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1. 发明公开

KR1020160096673A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160096673A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020167018331
申请日：2014-07-17
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 가메야마사토루
IPC分类号： H01L27/07 , H01L29/739 , H01L29/32 , H01L21/322 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/0727 , H01L21/3223 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/66325
摘要： 소형이며, 또한, 게이트전위에의해서다이오드의순전압이잘 변화되지않는반도체장치를제공한다. 반도체기판의상면에노출되는범위에, 애노드영역과상부 IGBT 구조 (에미터영역과보디영역) 가형성되어있고, 애노드영역과상부 IGBT 구조의경계를따라서트렌치와게이트절연막과게이트전극이연장되어있고, 상기반도체기판의하면에노출되는범위에, 캐소드영역과컬렉터영역이형성되어있고, 상면측구조와하면측구조사이에드리프트영역이형성되어있고, 결정결함영역이캐소드영역의상측드리프트영역내와컬렉터영역의상측의드리프트영역내에걸쳐서연장되어있고, 반도체기판의두께를 x ㎛로 하고, 컬렉터영역의상측으로돌출되어있는부분의결정결함영역의폭을 y ㎛로 했을경우, y ≥ 0.007x- 1.09x + 126 의관계가만족되는반도체장치.
摘要翻译：并且提供了其中二极管的正向电压没有被栅极电位很好改变的半导体器件。其中在所述半导体衬底，所述阳极区和上部IGBT结构（发射极区和体区）形式类型属性，因此，阳极区域的边界并且延伸至与栅极绝缘膜和栅电极的沟槽上部IGBT结构的上表面露出的范围内，和根据阴极区暴露于半导体衬底的程度和有被形成的集电极区域，在上表面侧结构和所述漂移区域中形成沟槽的研究，该晶体缺陷区阴极区域的集电极区域内上漂移区和它延伸如果其中x中㎛所述半导体基板的厚度，并且由y朝向所述集电极区域服装突出晶体缺陷区域的宽度的部分㎛的隔着衣服侧内的漂移区，，Y≥0.007x- 1.09x + 在这个实施例中，

2. 发明授权

KR101298886B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101298886B1
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020117022689
申请日：2009-12-15
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 가메이아키라
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/8234 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/263 , H01L21/266 , H01L21/761 , H01L27/0727 , H01L29/32 , H01L29/7397
摘要： (과제) 불순물 이온이 주입되는 범위와 하전 입자가 주입되는 범위의 상대 위치의 어긋남을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 반도체 장치의 제조 방법으로서, 마스크를 불순물 이온 조사 장치와 반도체 기판 사이에 배치한 상태에서 불순물 이온을 조사하는 불순물 이온 주입 공정과, 마스크를 하전 입자 조사 장치와 반도체 기판 사이에 배치한 상태에서 하전 입자를 조사함으로써 저 라이프 타임 영역을 형성하는 하전 입자 주입 공정을 갖고 있다. 불순물 이온 주입 공정과 하전 입자 주입 공정 중 어느 일방을 개시하고 나서, 불순물 이온 주입 공정과 하전 입자 주입 공정 양방이 완료될 때까지, 마스크와 반도체 기판 사이의 상대 위치는 변경되지 않는다.

3. 发明公开

KR1020120115529A 다이오드 영역과 ＩＧＢＴ 영역을 갖는 반도체 기판을 구비하는 반도체 장치 有权
标题翻译：具有二极管区域和IGBT区域的半导体衬底的半导体器件
公开(公告)号：KR1020120115529A
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：KR1020127020205
申请日：2010-04-02
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 소에노아키타카
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/761 , H01L27/0761 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
摘要： 다이오드 영역과 IGBT 영역이 동일 반도체 기판에 형성되어 있는 반도체 장치로서, 반도체 기판의 이면측에서는, 다이오드 영역의 제 2 도전형의 캐소드 영역과, IGBT 영역의 제 1 도전형의 컬렉터 영역 사이에, 저농도 영역이 형성되어 있다. 저농도 영역은, 제 1 도전형으로서, 컬렉터 영역보다 제 1 도전형의 불순물 농도가 낮은 제 1 저농도 영역과, 제 2 도전형으로서, 캐소드 영역보다 제 2 도전형의 불순물 농도가 낮은 제 2 저농도 영역 중 적어도 어느 일방을 갖는다.

4. 发明授权

KR101897380B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101897380B1
公开(公告)日：2018-09-10
申请号：KR1020167023028
申请日：2014-09-08
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 가메야마사토루 , 이와사키신야 , 호리우치유키 , 오키슈헤이
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/268 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/36
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L21/02675 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/8222 , H01L27/0629 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0839 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/8611
摘要： 반도체기판 (12) 의표면에노출되어있는제 1 도전형영역 (38) 에있어서의제 1 도전형불순물의농도분포를반도체기판의두께방향을따라보았을때에, 표면측으로부터극대치 N1, 극소치 N2, 극대치 N3, 농도 N4 가형성되어있고, N1 > N3 > N2 > N4 의관계가만족되고있고, N3/10 > N2 의관계가만족되고있으며, 표면으로부터극대치 N1 을갖는깊이 D1 까지의거리 a 가, 극대치 N1 을갖는깊이 D1 로부터극소치 N2 를갖는깊이 D2 에서의거리 b 의 2 배보다큰 반도체장치.

5. 发明授权

KR101802104B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101802104B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020167018331
申请日：2014-07-17
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 가메야마사토루
IPC分类号： H01L27/07 , H01L29/739 , H01L29/32 , H01L21/322 , H01L29/66
CPC分类号： H01L27/0727 , H01L21/3223 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/4236 , H01L29/7397
摘要： 소형이며, 또한, 게이트전위에의해서다이오드의순전압이잘 변화되지않는반도체장치를제공한다. 반도체기판의상면에노출되는범위에, 애노드영역과상부 IGBT 구조 (에미터영역과보디영역) 가형성되어있고, 애노드영역과상부 IGBT 구조의경계를따라서트렌치와게이트절연막과게이트전극이연장되어있고, 상기반도체기판의하면에노출되는범위에, 캐소드영역과컬렉터영역이형성되어있고, 상면측구조와하면측구조사이에드리프트영역이형성되어있고, 결정결함영역이캐소드영역의상측드리프트영역내와컬렉터영역의상측의드리프트영역내에걸쳐서연장되어있고, 반도체기판의두께를 x ㎛로 하고, 컬렉터영역의상측으로돌출되어있는부분의결정결함영역의폭을 y ㎛로 했을경우, y ≥ 0.007x- 1.09x + 126 의관계가만족되는반도체장치.
摘要翻译：并且提供了其中二极管的正向电压没有被栅极电位很好改变的半导体器件。在其露出于半导体基板，阳极区和上部IGBT结构（发射极区和体区）的上表面上被形成的，因此该阳极区域的边界并且延伸至与栅极绝缘膜和栅电极的沟槽上部IGBT结构，并且该范围中，其中所述半导体衬底的下表面上露出的范围内，和阴极区，它被形成在集电区，当存在漂移区的一侧的结构与上表面侧的结构，晶体缺陷区域之间和在所述阴极区的上漂移区形成和它延伸跨过所述集电极区域的图像侧内的漂移区中，当以x㎛所述半导体基板的厚度的部分，并且通过㎛Y，Y≥0.007x突出到集电极区域的上侧到晶体缺陷区域的宽度

6. 发明授权

KR101218459B1 다이오드 영역과 ＩＧＢＴ 영역을 갖는 반도체 기판을 구비하는 반도체 장치 有权
标题翻译：具有二极管区域和IGBT区域的半导体衬底的半导体器件
公开(公告)号：KR101218459B1
公开(公告)日：2013-01-22
申请号：KR1020127020205
申请日：2010-04-02
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 소에노아키타카
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/761 , H01L27/0761 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
摘要： 다이오드 영역과 IGBT 영역이 동일 반도체 기판에 형성되어 있는 반도체 장치로서, 반도체 기판의 이면측에서는, 다이오드 영역의 제 2 도전형의 캐소드 영역과, IGBT 영역의 제 1 도전형의 컬렉터 영역 사이에, 저농도 영역이 형성되어 있다. 저농도 영역은, 제 1 도전형으로서, 컬렉터 영역보다 제 1 도전형의 불순물 농도가 낮은 제 1 저농도 영역과, 제 2 도전형으로서, 캐소드 영역보다 제 2 도전형의 불순물 농도가 낮은 제 2 저농도 영역 중 적어도 어느 일방을 갖는다.

7. 发明授权

KR101780619B1 반도체 장치와 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101780619B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020167020258
申请日：2014-11-19
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 가메야마사토루
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/32 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/28 , H01L21/322 , H01L21/3223 , H01L21/324 , H01L27/0664 , H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/4236 , H01L29/6609 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/8613
摘要： IGBT 영역은, 컬렉터층과, 제 1 드리프트층과, 제 1 보디층과, 에미터층과, 반도체기판의표면측으로부터제 1 보디층을관통하여제 1 드리프트층에도달하는트렌치게이트를구비하고있다. 다이오드영역은, 캐소드층과, 제 2 드리프트층과, 제 2 보디층을구비하고있다. 트렌치게이트의하단의깊이와, 제 1 드리프트층및 제 2 드리프트층의표면사이에위치하는제 1 드리프트층및 제 2 드리프트층에, 결정결함밀도의피크를포함하는라이프타임제어영역이형성되어있다. 반도체기판의표면측의트렌치게이트상방에, 실리콘질화막층이추가로형성되어있다.

8. 发明公开

KR1020110116251A 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110116251A
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：KR1020117022689
申请日：2009-12-15
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 이와사키신야 , 가메이아키라
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/8234 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/861 , H01L21/263 , H01L21/266 , H01L21/761 , H01L27/0727 , H01L29/32 , H01L29/7397
摘要： (과제) 불순물 이온이 주입되는 범위와 하전 입자가 주입되는 범위의 상대 위치의 어긋남을 억제할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 반도체 장치의 제조 방법으로서, 마스크를 불순물 이온 조사 장치와 반도체 기판 사이에 배치한 상태에서 불순물 이온을 조사하는 불순물 이온 주입 공정과, 마스크를 하전 입자 조사 장치와 반도체 기판 사이에 배치한 상태에서 하전 입자를 조사함으로써 저 라이프 타임 영역을 형성하는 하전 입자 주입 공정을 갖고 있다. 불순물 이온 주입 공정과 하전 입자 주입 공정 중 어느 일방을 개시하고 나서, 불순물 이온 주입 공정과 하전 입자 주입 공정 양방이 완료될 때까지, 마스크와 반도체 기판 사이의 상대 위치는 변경되지 않는다.
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件能够抑制注入杂质离子的范围和注入带电粒子的范围之间的相对位置的位移。

9. 发明授权

KR101870557B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101870557B1
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR1020167034974
申请日：2015-08-03
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 하타히로시 , 가메야마사토루 , 이와사키신야
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/322 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L21/26506 , H01L27/0727 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/7397 , H01L29/8611 , H01L29/8613
摘要： 반도체장치 (1) 에서는, 동일반도체기판 (10) 에 IGBT 와다이오드가형성되어있다. 반도체기판 (10) 과, 반도체기판 (10) 의표면에형성되어있는표면전극 (11) 과, 반도체기판 (10) 의이면에형성되어있는이면전극 (12) 을구비하고있다. 반도체기판 (10) 에는, 액티브영역 (1a) 과, 주변영역 (4) 과, 결정결함영역 (100) 이형성되어있다. 액티브영역 (1a) 에서는, 반도체기판 (10) 의표면을평면에서보았을때 IGBT 영역 (2) 과다이오드영역 (3) 이병치되어있다. 다이오드영역 (3) 에서는, 표면전극 (11) 에도통되는애노드영역 (31) 과, 이면전극 (12) 에도통되는캐소드영역 (32) 과, 애노드영역 (31) 과캐소드영역 (32) 사이에위치하는드리프트영역 (50) 이형성되어있다. 주변영역 (4) 은, 반도체기판 (10) 의표면을평면에서보았을때 액티브영역 (1a) 의주변에위치하고있다. 주변영역 (4) 은, 반도체기판 (10) 의표면으로부터애노드영역 (31) 보다깊은위치까지도달하고있음과함께표면전극 (11) 에도통되어있는 p 형의웰 영역 (41) 과, 웰영역 (41) 의이면측에위치하고있음과함께다이오드영역 (3) 내의드리프트영역 (50) 과연결되어있는드리프트영역 (50) 을구비하고있다. 결정결함영역 (100) 에서는재결합중심이도입되어주위의재결합중심의농도보다높아져있다. 결정결함영역 (100) 이, 다이오드영역 (3) 의길이방향을따라, 다이오드영역 (3) 으로부터주변영역 (4) 까지연속적으로연장되어있다.

10. 发明公开

KR1020170003686A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170003686A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020167034974
申请日：2015-08-03
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 하타히로시 , 가메야마사토루 , 이와사키신야
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/322 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0664 , H01L21/322 , H01L27/04 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/8613
摘要： 반도체장치 (1) 에서는, 동일반도체기판 (10) 에 IGBT 와다이오드가형성되어있다. 반도체기판 (10) 과, 반도체기판 (10) 의표면에형성되어있는표면전극 (11) 과, 반도체기판 (10) 의이면에형성되어있는이면전극 (12) 을구비하고있다. 반도체기판 (10) 에는, 액티브영역 (1a) 과, 주변영역 (4) 과, 결정결함영역 (100) 이형성되어있다. 액티브영역 (1a) 에서는, 반도체기판 (10) 의표면을평면에서보았을때 IGBT 영역 (2) 과다이오드영역 (3) 이병치되어있다. 다이오드영역 (3) 에서는, 표면전극 (11) 에도통되는애노드영역 (31) 과, 이면전극 (12) 에도통되는캐소드영역 (32) 과, 애노드영역 (31) 과캐소드영역 (32) 사이에위치하는드리프트영역 (50) 이형성되어있다. 주변영역 (4) 은, 반도체기판 (10) 의표면을평면에서보았을때 액티브영역 (1a) 의주변에위치하고있다. 주변영역 (4) 은, 반도체기판 (10) 의표면으로부터애노드영역 (31) 보다깊은위치까지도달하고있음과함께표면전극 (11) 에도통되어있는 p 형의웰 영역 (41) 과, 웰영역 (41) 의이면측에위치하고있음과함께다이오드영역 (3) 내의드리프트영역 (50) 과연결되어있는드리프트영역 (50) 을구비하고있다. 결정결함영역 (100) 에서는재결합중심이도입되어주위의재결합중심의농도보다높아져있다. 결정결함영역 (100) 이, 다이오드영역 (3) 의길이방향을따라, 다이오드영역 (3) 으로부터주변영역 (4) 까지연속적으로연장되어있다.
摘要翻译：在本发明中，在半导体器件1中，在同一半导体衬底10上形成IGBT和二极管。本发明设置有半导体衬底10，形成在半导体衬底10的前表面上的前表面电极11 以及形成在半导体衬底10的背面上的反面电极12.在半导体衬底10上形成有源区域1a，周边区域4和晶体缺陷区域100.在有源区域1a中，IGBT 当在平面图中看到半导体衬底10的前表面时，区域2和二极管区域3并排布置。在二极管区域3中，通向前表面电极11的阳极区域31，导通到反面电极12的阴极区域32和位于阳极区域31和阴极区域32之间的漂移区域50 形成。当在平面图中看到半导体衬底10的前表面时，外围区域4位于有源区域1a的周边。周边区域4设置有：从半导体衬底10的前表面到达比阳极区域31更深的位置并且传导到前表面电极11的p型阱区域41; 以及位于阱区域41的反面侧并且连接到二极管区域3中的漂移区域50的漂移区域50.在晶体缺陷区域100中，引入复合中心，与浓度高于周围重组中心。晶体缺陷区域100沿着二极管区域3的长度方向从二极管区域3连续地延伸到周边区域4。

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