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1. 发明授权

KR101923363B1 성막 장치, 연속 성막 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101923363B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020110092173
申请日：2011-09-09
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/477 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/40 , C23C16/407 , C23C16/4401 , C23C16/50 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 안정된전기적특성과높은신뢰성을갖는반도체장치를실현하는성막장치를제공하는것을과제의하나로한다. 또한, 마더유리와같은큰 기판을사용하여, 신뢰성이높은반도체장치를대량생산할수 있는성막장치를제공하는것을과제의하나로한다. 또한, 상기성막장치를사용하여안정된전기적특성과높은신뢰성을갖는반도체장치의제작방법을제공하는것을과제의하나로한다. 기판의반송기구와, 반송기구가보내는기판의진행방향에따라산화물반도체를성막하는제 1 성막실과, 제 1 열처리를행하는제 1 가열실을갖고, 기판은, 상기기판의성막면과연직방향이이루는각이 1° 이상 30° 이내로제한하도록유지되어, 대기에노출시키지않고, 기판에제 1 막을성막한후에제 1 열처리를실시할수 있는성막장치를사용하여산화물반도체층을형성한다.

2. 发明授权

KR101853105B1 기판 이송 디바이스 및 기판들을 이동시키는 방법 有权
标题翻译：一种移动基板传送装置和基板的方法
公开(公告)号：KR101853105B1
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：KR1020157009182
申请日：2012-09-10
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 린덴베르크,랄프
IPC分类号： H01L21/677 , B65G49/06 , C23C14/50
CPC分类号： H01L21/67748 , B65G13/00 , B65G47/52 , B65G49/063 , B65G49/067 , B65G2201/02 , C23C14/50 , C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/677 , H01L21/67751 , H01L21/6776
摘要： 운송방향을따르는기판이송을위한, 그리고상기운송방향을따라연장되는, 제 1 운송경로와제 2 운송경로사이의변경을위한이송디바이스가제공된다. 제 1 운송경로는, 운송방향에대해수직인스위치방향으로제 2 운송경로에대하여변위된다(displaced). 이송디바이스는, 챔버에서기판또는기판캐리어를지지하기위한제 1 트랙을정의하는제 1 기판지지어셈블리를포함한다. 이송디바이스는, 챔버에서기판또는기판캐리어를지지하기위한제 2 트랙을정의하는제 2 기판지지어셈블리를더 포함한다. 제 1 기판지지어셈블리및 제 2 기판지지어셈블리는, 적어도스위치방향으로서로에대하여이동가능하다.

3. 发明公开

KR20180038577A 복수 챔버의 화학 기상 증착 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20180038577A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR20187009406
申请日：2016-08-24
申请人： VEECO INSTR INC
发明人： PAPASOULIOTIS GEORGE , SALDANA MIGUEL , SNOWDEN BRETT , RASHKOVSKY YULIY , PACIER MICHAEL
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/52 , C23C14/22 , C23C14/568 , C23C16/45544 , C23C16/50 , C23C16/54 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/67161 , H01L21/67201 , H01L21/67742 , H01L21/67745 , H01L21/6838 , H01L21/68764 , H01L21/68785
摘要： 화학기상증착시스템이개시된다. 화학기상증착시스템은고성능반도체디바이스의제조에필요한품질을유지하면서공정시간을줄이기위해각각의반응챔버내의웨이퍼상의에피택셜층의성장에서독립적으로작동하는복수의반응챔버를갖는다.

4. 发明授权

KR101839879B1 증착 장치 有权
标题翻译：沉积设备
公开(公告)号：KR101839879B1
公开(公告)日：2018-03-19
申请号：KR1020160118317
申请日：2016-09-13
申请人： (주)알파플러스
发明人： 문일권 , 황도원
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/24 , C23C14/54 , H01L21/203 , H01L21/02
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/243 , C23C14/54 , C23C14/545 , C23C14/568 , H01L21/02631 , H01L21/203
摘要： 본발명은증착용노즐에달라붙은오염물질로부터기판의표면을보호할수 있는증착장치를제공하는것이그 기술적과제이다. 이를위해, 본발명의증착장치는, 기판에하나이상의박막형성용물질을증착시키기위한증착장치로서, 상기기판으로제1 박막형성용물질을분사시키기위한복수의증착용노즐이제1 방향으로길게배열된제1 전도관을가지는제1 선형증발원; 상기제1 전도관과상기기판사이에구비되며상기분사되는제1 박막형성용물질의일부를상기기판으로통과시키는통과영역부와상기제1 박막형성용물질의나머지를차단시키는가림영역부를포함하는고정형가림부재; 및상기고정형가림부재에구비되어상기복수의증착용노즐중 적어도하나의증착용노즐에묻은오염물질이상기기판으로이동되는것을막는제1 오염방지부재를포함한다.
摘要翻译：发明内容本发明的技术目的是提供一种能够保护基板表面免受粘附到气相沉积喷嘴的污染物的沉积设备。为此，本发明的蒸镀装置是用于沉积一个或多个薄膜音频材料到衬底上，与长布置在多个可疑现在穿喷嘴在一个方向上为一体，以第一喷薄膜音频材料的衬底的蒸镀装置具有导管的第一线性蒸发源; 第二个是在第一jeondogwan之间设置与基板固定的屏蔽部件包括屏蔽区域用于阻挡所述第一薄膜音频材料的流路面积部分的，发送所述第一薄膜音频材料的一部分，其中，注入到衬底的其余部分。并且，第一防污染部件设置在固定罩部件上，用于防止污染物质移动到安装在多个蒸镀喷嘴中的至少一个蒸镀喷嘴上的污染物质破坏基板。

5. 发明公开

KR1020170142924A 피처리 기판의 탑재 위치의 설정 방법 및 성막 시스템 审中-实审
标题翻译：一种设定待处理衬底和成膜系统的安装位置的方法
公开(公告)号：KR1020170142924A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020170077131
申请日：2017-06-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 스즈키야스노부
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683
CPC分类号： G05B19/4189 , C23C14/042 , C23C14/505 , C23C14/568 , C23C16/042 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/52 , C23C16/54 , G05B2219/45031 , Y02P90/02
摘要： 피처리기판의탑재위치를설정하는방법에서, 테스트용기판은제 1 위치로부터떨어진제 2 위치에반송된다. 마스크는테스트용기판이제 1 위치에탑재되어성막처리될때, 비성막영역이미리설정된폭 치수를갖는예상배치위치를갖는다. 마스크를이용해서테스트용의피처리기판에성막처리된다. 성막처리후의테스트용의피처리기판에형성된비성막영역의폭 치수가측정된다. 제 1 위치에대한제 2 위치의어긋남의방향및 거리와, 비성막영역의폭 치수의측정결과에근거해서, 마스크의실제의배치위치가특정된다. 마스크의실제의배치위치에근거해서, 비성막영역이미리설정된폭 치수로되도록, 제 1 위치가보정된다.
摘要翻译：在设定被处理基板的安装位置的方法中，将测试容器板输送到远离第一位置的第二位置。当测试容器板现在被放置在位置1并且被成膜时，掩模具有预期的放置位置，其中非膜区域具有预设的宽度尺寸。使用掩模在要测试的基板上形成膜。测量在成膜过程之后形成在测试目标基板上的非成膜区域的宽度尺寸。基于偏离方向的测量结果和第二位置相对于第一位置的距离和非沉积区域的宽度尺寸来指定掩模的实际放置位置。基于掩模的实际放置位置，校正第一位置，使得非胶片区域具有预设的宽度尺寸。

6. 发明公开

KR1020170007784A 다층막의 제조 방법 및 다층막 审中-实审
标题翻译：多层膜及其制造方法相同
公开(公告)号：KR1020170007784A
公开(公告)日：2017-01-20
申请号：KR1020167034619
申请日：2015-06-11
申请人： 가부시키가이샤 아루박
发明人： 코바야시히로키 , 헨미미츠노리 , 히로세미츠타카 , 츠카고시카즈야 , 기무라이사오 , 수코우코우
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/34 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/187 , C01G25/00 , C01G55/00
CPC分类号： H01L41/1876 , C01G25/00 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/74 , C23C14/06 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/568 , C23C28/30 , C23C28/32 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/3455 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 본발명에따른다층막의제조방법은, 기판에도전층을형성하는공정 A와, 상기도전층을덮도록시드층을형성하는공정 B와, 상기시드층을덮도록유전체층을형성하는공정 C을, 적어도구비한다층막의제조방법에있어서, 상기공정 B에서, 상기시드층으로스트론튬(Sr)과루테늄(Ru) 및산소(O)를포함하는화합물을스퍼터링법에의해형성하고, 상기공정 C에서, 상기유전체층을형성할때의기판온도를 Td로정의할때, 560≤Td≤720[℃]이다.
摘要翻译：该制造多层膜的方法至少提供有用于在基板上形成导电层的步骤（A），用于形成覆盖导电层的晶种层的工序（B）和工序（C）用于形成介电层以覆盖种子层; 其中在步骤（B）中，溅射包含锶（Sr），钌（Ru）和氧（O）的化合物作为籽晶层，在步骤（C）中，560≤Td≤720（℃） Td是在形成介电层期间的衬底温度。

7. 发明授权

KR101678056B1 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 有权
标题翻译：用于制造使用该有机发光显示装置的薄层沉积方法的装置和通过该方法制造的有机发光显示装置
公开(公告)号：KR101678056B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020100091091
申请日：2010-09-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 성운철 , 최범락
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/56 , H01L21/67 , H01L21/677 , C23C28/00
CPC分类号： H01L21/6776 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L21/67173
摘要： 대형기판의양산공정에더욱적합하고, 고정세의패터닝이가능하도록하는박막증착장치, 이를이용한유기발광디스플레이장치의제조방법및 이에따라제조된유기발광디스플레이장치를제공하기위하여, 본발명은기판상에박막을형성하기위한박막증착장치에있어서, 진공으로유지되는제2 챔버; 상기제2 챔버내에서로나란하게구비되며, 그상부에기판이고정되는두 개의스테이지들; 상기각각의스테이지상에고정된기판에결합하는마스크들; 및상기스테이지상부에이동가능하도록형성되어, 상기기판측으로증착물질을방사하는제1 증착원및 제2 증착원;을포함하는박막증착장치를제공한다.

8. 发明公开

KR1020160111481A 가요성 기판의 스프레딩을 위한 롤러, 가요성 기판을 프로세싱하기 위한 장치, 및 그의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：用于扩展柔性基板的滚子，用于处理柔性基板的装置及其操作方法
公开(公告)号：KR1020160111481A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020167022788
申请日：2014-01-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 자우어,안드레아스 , 리스,플로리안 , 데피슈,토마스
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/50 , C23C16/54
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/568 , C23C16/463 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要： 진공챔버에서가요성기판을프로세싱하기위한프로세싱장치가설명된다. 프로세싱장치는, 가요성기판이프로세싱드럼상에서안내되는동안가요성기판을프로세싱하기위한프로세싱드럼, 가요성기판이프로세싱드럼상에서안내되기전에하나또는그 초과의롤러들의하나또는그 초과의둘레들(circumferences)의부분을따라서가요성기판과접촉하도록구성된하나또는그 초과의롤러들을갖는롤러배열체(arrangement) - 하나또는그 초과의롤러들의하나또는그 초과의둘레들의하나또는그 초과의부분들을따른접촉부의결합된길이(combined length)는 270mm 또는그 초과이고, 하나또는그 초과의롤러들의하나또는그 초과의둘레들의하나또는그 초과의부분들각각을따른접촉부의개별길이는 500mm 또는그 미만임 -, 및하나또는그 초과의롤러들의온도를조절하는온도조절엘리먼트를포함한다.

9. 发明公开

KR1020160067226A 소유성 코팅을 위한 직접 액체 증발 无效
标题翻译：直接液体挥发氧化涂料
公开(公告)号：KR1020160067226A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020167013723
申请日：2012-02-10
申请人： 애플 인크.
发明人： 웨버,더글라스,조세프 , 마쯔유끼,나오또
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/26 , C23C14/12 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/246 , C23C14/568 , C23C14/26
摘要： 본발명은 PVD 공정을사용하여전자장치구성요소의표면상에소유성성분을피착하는액체증발공정에관한것이다. 소유성성분을포함하는액체원료가진공챔버에결합되는액체공급시스템내에위치될수 있다. 액체공급시스템은소유성성분과공기사이의바람직하지못한화학반응을방지하도록불활성가스에의해가압될수 있다. 소유성성분을포함하는액체가증발유닛에도달된때에증발될수 있고, 소유성성분이구성요소상에피착될수 있다.

10. 发明公开

KR1020160042168A 기판처리 장치, 및 성막(成膜) 장치 有权
标题翻译：基板处理装置和薄膜形成装置
公开(公告)号：KR1020160042168A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020167008733
申请日：2014-09-17
申请人： 가부시키가이샤 알박
发明人： 오노,테츠히로 , 츠키가와,요시즈미 , 타테카와,신스케 , 아라이,스스무 , 타케이,마사키 , 이소베,다쯔노리 , 키요타,준야
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/34 , C23C14/568 , H01J37/32908 , H01J37/342 , H01J37/3435 , H01J37/3444
摘要： 기판처리장치는, 케이싱(21)과, 케이싱내부에위치하는중공의요동암(23)을구비한다. 요동암은, 케이싱에접속되는중공의요동중심축부(23a)와, 요동단(swinging end)인중공의연결축부(23b)를포함한다. 또한기판처리장치는, 케이싱내부에위치하고, 기판과마주보는처리공간을요동중심축부의축방향(P)과직교하는방향으로이동하여기판에처리를실시하는처리부(22)를구비한다. 처리부는, 처리부의이동을추종하여연결축부(23b)가처리부와병진가능하도록연결축부에연결되어있다. 따라서, 처리부(22)의이동에의해요동암(23)이요동한다. 또한, 기판처리장치는, 요동암(23)의내부에위치하고, 요동중심축부(23a)내를통하여케이싱외부에위치하는유틸리티에접속되며, 또한연결축부(23b)내를통하여처리부에접속되는접속라인을구비한다.

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