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1. 发明授权

KR102428994B1 반도체 소자 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102428994B1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：KR1020210040320
申请日：2021-03-29
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/07
摘要： 반도체소자제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자제조방법은, 기판에제1 배선금속층을증착하는단계; 상기제1 배선금속층에제1 배리어금속층을증착하는단계; 상기제1 배리어금속층에제1 절연층을증착하는단계; 상기제1 절연층에제2 배리어금속층을증착하는단계; 상기제2 배리어금속층을식각하여 MIM 캐패시터영역및 박막저항영역을형성하는단계; 상기제2 배리어금속층및 상기제1 절연층에하드마스크를형성하는단계; 상기 MIM 캐패시터영역및 상기박막저항영역사이에분리된배선패턴을형성하는단계; 상기하드마스크상에배선간절연막을증착하는단계; 및상기 MIM 캐패시터영역및 상기박막저항영역에비아홀들을형성하며, 상기비아홀들을금속으로채워비아컨택층을형성하는단계를포함한다.

3. 发明授权

KR102398995B1 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102398995B1
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：KR1020200173329
申请日：2020-12-11
IPC分类号： H01L27/07 , H01L49/02 , H01L29/739
摘要： 본발명의일 관점에의한전력반도체칩은, 메인셀 영역및 센서영역을포함하는반도체층과, 상기메인셀 영역에형성된복수의전력반도체트랜지스터들과, 상기센서영역에형성된복수의전류센서트랜지스터들과, 상기전류센서트렌지스터들에흐르는전류를감지하기위해상기전류센서트랜지스터들에연결되며, 상기복수의전력반도체트랜지스터들과온도차이를줄이도록상기반도체층내에또는상기반도체층상에형성된센싱저항을포함한다.

4. 发明授权

KR102378401B1 절연 재료와 메모리 셀들의 수직으로 교대되는 층들을 포함하는 메모리 어레이 및 메모리 어레이를 형성하는 방법 有权
公开(公告)号：KR102378401B1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：KR1020207009769
申请日：2018-08-31
IPC分类号： H01L27/07 , H01L27/02 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L27/108
摘要： 메모리어레이는절연재료및 메모리셀의수직으로교대되는층들을포함한다. 메모리셀들은개별적으로트랜지스터및 커패시터를포함한다. 커패시터는트랜지스터의소스/드레인영역에전기적으로결합된제1 전극을포함한다. 제1 전극은직선수평단면의고리및 제1 전극고리의반경방향내측에있는커패시터절연체를포함한다. 제2 전극은커패시터절연체의반경방향내측에있다. 커패시터전극구조는수직으로교대되는층들을통해높게연장된다. 개별커패시터들의개별제2 전극들은높게연장되는커패시터전극구조에전기적으로결합된다. 감지라인은상이한메모리셀 층들에있는다수의트랜지스터들의다른소스/드레인영역에전기적으로결합된다. 방법을포함하는추가실시예 및양태가개시된다.

5. 发明授权

KR102371883B1 전송 게이트 구조물, 레이아웃, 방법, 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102371883B1
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：KR1020190110986
申请日：2019-09-06
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/07 , H01L21/8238
摘要： 전송게이트구조물은제1 활성영역내의제1 및제2 PMOS 트랜지스터및 제2 활성영역내의제1 및제2 NMOS 트랜지스터를포함한다. 제1 및제2 PMOS 트랜지스터는제1 및제2 게이트구조물을포함하고, 제1 NMOS 트랜지스터는제2 게이트구조물에결합된제3 게이트구조물을포함하고, 제2 NMOS 트랜지스터는제1 게이트구조물에결합된제4 게이트구조물을포함한다. 제1 금속 0 세그먼트는제1 활성영역위에위치하고, 제2 금속 0 세그먼트는제1 금속 0 세그먼트부터오프셋거리만큼오프셋되고, 제3 금속 0 세그먼트는제2 금속 0 세그먼트로부터오프셋거리만큼오프셋되고, 제4 금속 0 세그먼트는제3 금속 0 세그먼트로부터오프셋거리만큼오프셋되고제2 활성영역위에위치한다.

6. 发明授权

KR102227347B1 3D 메모리 구조들에서의 고종횡비 홀 형성에 대한 상향식 접근법 有权
公开(公告)号：KR102227347B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020207008942
申请日：2018-08-28
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 고팔라자,프라부람 , 로이,서스밋싱하 , 말릭,아비지트바수 , 간디코타,스리니바스
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/07 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/02
摘要： 메모리구조들을형성하는방법들이설명된다. 금속막이구조화된기판의피처들에증착되고, 필러들을형성하도록체적팽창된다. 블랭킷막이필러들의높이미만의높이로증착되고, 블랭킷막은필러들의상부로부터제거된다. 필러들의높이는필러들의상부가블랭킷막의표면아래에있도록감소되고, 프로세스는선택적으로, 미리결정된높이의구조를형성하도록반복된다. 필러들은, 고종횡비피처들을형성하도록, 미리결정된높이의구조의형성후에피처들로부터제거될수 있다.

7. 发明公开

KR20210010748A 3차원 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20210010748A
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：KR20190087351
申请日：2019-07-19
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L27/07 , H01L27/088 , H01L29/45
摘要： 3차원반도체장치는, 하부기판, 상기하부기판상의하부트랜지스터들, 상기하부트랜지스터들상의상부기판, 상기하부트랜지스터들과상기상부기판사이에배치되는하부도전라인들, 및상기상부기판상의상부트랜지스터들을포함한다. 상기하부트랜지스터들중 적어도하나는상기하부도전라인들중 대응하는하부도전라인에연결된다. 상기상부트랜지스터들의각각은상기상부기판상의상부게이트전극, 및상기상부게이트전극의양 측에상기상부기판상에배치되는상부소스/드레인패턴들을포함한다. 상기상부게이트전극은실리콘저머늄(SiGe)을포함한다.

8. 发明授权

KR102193691B1 2단자 상변화 메모리 소자 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102193691B1
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20180135268
申请日：2018-11-06
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/06 , H01L27/07 , H01L45/00
摘要： 2단자상변화메모리소자및 그동작방법이개시된다. 일실시예에따르면, 상변화메모리소자에서사용되는상변화메모리셀은, P 타입또는 N 타입의반도체물질로형성되는중간층; 및상기 P 타입또는상기 N 타입중 상기중간층을형성하는반도체물질과다른타입의반도체물질로상기중간층의양단에형성되는상부층과하부층을포함하고, NPN 또는 PNP 구조로형성되어, 상기상부전극및 상기하부전극으로부터상기상부층및 상기하부층을통해인가되는전압을상기중간층, 상기상부층또는상기하부층중 데이터저장소로사용되는 P 타입의적어도하나의층에선택적으로스위칭함을특징으로한다.

9. 发明授权

KR101945231B1 2차원 물질 기반의 능동소자 有权
公开(公告)号：KR101945231B1
公开(公告)日：2019-02-08
申请号：KR1020180006200
申请日：2018-01-17
申请人： 한국과학기술원
发明人： 민범기 , 김우영
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L27/07

10. 发明公开

KR1020170097269A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170097269A
公开(公告)日：2017-08-28
申请号：KR1020160018631
申请日：2016-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경은 , 김병윤 , 남기형 , 김봉수 , 김은정 , 황유상
IPC分类号： H01L27/07 , H01L49/02 , H01L27/08
CPC分类号： H01L28/56 , H01L27/10808 , H01L27/10817 , H01L27/10847 , H01L27/10852 , H01L28/75 , H01L28/82 , H01L28/88 , H01L28/90 , H01L28/92
摘要： 본발명의실시예에따른반도체소자는, 2차원적으로배열된하부전극들, 상기하부전극들의표면들을덮는유전막, 및상기유전막상의상부전극을포함하는캐패시터구조체및 상기하부전극들을지지하는지지구조체를포함하되, 상기지지구조체는상기하부전극들중 어느일부의측벽들을덮는제 1 지지영역및 상부에서볼 때, 상기제 1 지지영역을둘러싸는오프닝을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方式的半导体装置中，用于支撑所述电容器结构的支撑和下部电极包括电介质膜，和覆盖该下电极，布置在两维的下电极的表面的电介质膜的上电极其中，支撑结构包括覆盖下电极的一部分的侧壁的第一支撑区域和当从上方观察时围绕第一支撑区域的开口。

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