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1. 发明授权

KR102470876B1 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법 및 이를 통해 제조된 모놀리식 3차원 소자 有权
公开(公告)号：KR102470876B1
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：KR1020210012510
申请日：2021-01-28
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , B23K26/06 , H01L21/31
摘要： 본발명의다양한실시예에는, 모놀리식 3차원(Monolithic 3D) 구조에적용할수 있는새로운결정화방법을제공할수 있다. 본발명의다양한실시예에따른모놀리식 3차원소자의상부층고결정화방법은, 절연막이형성된하부소자를준비하는단계; 상기절연막상에비정질실리콘계층을증착하는단계; 상기비정질실리콘계층 상에쉐브론패턴을포함하는마스크를형성하는단계; 상기비정질실리콘계층을쉐브론패턴으로패터닝하는단계; 및상기패터닝된비정질실리콘계층에레이저를조사하는단계를포함한다.

2. 发明授权

KR102434943B1 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 有权
公开(公告)号：KR102434943B1
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：KR1020227014234
申请日：2018-03-12
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/31
摘要： 처리가스가플라스마여기되는플라스마생성공간과, 플라스마생성공간에연통하는기판처리공간을포함하는적어도하나의처리용기와, 플라스마생성공간을둘러싸도록배치됨과함께상기적어도하나의처리용기의외주에권회하도록마련된코일, 및해당코일에고주파전력을공급하는고주파전원을포함하는플라스마생성부와, 상기플라스마생성공간에처리가스를공급하는가스공급부와, 상기적어도하나의처리용기의외측에마련되어, 상기적어도하나의처리용기의온도를검출하도록구성되어있는적어도하나의온도센서와, 기판을처리하기위한처리레시피의실행전에, 상기적어도하나의온도센서에의해검출되는상기적어도하나의처리용기의온도가미리설정되는상한값및 하한값에의해규정되는목표온도의범위내에수렴되도록제어하는제어부를포함하는구성이제공된다.

3. 发明授权

KR102369142B1 금속 인터커넥트의 시임 치유 有权
公开(公告)号：KR102369142B1
公开(公告)日：2022-03-02
申请号：KR1020167031073
申请日：2014-06-16
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L23/532
摘要： 본개시내용의실시예들은금속인터커넥트내의시임및 보이드의제거, 및관련기술및 구성을설명한다. 일실시예에서, 방법은인터커넥트를형성하기위해, 유전성재료내에배치된리세스내에금속을균등하게퇴적하는단계 - 금속을균등하게퇴적하는단계는리세스내의또는리세스에바로인접하는퇴적된금속내에시임또는보이드를유발함 - 및시임또는보이드를제거하기위해반응가스의존재하에금속을가열하는단계를포함하고, 금속은구리의융점보다높은융점을갖는다. 다른실시예들이설명및/또는청구될수 있다.

4. 发明授权

KR102300452B1 표시장치 有权
公开(公告)号：KR102300452B1
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：KR1020150105884
申请日：2015-07-27
IPC分类号： G02F1/1333 , G09F9/30 , H01L21/31
摘要： 본발명의실시예는보더리스방식에서구동회로가실장된칩온필름이부착되는하부기판의일측가장자리영역의신호라인들에외부의정전기가인가되는것을방지할수 있는표시장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른표시장치는하부기판, 상부기판, 신호라인들, 및그라운드라인을포함한다. 상기상부기판은상기하부기판상에배치된다. 상기신호라인들과상기그라운드라인은상기하부기판상에마련된다. 상기그라운드라인은상기신호라인들보다상기하부기판의외곽에배치된다. 상기상부기판에의해덮이지않는신호라인들은절연막에의해덮여있고, 상기상부기판에의해덮이지않는그라운드라인은상기절연막에의해덮이지않고노출된다.

5. 发明授权

KR102247918B1 반도체 장치 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102247918B1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：KR1020140041157
申请日：2014-04-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유우경 , 안상훈 , 라상호 , 백종민 , 이내인
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31
摘要： 본발명은반도체장치및 이의제조방법을제공한다. 이장치에서는다양한간격의배선들사이에에어갭영역이존재한다.

6. 发明授权

KR102225059B1 액면계, 그것을 구비한 기화기, 및 액면 검지 방법 有权
公开(公告)号：KR102225059B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020197017497
申请日：2017-12-22
申请人： 가부시키가이샤 후지킨
发明人： 히다카아츠시 , 나카타니타카토시 , 야마시타사토루 , 스기타카츠유키 , 히라타카오루 , 나가세마사아키 , 니시노코우지 , 이케다노부카즈
IPC分类号： G01F23/22 , G05D9/12 , B01J4/00 , C23C16/448 , H01L21/205 , H01L21/31
摘要： 본발명에관한액면계(20)는측온저항체(R11)와, 그상방에위치하는온도측정체(R12)와, 측온저항체및 온도측정체의온도를검출하는온도검출부(27)와, 측온저항체및 온도측정체가미리정해진온도차가되도록측온저항체에흘려보내지는전류값을결정하는전류제어부(28)와, 결정된전류값의전류를측온저항체에흘려보내지는전원부(22)와, 액면의위치를검지하는액면검지부(29)를구비하고, 액면검지부는측온저항체에흐르는전류값의미리정해진일정기간에있어서의변화폭의양음, 및변화폭이미리정해진값 이상인지의여부에따라, 측온저항체에대한액면의상대위치의변화를검지한다. 이것에의해, 측온저항체의특성의변동의영향을받지않고, 액면의위치를정밀도좋게검출할수 있다.

7. 发明授权

KR102219482B1 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102219482B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020150029809
申请日：2015-03-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 전치훈 , 나제호 , 정동윤 , 고상춘 , 남은수 , 이형석
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/20 , H01L21/31 , H01L21/28 , H01L23/467
摘要： 본발명은반도체소자를제공한다. 반도체소자는동적인움직임으로냉각매체의흐름을발생시키는외팔보를갖는기판, 상기기판상에제공된활성영역, 상기기판상에상기활성영역과이격되어배치되는절연막, 상기절연막상에배치되는하부전극, 상기하부전극상에배치되는압전막및 상기압전막상에배치되는상부전극을포함한다.

8. 发明授权

KR102216542B1 2차원 물질을 이용한 수평형 다이오드를 포함하는 전자소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102216542B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 최민섭 , 유원종 , 곡덕순 , 라창호 , 유효지 , 이승환 , 이지아
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
摘要： 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.

9. 发明授权

KR102213487B1 내플라즈마성 부재 有权
公开(公告)号：KR102213487B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020197035509
申请日：2015-12-25
申请人： 토토 가부시키가이샤
发明人： 이와사와준이치
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/763 , H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C24/04
摘要： 기재와, 상기기재의표면에형성되어이트리아다결정체를포함하고내플라즈마성을갖는층상구조물을구비하고, 상기층상구조물을구성하는이트리아다결정체에포함되는결정자끼리는이상을통해서접합되어있지않고, 상기층상구조물을구성하는이트리아다결정체는입방정만을포함하는결정구조또는입방정과단사정이혼재한결정구조를갖고, 상기층상구조물을구성하는이트리아다결정체중에있어서의입방정에대한단사정의비율의평균값은 0%보다크고 60% 이하인것을특징으로하는내플라즈마성부재.

10. 发明授权

KR102211651B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102211651B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020140042336
申请日：2014-04-09
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 고에즈카준이치 , 나카자와야스타카 , 시마유키노리 , 진초우마사미 , 사카쿠라마사유키 , 나카시마모토키
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 구리, 알루미늄, 금, 은, 몰리브덴등을사용하여형성되는배선의가공공정의안정성을높인다. 또는, 본반도체막의불순물농도를저감한다. 또는, 반도체장치의전기특성을향상시킨다. 산화물반도체막과, 상기산화물반도체막에접하는산화물막과, 상기산화물막에접하는, 구리, 알루미늄, 금, 은, 몰리브덴등을사용하여형성되는한 쌍의도전막을갖는트랜지스터에있어서, 산화물막이복수의결정부를갖고, 상기복수의결정부에있어서, c축배향성을갖고, 또한 c축이산화물반도체막또는산화물막의상면의법선벡터에평행한방향을향하고있다.

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