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1. 发明公开

KR1020180095956A 낮은 패턴 밀도 피처를 인쇄하기 위한 개선된 극자외선 리소그래피 시스템, 디바이스, 및 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180095956A
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：KR1020170014004
申请日：2017-01-31
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 루옌청 , 유신성 , 첸젱혼 , 옌안토니
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/26 , G03F7/70033 , G03F7/70191 , G03F7/70308
摘要： 리소그래피시스템이극자외선(EUV) 광을생성하도록구성된방사선소스를포함한다. 리소그래피시스템은집적회로 (IC)의하나이상의피처들을정의하는마스크를포함한다. 리소그래피시스템은 EUV 광을마스크상으로지향시키도록구성된일루미네이터를포함한다. 마스크는 EUV 광을 0 차광선및 복수의고차광선들로회절시킨다. 리소그래피시스템은마스크에의해정의된하나이상의피처들에따라패턴화될웨이퍼를고정시키도록구성된웨이퍼스테이지를포함한다. 리소그래피시스템은마스크와웨이퍼스테이지사이에위치하는동공평면내에배치된동공위상변조기를포함한다. 동공위상변조기는 0 차광선의위상을변화시키도록구성된다.

2. 发明授权

KR101823854B1 블랭크 마스크 및 포토 마스크 有权
标题翻译：空白面具和光掩模
公开(公告)号：KR101823854B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020160107124
申请日：2016-08-23
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 신철 , 이종화 , 서성민 , 김세민
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/00 , G03F7/09 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/0076 , G03F1/26 , G03F7/091 , G03F7/2008
摘要： 본발명에따른포토마스크는, 투광부와투명기판상에박막패턴이형성되어이루어진반투광부및 위상반전부를포함하고, 상기반투광부는상기투명기판상에구비된반투과막패턴으로이루어지며, 상기위상반전부는상기투명기판상에반투과막패턴및 위상제어막패턴이적층되어이루어진다. 이에따라, 하나의포토마스크에반투과부및 위상반전부를함께구비함으로써디바이스제품생산을위한포토마스크의매수를줄일수 있다.
摘要翻译：形成在由透光部分和相位反转部根据本发明的光掩模，其包括到薄膜图案的透明部分和透明基板，并且基座透光部被制成设置在透明基板上的半透明膜图案，其中相反转部分通过在透明基板上层压抗反射膜图案和相位控制膜图案而形成。因此，通过一起提供一个光掩模消逝部分和相位反转部分，可以减少用于制造器件产品的光掩模的数量。

3. 发明公开

KR1020160134864A 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：反射掩模反光掩模和制造反射掩模的方法
公开(公告)号：KR1020160134864A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020167031661
申请日：2009-04-27
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 쇼끼,쯔또무
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , H01L21/027 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/26
摘要： 본발명의반사형마스크는, 기판(11) 상에, 고굴절률층과저굴절률층을교대로적층시킨구조의다층반사막(13)과, 상기다층반사막(13) 상에적층되어있으며 EUV 노광광을흡수하는흡수막(15)을구비하고있고, 상기흡수막(15)은, 막내를통과하여상기다층반사막에서반사되는노광광에, 직접입사하여상기다층반사막에서반사되는 EUV 노광광에대하여소정의위상차를발생시키는위상시프트막이고, 블라인드에리어의다층반사막(13)은, 상층으로부터복수층또는전체층이제거되어이루어지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的反射掩模在基板（11）上具有多层反射膜（13），该多层反射膜具有交替层叠有高折射率层和低折射率层的结构，并且叠层在该反射膜上的吸收膜多层反射膜（13）并且适于吸收EUV曝光光。吸收膜（15）是允许通过其并被多层反射膜反射的EUV曝光光相对于直接入射并被多层反射膜反射的EUV曝光光具有预定相位差的相移膜。在盲区中的多层反射膜（13）的多个层或全部层从其上层去除。

4. 发明公开

KR1020160117320A 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于制备HONEFT相位移动光电子空白的方法
公开(公告)号：KR1020160117320A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020160038023
申请日：2016-03-30
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 고사카다쿠로
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/66 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/033
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F1/66 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/0337 , H01L21/203
摘要： 타겟에인가하는전력을일정하게하고, 챔버내에도입하는반응성가스유량을소인했을때, 반응성가스유량과, 반응성가스유량의소인에의해측정되는타겟전압값또는타겟전류값에의해형성되는히스테리시스곡선에있어서, 메탈모드, 전이모드및 반응모드를설정하고, 챔버내에복수의타겟을설치하고, 2종이상의스퍼터링모드가적용되도록전력을인가하여, 반응성스퍼터링에의해, 규소와, 질소및 산소중 한쪽또는양쪽을함유하는하프톤위상시프트막을형성한다. 내약품성이우수한, 규소와, 질소및 산소로부터선택되는한쪽또는양쪽을함유하는하프톤위상시프트막에있어서, 광학특성의면내균일성을개선할수 있어, 소정의위상차를확보한데다가, 면내균일성이양호한하프톤위상시프트막을갖는하프톤위상시프트형포토마스크블랭크를제공할수 있다.

5. 发明公开

KR1020160103393A 히팅에 의한 열적 스트레스 억제를 위한 포토마스크 审中-实审
标题翻译：用于通过加热来抑制热应力的光刻胶
公开(公告)号：KR1020160103393A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020150025835
申请日：2015-02-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 남병호
IPC分类号： H01L21/033 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F1/54
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/38 , G03F1/54 , H01L21/0332 , G03F7/2063 , H01L21/0274
摘要： 포토마스크는, 전사부및 프레임부를갖는투광기판과, 전사부내에서투광기판을노출시켜전사패턴을구성하는투광영역과, 그리고전사부내에서투광영역을둘러싸는광차단영역을포함한다. 상기광차단영역은, 투광영역둘레를따라투광영역을둘러싸도록투광기판위에제1 광차단층패턴이배치되는제1 광차단영역과, 그리고제1 광차단영역을둘러싸도록투광기판위에복수개의제2 광차단층패턴들이배치되는제2 광차단영역을포함한다.
摘要翻译：光掩模包括：具有转印单元和框架单元的透光基板; 透光区域，被配置为通过在所述转印单元中曝光所述透光基板来形成转印图案; 以及遮光区域，被配置为围绕所述传送单元中的所述透光区域。遮光区域包括：第一遮光区域，其中第一遮光层图案布置在透光基板上以沿着透光区域圆周包围透光区域; 以及第二遮光区域，其中多个第二遮光层图案布置在所述透光基板上以围绕所述第一遮光区域。

6. 发明公开

KR1020160101920A 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：反射掩模层，反射掩模和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160101920A
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020167015966
申请日：2014-11-26
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이께베,요헤이 , 오노우에,다까히로 , 쇼끼,쯔토무
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/38 , C23C14/18
CPC分类号： G03F1/24 , C23C14/0641 , C23C14/185 , G03F1/26 , G03F1/38 , G03F1/48 , G03F7/2004
摘要： EUV 노광기의노광광원이고파워화된경우에있어서도, 보호막과이것에인접하는위상시프트막패턴의재료사이에서, 열확산에의한상호확산에의해 EUV광에대한반사율이변동되어버리는것을억지할수 있는반사형마스크블랭크및 이것에의해제작되는반사형마스크를제공하고, 또한반도체장치의제조방법을제공한다. 기판(12) 위에다층반사막(13)과, 보호막(14)과, EUV광의위상을시프트시키는위상시프트막(16)이이 순서로형성된반사형마스크블랭크로서, 보호막(14)은루테늄을주성분으로서포함하는재료를포함하고, 위상시프트막(16)은탄탈륨을포함하는탄탈륨계재료층을갖고, 보호막(14)의표면위 또는보호막(14)의일부로서위상시프트층(16)과접하는측에, 위상시프트막(16)과의상호확산을억지하는루테늄과산소를포함하는확산방지층(15)을형성함으로써, 보호막(14)과위상시프트막패턴의재료사이에서의열 확산을억지한다.
摘要翻译：为了提供一种可以抑制由于由于热扩散而导致的保护膜和相邻相移膜图案的材料之间的反扩散的相对于EUV光的反射率变化的反射掩模板，即使曝光光源的EUV曝光机变高，由其制造的反射罩; 以及半导体装置的制造方法。反射掩模坯料包括多层反射膜13，保护膜14和相移膜16，用于将在所述顺序上形成的EUV光的相位移动到基板12上。保护膜14由材料含有钌作为主要成分时，相移膜16具有包含钽的钽基材料层，并且在保护膜14的表面上形成包含钌和氧的防扩散层15，或者作为保护膜14在与相移层16相邻的一侧上，以便相对于相移膜16抑制反向扩散，由此抑制保护膜14与相移材料之间的热扩散电影模式。

7. 发明公开

KR1020160088456A 반사형 마스크 및 제조 방법 审中-实审
标题翻译：其反射掩模和制造方法
公开(公告)号：KR1020160088456A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150007163
申请日：2015-01-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이인환 , 구선영 , 김서민 , 김용대 , 김진수 , 이병훈 , 임미정 , 임창문 , 하태중 , 현윤석
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/26 , H01L21/0274 , H01L21/0332
摘要： 기판상에위치하는제1반사층을덮는제1캐핑층(capping layer), 제1캐핑층상에위치하는제2반사층패턴, 및제2반사층패턴과제1캐핑층사이에위치하여제2반사층패턴과제1반사층에의해반사되는광들사이에위상차이를추가하는위상시프터(phase shifter)를포함하는반사형마스크를제시한다.
摘要翻译：提供了一种反射掩模，其包括：第一覆盖层，其被配置为覆盖位于基板上的第一反射层; 位于所述第一覆盖层上的第二反射层图案; 以及位于第二反射层图案和第一覆盖层之间的移相器，以在第二反射层图案和第一反射层上反射的光之间增加相位差。因此，反射掩模可以提高生产量。

8. 发明公开

KR1020160016098A 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 审中-实审
标题翻译： BLANKMASK用于极端超紫外线光刻和使用它的光电子
公开(公告)号：KR1020160016098A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140099585
申请日：2014-08-04
申请人： 주식회사 에스앤에스텍
发明人： 남기수 , 양철규 , 신철 , 이종화 , 최민기 , 김창준 , 장규진
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/50 , H01L21/0337
摘要： 본발명은흡수막중 반사방지층을흡수층의식각마스크로사용하여, 레지스트막의박막화및 로딩효과가저감된고 품질·고해상도의패턴구현이가능한극자외선용블랭크마스크및 이를이용한포토마스크를제조할수 있다. 또한, 본발명은흡수층및 반사방지층을구성하는물질및 경원소의조성비를조절하여흡수막의광학특성을확보함과동시에박막화가구현된극자외선용블랭크마스크를이용하여, 14㎚급이하, 특히, 7㎚급이하의패턴구현시 우수한패턴정확도를갖는고품질의극자외선용포토마스크를제조할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于极紫外线的空白掩模，其能够产生具有降低的负载效果和减薄的抗蚀剂膜的高质量和高分辨率图案，因为吸收膜中的抗反射层用作蚀刻掩模在吸收层中。此外，本发明还涉及使用其的光掩模。可以通过调节构成吸收层和抗反射层的光元件和物质的组成比来确保吸收膜的光学特性。此外，通过使用用于极紫外线的变薄的空白掩模，可以生产用于极紫外线的高质量光掩模，当形成小于或等于14nm的图案时，其具有优异的图案精度，特别是小于或等于7nm。

9. 发明公开

KR1020150102004A 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译：相移片及其生产方法
公开(公告)号：KR1020150102004A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020157015967
申请日：2013-12-19
申请人： 알박 세이마쿠 가부시키가이샤
发明人： 모치쥬키사토루 , 나카무라다이슈케 , 카지야마카게히로
IPC分类号： G03F1/26 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0676 , G03F1/26
摘要： 위상 시프트 마스크의 제조 방법은, 10.4% 이하의 산화성 가스를 포함하는 혼합 가스의 분위기 하에서, 크롬계 재료의 타겟을 스퍼터링하는 공정을 포함한다.

10. 发明公开

KR1020150059611A 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造光电照相机的方法，照相机，图案转印方法和制造显示器件的方法
公开(公告)号：KR1020150059611A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020140161649
申请日：2014-11-19
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 야마구찌노보루
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/68
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/28 , G03F1/68
摘要： 본발명은, 미세하면서고정밀도의전사용패턴을구비하는포토마스크를제조하는것을과제로한다. 본발명의포토마스크의제조방법은, 투명기판위에, 하층막, 중간막, 상층막및 포토레지스트막이형성된포토마스크블랭크를준비하는공정과, 포토레지스트막에묘화및 예비현상을실시하여, 제1 레지스트패턴을형성하는공정과, 제1 레지스트패턴을마스크로하여상층막을에칭하고, 또한, 제1 레지스트패턴또는에칭된상층막을마스크로하여, 중간막을에칭하는, 예비에칭공정과, 제1 레지스트패턴에대하여, 추가현상을실시함으로써, 제2 레지스트패턴을형성하는공정과, 제2 레지스트패턴을마스크로하여, 상층막에추가의에칭을실시하면서, 에칭된중간막을마스크로하여, 하층막을에칭하는, 후에칭공정을갖는다.
摘要翻译：本发明是制造具有精细且高清晰度的转印图案的光掩模。根据本发明的光掩模的制造方法包括：在透明基板上制备形成有下膜，中间膜，上膜和光致抗蚀剂膜的光掩模坯料的步骤; 通过在光致抗蚀剂膜上进行光刻工艺和初步显影来形成第一抗蚀剂图案的步骤; 使用第一抗蚀剂图案作为掩模蚀刻上部膜并使用第一抗蚀剂膜或蚀刻的上部膜作为掩模蚀刻中间膜的初步蚀刻步骤; 通过相对于第一抗蚀剂图案进一步显影来形成第二抗蚀剂图案的步骤; 以及使用第二抗蚀剂图案作为掩模在上部膜上进行附加蚀刻并使用蚀刻的中间膜作为掩模蚀刻下部膜的后蚀刻步骤。

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