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1. 发明公开

KR1020090093767A 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 소자를 구비한 대전류 제어회로,그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템 失效
标题翻译：包含金属绝缘体转换（MIT）器件的包含相同电路的高电流控制电路
公开(公告)号：KR1020090093767A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080091266
申请日：2008-09-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 윤선진
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L23/62 , H01L27/067 , H01L27/082 , H01L2924/0002 , H03K17/14 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要： A high current control circuit comprising a metal-insulator transition(MIT) device and a system comprising the same circuit are provided to control the heat generated from a transistor without using the cooling fin. A high current control circuit comprises a MIT-TR composition element(1000) and a switching control transistor(400). The MIT-TR composition element is connected to a current driving device(500). The MIT-TR composition element has the MIT device and a transistor for preventing heat from being generated. The MIT device performs the metal-insulator transition at the predetermined transition voltage. The transistor for preventing heat from being generated is connected to the MIT device. The switching control transistor controls the on-off switching of the MIT-TR composition element. The system has the high current control circuit in the array shape.
摘要翻译：提供包括金属 - 绝缘体转变（MIT）器件和包括相同电路的系统的高电流控制电路以控制从晶体管产生的热而不使用冷却鳍。高电流控制电路包括MIT-TR组成元件（1000）和开关控制晶体管（400）。 MIT-TR组成元件连接到电流驱动装置（500）。 MIT-TR组成元件具有MIT器件和用于防止产生热的晶体管。 MIT装置在预定的转变电压下执行金属 - 绝缘体转变。用于防止产生热量的晶体管连接到MIT装置。开关控制晶体管控制MIT-TR组成元件的开 - 关切换。该系统具有阵列形状的高电流控制电路。

2. 发明授权

KR100725618B1 트랜지스터 구조체를 제조하는 방법 有权
标题翻译：制造晶体管结构的方法
公开(公告)号：KR100725618B1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020057007449
申请日：2003-10-24
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 뵈크,요제프 , 라흐너,루돌프 , 마이스터,토마스 , 쉐퍼,헤르베르트 , 제크,마르틴 , 슈텐글,라인하르트
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要： 본 발명은, 상이한 폭들을 갖는 제 1 및 제 2 바이폴라 트랜지스터로 구성된 트랜지스터 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 상이하게 도핑된 영역들간의 모든 접합들이 샤프한 계면을 가지는 것을 특징으로 한다. 제 1 콜렉터 영역(2.1)은 높은 제한 주파수(f
T )를 갖는 고-주파 트랜지스터용으로 적합하며, 제 2 콜렉터 영역(2.2)은 증가된 항복 전합들을 갖는 고-전압 트랜지스터용으로 적합하다.

3. 发明公开

KR1020050073594A 트랜지스터 구조체를 제조하는 방법 有权
标题翻译：制造晶体管结构的方法
公开(公告)号：KR1020050073594A
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：KR1020057007449
申请日：2003-10-24
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 뵈크,요제프 , 라흐너,루돌프 , 마이스터,토마스 , 쉐퍼,헤르베르트 , 제크,마르틴 , 슈텐글,라인하르트
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L27/0825 , H01L29/0821
摘要： The invention relates to a method for producing a transistor structure, comprised of at least one first and one second bipolar transistor with different collector widths. The invention is characterized in that all junctions between differently doped regions have a sharp interface. A first collector region (2.1) is suited for use in a high-frequency transistor having high limit frequencies fT, and a second collector region (2.2) is suited for use in a high-voltage transistor having increased breakdown voltages.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造晶体管结构的方法，其包括具有不同集电极宽度的至少一个第一和第二双极晶体管。本发明的特征在于不同掺杂区域之间的所有结点具有尖锐的界面。第一集电极区域（2.1）适用于具有高限制频率fT的高频晶体管，并且第二集电极区域（2.2）适用于具有增加的击穿电压的高压晶体管。

4. 发明公开

KR1020050069127A 바이폴라 트랜지스터 제조방법 失效
标题翻译：制造双极晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020050069127A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030101064
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 송유선
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 소자분리막 형성시 측벽과 바닥에 이미터와 컬렉터 확산층을 형성하여 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 바이폴라 트렌지스터 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 소자분리막 형성을 위한 트렌치를 형성하는 단계; 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하고 바이폴라 트랜지스터가 형성될 영역인 트렌치의 측벽 및 하부에 이온주입 공정을 진행하여 이미터 및 콜렉터를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 제거하는 단계 및 상기 트렌치에 절연막을 매립하여 소자분리막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트렌지스터 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 바이폴라 트랜지스터 제조방법은 소자분리막 형성시 소자분리막을 위한 식각이 완료된 후 측벽과 바닥에 이미터와 컬렉터 확산층을 형성함으로써 소자의 면적을 최소화하였고, 고온 확산 공정없이 소자분리막을 이용한 깊은 불순물 확산층을 제공할 수 있고, 높은 증폭률과 함께 높은 전류 구동 능력을 제공할 수 있는 효과가 있다.

5. 发明公开

KR1020000075706A 반도체 및 반도체-관련 방법 无效
标题翻译：半导体与半导体相关的方法
公开(公告)号：KR1020000075706A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1019997007774
申请日：1998-03-04
申请人： 텔레폰악티에볼라겟엘엠에릭슨(펍)
发明人： 스죄딘해칸 , 쇠더배르그앤더스 , 외그렌닐스 , 함버그이바 , 오로프슨디미트리 , 앤더슨카린
IPC分类号： H01L21/266
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/0338 , H01L21/8222
摘要： 소자의도핑영역의형성및 상이한도핑영역의분리를더욱정확하게하는반도체소자의제조방법이개시되어있다. 도핑되는영역또는영역(들)을형성하는, 예로서, 선택적으로형성되는영역의폴리실리콘이, 마스크가형성되기전에소자위에증착된다. 이것으로인하여마스크는폴리실리콘층의영역내에서부합되기만하면되므로마스크의부합이덜 중요하게된다. 이러한방법으로 0.1㎛이상의정확도가달성된다.

6. 发明授权

KR100191789B1 바이폴라 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터를 가지는 반도체 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：双极晶体管，具有双极晶体管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100191789B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950035427
申请日：1995-10-13
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야마모토후미토시
IPC分类号： H01L27/082
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L29/7322
摘要： n-형 엑피택셜 층(14)은 p-형 실리콘 기판의 주표면에 형성된다.
n-형 매립확산층(2a)은 p-형 실리콘 기판(1)과 n-형 엑피택셜층(4)의 경계부에 형성된다.
n-형 확산층(5)은 n-형 매립확산층(2a)위에 배열된 n-형 엑피택셜층(4)의 표면에 형성된다.
p-형 확산층(16a)은 n-형 확산층(5)의 측단부를 에워싸게 형성된다.
p-형 매립확산층(3a)은 n-형 확산층(2a)내에 저면을 가지고, p-형 확산층(16a)의 측단면의 내부에 그측단부를 가지게 형성된다.
수직 pnp 바이폴라 트랜지스터(18)의 콜랙터 영역은 p-형 매립확산층(3a)과 p-형 확산층(16a)으로 구성된다.
pnp 바이폴라 트랜지스터(18)의 에미터 영역으로 이용되는 p-형 확산층(11b)은 n-형 확산층(5)의 표면에 형성된다.
그래서, 수직 pnp 바이폴라 트랜지스터를 가지는 반도체 장치는 그제조 코스트를 절약할 수 있고 그 신뢰성을 높일 수 있다.

7. 发明公开

KR1020130093996A 임피던스 매칭회로, 전력 증폭 회로 및 가변 캐패시터의 제조방법 无效
标题翻译：阻抗匹配电路，功率放大器和可变电容器的制造方法
公开(公告)号：KR1020130093996A
公开(公告)日：2013-08-23
申请号：KR1020120015292
申请日：2012-02-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이종민 , 민병규 , 김성일 , 윤형섭 , 문재경 , 남은수
IPC分类号： H03H7/38 , H03F3/20 , H01G5/019
CPC分类号： H01L21/8222 , H01G7/00 , H01L27/0647 , H01L27/0658 , H01L29/93 , H03F1/565 , H03F3/21 , H03F2200/36 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03H7/38 , Y10T29/43
摘要： PURPOSE: An impedance matching circuit including passive elements for controlling the matching property, an amplification circuit and a manufacturing method of a variable capacitor are provided to modify the characteristic value of passive elements included in the multi-staged impedance matching circuit, so that a broadband matching realizes. CONSTITUTION: A first variable inductor part (L1) is connected between the output terminal of a first node (N1) and an amplifying unit (AMP). A second variable inductor part (L2) is connected between the first node and a second Node (N2). The inductance value of the first variable inductor part and the second variable inductor part is determined according to the number and the length of wires. A first variable capacitor portion (C1) is connected between the first node and a ground voltage platform. A second variable capacitor portion (C2) is connected between the second node and the ground voltage platform. [Reference numerals] (AMP) Power amplifying unit
摘要翻译：目的：提供一种阻抗匹配电路，其包括用于控制匹配特性的无源元件，放大电路和可变电容器的制造方法，以修改包括在多级阻抗匹配电路中的无源元件的特性值，使得宽带匹配实现。构成：第一可变电感器部分（L1）连接在第一节点（N1）的输出端和放大单元（AMP）之间。第二可变电感器部分（L2）连接在第一节点和第二节点（N2）之间。根据导线的数量和长度确定第一可变电感器部分和第二可变电感器部分的电感值。第一可变电容器部分（C1）连接在第一节点和地电压平台之间。第二可变电容器部分（C2）连接在第二节点和地电压平台之间。（附图标记）（AMP）功率放大单元

8. 发明授权

KR101022661B1 금속-절연체 전이(ＭＩＴ) 소자를 구비한 대전류 제어회로,그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템 失效
标题翻译：包括金属 - 绝缘体转换模块的大电流控制电路和包含相同电路的系统
公开(公告)号：KR101022661B1
公开(公告)日：2011-03-22
申请号：KR1020080091266
申请日：2008-09-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 윤선진
IPC分类号： G05F3/24
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L23/62 , H01L27/067 , H01L27/082 , H01L2924/0002 , H03K17/14 , H03K17/567 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 발열문제를 해결하면서도 작은 사이즈로 대전류를 제어하고 스위칭할 수 있는 금속-절연체 전이(MIT) 소자를 구비한 대전류 제어회로, 그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템을 제공한다. 그 대전류 제어회로는 전류구동소자로 연결되고, 소정 전이 전압에서 불연속 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)를 겪는 MIT 소자, 및 상기 전류구동소자와 상기 MIT 소자 사이에 연결되어 상기 MIT 소자의 온-오프(On-Off) 스위칭을 제어하는 스위칭제어 트랜지스터;를 포함하여, 상기 전류구동소자로 입력 또는 출력되는 대전류를 스위칭한다. 한편, MIT 소자는 발열 방지를 위한 발열방지 트랜지스터가 연결됨으로써 MIT-TR 복합소자를 구성할 수 있다.
금속-절연체 전이, MIT 소자, 대전류 제어회로

9. 发明授权

KR100169159B1 바이폴라 반도체 장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：双极半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100169159B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950034432
申请日：1995-10-07
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 이케가미마사아끼 , 요시히사야스키
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L21/82285 , H01L27/0826 , H01L29/7322
摘要： 콜렉터와 베이스사이의 용량을 작게하고 응답속도를 가속하여 CB 접합내압(BV
CBO )이 높아지는 본 발명에 의해 제조된 바이폴라 반도체 장치.
종형 트랜지스터의 베이스가 있는 n
+ 형 웰확산층(20)이 n
_ 형 에피택셜층(5)~p
+ 형 매입 확산층(4) 확장하여 형성된다.
나아가, p
+ 형 콜렉터 확산층(6)이 불순물 농도에 의존하여 소정의 거리(d)의 간격을 둘러싸고 p
+ 형 매입 확산층(4)에 확장하여 형성된다.
더나아가, 필드산화막(21)이 n
+ 형 웰확산층(20)과 n
_ 형 에피택셜층(5)사이의 표면위에 형성된다.

10. 发明授权

KR100131591B1 집적화된 쇼트키 다이오드를 가지는 반도체 디바이스 및 트랜지스터 형성 방법과 그 트랜지스터 失效
标题翻译：集成肖特基二极管和晶体管
公开(公告)号：KR100131591B1
公开(公告)日：1998-04-15
申请号：KR1019890003819
申请日：1989-03-27
申请人： 모토로라 솔루션즈, 인크.
发明人： 로버트브루스데이비스
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L29/66212 , H01L21/8222 , H01L21/8249 , H01L27/0766 , H01L29/872 , H03K17/06 , H03K17/063
摘要： 내용 없음.

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