에플라즈마를발생시키는플라즈마생성유닛, 상기내부공간에배치되고, 상기플라즈마로부터생성된광을집광하는집광유닛, 그리고상기내부공간의전방향(all-direction) 모니터링이가능한모니터링유닛을포함한다.
摘要翻译：一种极紫外线发生装置，包括具有内部空间的腔室; 等离子体发生器，用于在内部空间中产生等离子体; 内部空间的冷凝器收集从等离子体产生的光; 以及监视器以全向方式监视内部空间。

10. 发明授权

KR101472902B1 자외선 리소그래피 시스템들 및 방법들 有权
标题翻译：用于UV光刻的系统和方法
公开(公告)号：KR101472902B1
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：KR1020080016368
申请日：2008-02-22
申请人： 삼성전자주식회사 , 아이엠이씨 브이제트더블유
发明人： 로루쏘지앙프랑세스코 , 김인성 , 김병수 , 고달스안나마리 , 존키르릭 , 헤르만장
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70433 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70283
摘要： 본발명은또한상응하는설계, 리소그래피공정의설정방법, 리소그래피마스크의설계시스템, 리소그래피마스크, 및리소그래피마스크의제조방법과관련된다.

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