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1. 发明授权

KR102127892B1 와이어 본딩 기계의 동작 조건 오류 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 有权
公开(公告)号：KR102127892B1
公开(公告)日：2020-06-29
申请号：KR1020130063471
申请日：2013-06-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김민 , 유연상 , 한원길 , 김호암 , 김병주 , 이도훈
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/66

2. 发明公开

KR1020170110449A 결제 정보를 제공하는 전자 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于提供支付信息的电子设备和方法
公开(公告)号：KR1020170110449A
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：KR1020160034851
申请日：2016-03-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병주 , 박태건
IPC分类号： G06Q20/04 , G06Q20/08 , G07G1/14 , G06Q20/40 , H04L9/32 , G06Q20/38 , H04W4/00
CPC分类号： G06Q20/04 , G06Q20/08 , G06Q20/38 , G06Q20/40 , G07G1/14 , H04L9/32 , H04W4/00 , G06Q20/382 , G06Q20/385 , G06Q20/40145 , H04W4/80
摘要： 본발명은결제정보를제공하는방법에관한것으로서, 예를들면, 센서를이용하여결제정보를제공하는장치및 이를위한방법에관한것이다. 이를위해본 발명은제1 통신회로, 제2 통신회로, 센서및 프로세서를포함하는전자장치에있어서, 상기센서를이용하여사용자입력을수신하는동작; 상기사용자입력에대한인증을수행하는동작; 상기인증이성공하는경우, 상기제1 통신회로를이용하여외부전자장치로부터결제정보를수신하는동작; 및상기프로세서를이용하여상기센서로부터상기사용자입력에대한완료이벤트를수신하면, 상기결제정보를상기제2 통신회로를통해출력하는동작을포함할수 있다.
摘要翻译：提供结算信息的方法技术领域本发明涉及一种提供结算信息的方法，例如一种使用传感器提供结算信息的装置和方法。为此，本发明提供了一种包括第一通信电路，第二通信电路，传感器和处理器的电子设备，所述电子设备包括：使用所述传感器接收用户输入; 对用户输入执行认证; 当认证成功时，使用第一通信电路从外部电子设备接收支付信息; 并且一旦从处理器接收到来自传感器的用户输入的完成事件，就通过第二通信电路输出支付信息。

3. 发明公开

KR1020170076484A 프로토카데린의 과발현을 이용한 노화 세포를 분리하는 방법 审中-实审
标题翻译：如何用Protocardin过表达分离老化细胞
公开(公告)号：KR1020170076484A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150186785
申请日：2015-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병주 , 류성진 , 박상철
IPC分类号： C12N5/07 , A61K31/7088 , A61K39/395
CPC分类号： C12N15/113 , C12N5/0081 , C12N5/0602 , C12N15/1138 , C12N2310/14 , C12N2310/531 , C12N2509/10
摘要： 일양상에따른노화세포를포함하는시료로부터노화세포를분리하는방법및 노화세포를포함하는시료또는개체로부터노화세포를제거하는방법을제공한다. 이에따르면, 시료로부터노화세포를특이적으로분리할수 있고, 분리된노화세포를이용하여후속실험을수행할수 있다. 또한, 시료또는개체로부터노화세포를특이적으로제거하여, 노화와연관된증상또는질병을효율적으로예방또는치료할수 있다.
摘要翻译：根据一个方面，提供了从含有老化细胞的样品中分离老化细胞的方法，以及从样品或含有老化细胞的个体中去除老化细胞的方法。据此，可以将老化细胞与样品特异性分离，并且可以使用分离的老化细胞进行后续实验。另外，衰老细胞可以从样品或个体中特异性地去除，以有效地预防或治疗与衰老相关的症状或疾病。

4. 发明公开

KR1020150106523A 수직형 불휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：垂直非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150106523A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140028685
申请日：2014-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김기정 , 장대현 , 김병주 , 오정익
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11575 , H01L23/544 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L27/11509 , H01L2924/00
摘要： 수직형 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법에서, 기판 상에 절연막 및 희생막을 교대로 반복적으로 적층한다. 적층된 절연막들 및 희생막들 중 최상층 막 상에 참조 패턴을 형성한다. 참조 패턴을 커버하되 참조 패턴의 주변부를 부분적으로 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 제1 포토레지스트 패턴의 면적을 단계적으로 축소시키면서 이를 식각 마스크로 사용하여 절연막들 및 희생막들 중 적어도 일부를 순차적으로 식각함으로써, 각각 제1 절연막 패턴 및 제1 희생막 패턴을 형성한다. 제1 절연막 패턴 및 제1 희생막 패턴을 관통하는 채널을 기판 상에 형성한다. 제1 희생막 패턴을 게이트 전극으로 치환한다.
摘要翻译：在制造垂直非易失性存储器件的方法中，绝缘膜和牺牲膜重复交替层压在基片上。在层压绝缘和牺牲膜中的顶部膜上形成参考图案。形成覆盖参考图案并且部分地暴露参考图案的周围部分的第一光致抗蚀剂图案。通过使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，第一光致抗蚀剂图案的程度逐渐减小，同时绝缘和牺牲膜的至少一部分被部分蚀刻，因此第一绝缘膜图案和第一牺牲膜图案是分别形成。穿透第一绝缘和牺牲膜图案的通道形成在基板上。将第一牺牲膜图案改变为栅电极。

5. 发明授权

KR101171177B1 잉크 조성물 및 상기 잉크 조성물을 포함하는 컬러 필터 有权
标题翻译：墨水组合物和包含其的彩色滤光片
公开(公告)号：KR101171177B1
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020040108138
申请日：2004-12-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 강윤호 , 박춘호 , 김경아 , 김길래 , 박찬석 , 권성규 , 김장섭 , 김병주
IPC分类号： C09D11/30 , C09D11/326 , C09D11/38 , G02B5/20
摘要： 본 발명은 경화성 바인더, 모노머, 중합 개시제, 안료 및 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(DPMA)를 함유하는 용제를 포함하며, 안료와의 분산성이 우수하며 잉크젯 프린팅시 헤드의 오염이 적어 노즐 막힘 현상이 없는 피에조(Piezo) 방식의 잉크젯 잉크 조성물을 제공하며, 또한 상기 잉크 조성물을 이용하여 우수한 색순도 및 균일한 패턴 형성이 가능한 컬러 필터를 제공한다.
컬러 필터, 피에조, 잉크젯, DPMA, 헤드, 노즐

6. 发明公开

KR1020110134160A 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법 无效
标题翻译：非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020110134160A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053992
申请日：2010-06-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 채수두 , 황기현 , 최한메 , 양준규 , 김병주
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/0688 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/1226 , H01L45/1633 , H01L21/823431
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a non-voltage memory device is provided to freely adjust the bonding thickness of a semiconductor diode, thereby increasing the performance of a resistant memory cell. CONSTITUTION: A semiconductor layer(10) and a cover insulating layer(20) are formed on a substrate(1). An opening exposes the semiconductor layer in the cover insulating layer. A first conductive impurity is injected into a part of the semiconductor layer to form a reserved first conductive area. A spacer layer(32) covers the top of the reserved first conductive area and a side of an opening of a cover insulating layer. A first conductive area(14) is formed by eliminating a part of the reserved first conductive area.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造非电压存储器件的方法，用于自由地调节半导体二极管的结合厚度，从而提高耐性存储单元的性能。构成：在基板（1）上形成半导体层（10）和盖绝缘层（20）。开口使覆盖绝缘层中的半导体层露出。将第一导电杂质注入到半导体层的一部分中以形成保留的第一导电区域。间隔层（32）覆盖保留的第一导电区域的顶部和覆盖绝缘层的开口的一侧。通过消除保留的第一导电区域的一部分来形成第一导电区域（14）。

7. 发明公开

KR1020110015272A 테스터 및 이를 구비한 반도체 디바이스 검사 장치 有权
标题翻译：测试和测试半导体器件的设备
公开(公告)号：KR1020110015272A
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：KR1020090072909
申请日：2009-08-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병주 , 황인석 , 김정우
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/067
CPC分类号： G01R31/2891
摘要： PURPOSE: A tester and a device for testing a semiconductor device are provided to improve the reliability of an electrical property test by stabilizing a contact between electrode terminals of the semiconductor device and the probes of a probe card. CONSTITUTION: A tester body inputs and outputs an electric signal for testing a semiconductor device. A tester head transfers an electric signal between a probe card(300) and the tester body. The tester head includes a base connected to the probe card on the open lower side thereof. A horizontality maintaining unit(500) is installed on the tester head and includes a first support plate and an elastic member. The horizontality maintaining unit horizontally maintains the probe card by adding the load to the probe card.
摘要翻译：目的：提供一种用于测试半导体器件的测试器和设备，以通过稳定半导体器件的电极端子和探针卡的探针之间的接触来提高电性能测试的可靠性。规定：测试人员输入并输出用于测试半导体器件的电信号。测试器头在探针卡（300）和测试器主体之间传送电信号。测试头包括在其开放的下侧与探针卡连接的基座。水平保持单元（500）安装在测试器头部上，并包括第一支撑板和弹性构件。水平维护单元通过向探针卡添加负载来水平维护探针卡。

8. 发明授权

KR100995581B1 컬러필터기판, 이를 갖는 액정표시장치 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：彩色滤光片基板，液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100995581B1
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020030067355
申请日：2003-09-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양석윤 , 안광진 , 박상우 , 김병주
IPC分类号： G02F1/1335
摘要： 컬러필터기판에서, 컬러필터는 서로 다른 색으로 착색된 색화소로 이루어져 기판 상에 형성된다. 컬러필터에는 기판을 노출시키는 홀이 형성되고, 홀에 의해서 노출된 기판 상에는 홀에 의해서 노출된 기판과 컬러필터와의 단차를 감소시키는 평탄화막이 형성된다. 투명 전극은 컬러필터와 평탄화막 상에 구비된다. 따라서, 이와 같은 컬러필터기판을 채용하는 액정표시장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.

9. 发明公开

KR1020090100951A 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법 无效
标题翻译：非易失性存储器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020090100951A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020080026489
申请日：2008-03-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병주 , 김선정 , 훠종량 , 양준규 , 조선호 , 최한메 , 김영선
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/02356 , H01L21/28282 , H01L21/3141 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/84 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/42324
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory device and method of forming the same are provided to improve the interfacial property between the silicon oxide film and the aluminum oxide film. CONSTITUTION: The tunnel insulating layer(20) is formed on the semiconductor substrate(11). The charge trapping layer(30) is formed on the tunnel insulating layer. The first aluminum oxide film(42) successively laminated on the charge trapping layer, and the silicon oxide film(44) and the dielectric layer(40) including the second aluminum oxide layer(46) are formed. The gate electrode which contacts with the second aluminum oxide layer is formed on the dielectric layer.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件及其形成方法，以改善氧化硅膜和氧化铝膜之间的界面特性。构成：隧道绝缘层（20）形成在半导体衬底（11）上。电荷俘获层（30）形成在隧道绝缘层上。形成连续层叠在电荷俘获层上的第一氧化铝膜（42），并且形成包含第二氧化铝层（46）的氧化硅膜（44）和电介质层（40）。与第二氧化铝层接触的栅电极形成在电介质层上。

10. 发明公开

KR1020090036913A 비휘발성 기억 소자 无效
标题翻译：非易失性存储器件
公开(公告)号：KR1020090036913A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：KR1020070102214
申请日：2007-10-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최한메 , 박영근 , 이광희 , 김병주 , 이명범
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： A nonvolatile memory device is provided to reduce a leakage current by preventing a tunneling of electrons from a charge storage film to a control gate electrode. A nonvolatile memory device includes a tunnel insulation film(110), a charge storage film(120), a blocking insulation film(150), and a control gate electrode(160). The tunnel insulation film is arranged on a semiconductor substrate(100). The charge storage film is arranged on the tunnel insulation film. The blocking insulation film is arranged on the charge storage film, and has a first blocking insulation film(150a) and a second blocking insulation film(150b). The first blocking insulation film and the second blocking insulation film have different permittivity. The control gate electrode is arranged on the blocking insulation film. A tunneling distance between the charge storage film and the control gate electrode is larger than thickness of the blocking insulation film.
摘要翻译：提供非易失性存储器件以通过防止电子从电荷存储膜到控制栅电极的隧穿而减少漏电流。非易失性存储器件包括隧道绝缘膜（110），电荷存储膜（120），阻挡绝缘膜（150）和控制栅电极（160）。隧道绝缘膜布置在半导体衬底（100）上。电荷存储膜设置在隧道绝缘膜上。阻挡绝缘膜布置在电荷存储膜上，并且具有第一阻挡绝缘膜（150a）和第二阻挡绝缘膜（150b）。第一阻挡绝缘膜和第二阻挡绝缘膜具有不同的介电常数。控制栅极布置在阻挡绝缘膜上。电荷存储膜和控制栅电极之间的隧穿距离大于阻挡绝缘膜的厚度。

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