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61. 发明公开

KR1020110047966A 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020110047966A
公开(公告)日：2011-05-09
申请号：KR1020100080624
申请日：2010-08-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하라다카즈히로 , 이타타니히데하루 , 호리이사다요시
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/28518 , C23C16/0218 , C23C16/06 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/28562
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus of processing a substrate are provided to form a continuous film in a thin film by solving the deterioration of surface morphology. CONSTITUTION: In a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus of processing a substrate, a support stand(203) supporting a wafer(200) is installed in a process chamber(201). A susceptor(217) is installed in the top side of the support stand. The bottom part of the support stand passes through the bottom of a processing container(202). An elevating mechanism(207b) raising the support stand is installed outside the process chamber. Three lift pins are installed in the bottom of the process chamber.
摘要翻译：目的：提供制造半导体器件的方法和处理衬底的设备，以通过解决表面形态的劣化来形成薄膜中的连续膜。构成：在制造半导体器件的方法和处理衬底的装置中，将支撑晶片（200）的支撑架（203）安装在处理室（201）中。感受器（217）安装在支撑架的顶侧。支撑台的底部通过处理容器（202）的底部。将支撑架升高的升降机构（207b）安装在处理室的外部。三个提升销安装在处理室的底部。

62. 发明公开

KR1020110038165A 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체장치의 제조방법 无效
标题翻译：形成电阻图案的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110038165A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020117004972
申请日：2004-01-30
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 쿠와바라히데아키
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , G03F7/00
CPC分类号： H01L21/32139 , C23C16/45589 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01J2237/3342 , H01L21/2855 , H01L21/28562 , H01L21/312 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L51/0017 , H01L51/0022 , H01L51/5206 , H01L51/56 , H01L21/0274 , G02F1/1326 , G03F7/0017
摘要： In the case in which a film for a resist is formed by spin coating, there is a resist material to be wasted, and the process of edge cleaning is added as required. Further, when a thin film is formed on a substrate using a vacuum apparatus, a special apparatus or equipment to evacuate the inside of a chamber vacuum is necessary, which increases manufacturing cost. The invention is characterized by including: a step of forming conductive layers on a substrate having a dielectric surface in a selective manner with a CVD method, an evaporation method, or a sputtering method; a step of discharging a compound to form resist masks so as to come into contact with the conductive layer; a step of etching the conductive layers with plasma generating means using the resist masks under the atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure; and a step of ashing the resist masks with the plasma generating means under the atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure. With the above-mentioned characteristics, efficiency in use of a material is improved, and a reduction in manufacturing cost is realized.

63. 发明公开

KR1020110014070A 증착 장치 无效
标题翻译：蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR1020110014070A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020097012845
申请日：2008-05-30
申请人： 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 고이시료우스케 , 곤다도시아키 , 다카하시요시히로
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/4588 , C23C16/54
摘要： 본 발명은 기존의 진공 증착 장치를 사용하는 데에도 관계없이, 용기의 증착 시간을 대폭 단축할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
증착 장치는, 회전축을 중심으로 하여 회전 가능한 회전체(14)를 설치하고, 회전체(14)에는 둘레 방향을 향해 증착 유닛을 복수 배치하며, 회전체(14)의 둘레부를 향하는 위치에는 마이크로파 발진기(34)를 배치하고 있다. 증착 유닛(15)의 챔버 본체(16)의 용기 공급 위치로부터 용기 증착 위치에 증착 유닛(15)이 회전 이동되는 동안에 용기(25) 안 및 처리실(24) 안을 진공 장치에 의해 예비 감압하고, 용기 증착 위치로 증착 유닛과 발진기(34)가 근접한 후에, 용기 안 및 처리실을 주로 감압하도록 하였다. 그리고, 마이크로파 발진기(34)에 의해, 용기가 증착된다.

64. 发明授权

KR101012511B1 고효율 태양광 장비를 위한 반사 방지 및 고효율 다층 박막 형성용 ＡＰＣＶＤ 장치 失效
标题翻译：用于抗反射和高通量多层薄膜的高效太阳能电池设备的APCVD装置
公开(公告)号：KR101012511B1
公开(公告)日：2011-02-08
申请号：KR1020100064792
申请日：2010-07-06
申请人： 손호섭
发明人： 손호섭
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/54 , H01L31/036 , H01L31/0392
摘要： PURPOSE: An APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) apparatus for forming a multilayer thin film with high efficiency and anti-reflection for high efficiency solar cell equipment is provided to improve deposition speed by depositing a thin film at the atmospheric pressure. CONSTITUTION: A transfer unit continuously transfer a substrate(130) in a reaction chamber. A plurality of nozzles(150a,150b,150c) are installed on the upper side of a transfer path of the substrate to correspondingly face the substrate one by one. A gas supply unit supplies reactive gas to each nozzle with a different ratio. A substrate heating unit heats the substrate with a process temperature. A multilayer thin film with different property is formed on the substrate with an in-situ type.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成高效率和抗反射的多层薄膜用于高效太阳能电池设备的APCVD（大气压化学气相沉积）设备，以通过在大气压下沉积薄膜来提高沉积速度。构成：传送单元在反应室中连续地传送基板（130）。多个喷嘴（150a，150b，150c）安装在基板的传送路径的上侧，以逐一对应于基板。气体供应单元以不同的比例向每个喷嘴提供反应气体。基板加热单元以工艺温度加热基板。具有不同性质的多层薄膜以原位形式形成在基底上。

65. 发明公开

KR1020110002428A 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 시스템 有权
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：KR1020110002428A
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020100061914
申请日：2010-06-29
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 오가와아리토 , 호리이사다요시 , 사토다케토시 , 이타타니히데하루 , 미세노부유키 , 토노무라오사무
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/31616 , C23C16/303 , C23C16/403 , C23C16/45525 , C23C16/54 , C23C16/56 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/68785 , H01L28/40
摘要： PURPOSE: A semiconductor device manufacturing method, and a substrate processing system thereof are provided to form a high dielectric constant insulation layer by alternately implementing the process of supplying the oxidation source into the process chamber and discharging it. CONSTITUTION: A process chamber(201) processes a substrate(2). The aluminum ingredient supply system supplies the aluminum raw material into the process chamber. The ingredient supply system supplies the raw material into the process chamber. The oxidant source or the nitrate circle supply system supply the oxidant source or the nitrate source into the process chamber.
摘要翻译：目的：提供半导体器件制造方法及其衬底处理系统，以通过交替地实施将氧化源供应到处理室并将其放电的工艺来形成高介电常数绝缘层。构成：处理室（201）处理衬底（2）。铝成分供应系统将铝原料供应到处理室中。成分供应系统将原料供应到处理室中。氧化剂源或硝酸盐供应系统将氧化剂源或硝酸盐源供应到处理室中。

66. 发明公开

KR20100130005A Apparatus of evaporation and control method the same 有权
标题翻译：蒸发和控制方法的设备
公开(公告)号：KR20100130005A
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR20090048648
申请日：2009-06-02
申请人： SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO LTD
发明人： HWANG MIN JEONG , CHA YOU MIN , CHO WON SEOK , PARK JAE MORK , PARK JAE WAN , AHN JAE HONG
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/54 , C23C14/568
摘要： PURPOSE: A deposition apparatus and a control method thereof are provided to continue the operation of a cluster even when a part of reaction chambers doesn't work. CONSTITUTION: A deposition apparatus comprises a first chamber(2), a second chamber(3), a third chamber(4), a transfer chamber(5), and a controller. The first chamber is set to deposit a first deposition material in on an object. The second chamber is set to deposit a second deposition material different from the first deposition material on the object. The third chamber is set to deposit the first deposition material on the object. The transfer chamber is connected to the first through third chambers and supplies the object to one of the three chambers. The controller transfers the object from the transfer chamber to one of the three chambers to be deposited.
摘要翻译：目的：提供一种沉积设备及其控制方法，以便即使当反应室的一部分不起作用时仍继续进行簇的操作。构成：沉积装置包括第一室（2），第二室（3），第三室（4），传送室（5）和控制器。设置第一室以将第一沉积材料沉积在物体上。第二室被设定为将不同于第一沉积材料的第二沉积材料沉积在物体上。第三室设置成将第一沉积材料沉积在物体上。传送室连接到第一至第三室，并将物体供应到三个室中的一个。控制器将物体从传送室转移到要沉积的三个室中的一个。

67. 发明公开

KR1020100120718A 박막 태양전지 제조 장치 有权
标题翻译：制造薄膜太阳能电池的装置
公开(公告)号：KR1020100120718A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：KR1020107022387
申请日：2009-06-03
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 시미즈야스오 , 오가타히데유키 , 마츠모토고이치 , 노구치다카후미 , 와카모리죠지 , 오카야마사토히로 , 모리오카야와라 , 스기야마노리야스 , 시게타다카시 , 구리하라히로유키
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445
CPC分类号： H01L21/67754 , C23C16/4401 , C23C16/4587 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67781 , H01L31/0687 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： 이 박막 태양전지 제조 장치는, 기판을 수용하는 성막실과; 이 성막실 내에서, 상기 기판에 대해 CVD법에 의한 막형성을 행하는 전극 유닛;을 구비한 박막 태양전지 제조 장치로서, 상기 전극 유닛이, 애노드 및 캐소드와; 이들 애노드 및 캐소드를 보유지지하며, 상기 성막실의 벽부의 일부를 이루고, 또한 상기 성막실에 대해 착탈 가능한 측벽부;를 가진다.

68. 发明公开

KR1020100100958A 멀티-패스 진공 코팅 시스템 审中-实审
标题翻译：多通真空涂料系统
公开(公告)号：KR1020100100958A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020107015206
申请日：2008-12-29
申请人： 엑사테크 엘.엘.씨.
发明人： 가스워쓰스티븐엠.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/50 , C23C14/568 , C23C16/4408 , C23C16/4409 , C23C16/54 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32816 , H01J2237/3321 , H01L21/67173 , H01L21/67745
摘要： 본 발명은, 시스템을 통해 횡단하는 기판에 다중 코팅을 적용하는, 멀티-패스 코팅 시스템 및 방법을 제공한다. 상기 시스템은, 시스템 내부에 대기압 미만의 압력을 정착시키도록 시스템에 결합되는 하나 이상의 진공 펌프를 포함한다. 상기 시스템은 또한, 코팅층이 기판에 적용되는 하나 이상의 코팅 구역, 및 시스템 외부의 대기압과 시스템 내부의 대기압 미만의 압력 사이에서 통과하는 기판을 전환시키는 하나 이상의 트랜스퍼 록을 포함한다. 시스템을 통해 기판을 이동시키기 위해서, 상기 시스템은 기판이 시스템으로부터 배출되기 전에 코팅 구역을 통해 2회 이상 기판을 이동시키도록 되어 있는 수송 메커니즘을 포함한다.
摘要翻译：一种用于将多个涂层施加到穿过该系统的基底的多遍涂覆系统和方法。该系统包括至少一个耦合到系统的真空泵，以在系统内建立次大气压力。该系统还包括至少一个涂层区域，其中将涂层施加到基底上并且包括至少一个转移锁定物，基底通过该转移锁定物在系统外部的大气压力与系统内的次大气压力之间转变。为了将基板移动通过系统，系统包括传送机构，其构造成在基板从系统退出之前将基板移动至少两次穿过涂覆区域。

69. 发明公开

KR1020100086508A 성막 장치 및 성막 방법 无效
标题翻译：胶片形成装置和胶片形成方法
公开(公告)号：KR1020100086508A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020107014258
申请日：2008-12-12
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 하야시노부히로 , 코바야시요스케 , 사이토타카오 , 이지마마사유키 , 타다이사오
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/44 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/56 , C23C16/4412 , C23C16/54
摘要： It is possible to provide a film formation device and a film formation method which can reduce an air exhaust time of an air exhaust system having a large condensation load and improve productivity. The film formation device simultaneously performs film formation on a plurality of bases. The device includes: a support unit (50) having a support portion which rotatably supports the bases around a rotation shaft; a vacuum chamber (10) having a cylindrical processing chamber (14) which rotatably contains the support unit (50); film formation sources arranged inside the vacuum chamber (10); a low-temperature air exhaust unit (21) having a low-temperature condensation source (21A) arranged to oppose to an upper position support member (52) of the vacuum chamber (10); and an auxiliary pump (22).
摘要翻译：可以提供一种可以减少具有大的冷凝负荷的排气系统的排气时间并提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置同时在多个基底上进行成膜。该装置包括：支撑单元（50），其具有支撑部分，其可旋转地支撑围绕旋转轴的基部; 具有可旋转地容纳所述支撑单元（50）的圆柱形处理室（14）的真空室（10）; 设置在真空室（10）内的成膜源; 具有与所述真空室（10）的上部位置支撑构件（52）相对配置的低温冷凝源（21A）的低温排气单元（21）。和辅助泵（22）。

70. 发明公开

KR1020100075721A 도장 공정과 연계 가능한 인라인 진공증착 시스템 및 이를 이용한 증착 방법 无效
标题翻译：可连接涂层系统的在线真空沉积系统。和使用它的沉积方法
公开(公告)号：KR1020100075721A
公开(公告)日：2010-07-05
申请号：KR1020090100133
申请日：2009-10-21
申请人： 바코스 주식회사
发明人： 김윤택 , 양순석 , 조상무
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/24 , C23C14/20
CPC分类号： C23C16/54 , C23C14/56 , H01L21/67173 , H01L21/6776
摘要： PURPOSE: An in-line vacuum deposition system which can connect with coating system and a deposition method using the same are provided to improve spatial utilization and reduce failure rate by automating a painting process and a deposition process. CONSTITUTION: An in-line vacuum deposition system which can connect with coating system comprises a conveyor line(10), first and second vacuum evaporation lines(20-1,20-2), a first carrier station(30-1), and a second carrier station(30-2). The conveyor line transfers a coating jig(50) to a top painting line. The first and the second vacuum evaporation line are installed to be parallel. The first and the second vacuum evaporation line comprise a loading chamber(21), a reaction chamber(22), and an unloading chamber(23). The first carrier station reciprocates from the loading chamber of the first vacuum evaporation line to the unloading chamber of the second vacuum evaporation line.
摘要翻译：目的：提供可与涂布系统连接的在线真空沉积系统和使用其的沉积方法，以通过自动化涂漆工艺和沉积工艺来提高空间利用率并降低故障率。构成：可与涂层系统连接的在线真空沉积系统包括输送线（10），第一和第二真空蒸发管线（20-1,20-2），第一载体站（30-1）和第二载波台（30-2）。输送线将涂覆夹具（50）传送到顶部涂漆线。第一和第二真空蒸发管线平行安装。第一和第二真空蒸发管线包括装载室（21），反应室（22）和卸载室（23）。第一载体台从第一真空蒸发管线的装载室往第二真空蒸发管线的卸载室往复运动。

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